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相似文献
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1.
Pt常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触.在常温下,Pt/TiO2界面处的电子电导对Pt/TiO2肖特基势垒高度的变化非常敏感.本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性能,并讨论了因水在Pt/TiO2界面处的化学吸附,引起表面态费米能级改变,影响Pt/TiO2肖特基势垒的高度,从而导致了I-V曲线的变化的物理过程,对器件制造过程中的工艺问题也有所论述  相似文献   

2.
孙德明  肖梦秋 《半导体技术》1998,23(5):29-32,42
Pt常被用来在金属氧化物半导体上做肖特基接触,在常温下,Pt/TiO2界面处的电子电导对Pt/TiO2肖特基势垒高度的变化非常敏感,本文描述了利用该性质制造的湿敏传感器的性能,并讨论了因水在Pt/TiO2界面处的化学吸附,引起表面Fermi能级改变,影响Pt/TiO2肖特基势垒的高度,从而导致了I-V曲线变化的物理过程,对器件制造过程中的工艺问题所论述。  相似文献   

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高分子湿敏器件的耐水性   总被引:1,自引:0,他引:1  
为了改善湿敏器件的耐水性能 ,在制备高分子湿敏器件过程中 ,以丙烯酰胺为交联剂并加乙基纤维素保护膜。结果使湿敏器件的耐水性增强 ,但同时也使器件阻值增高 ,湿滞增大 ,吸脱附时间增长。器件再经适当浸水老化后 ,湿滞减小 ,耐水性亦得到进一步改善。  相似文献   

5.
刘亿  赖宗声 《半导体学报》1989,10(12):930-935
本文将普通的双极型IC工艺用干磁敏器件的制作中,成功地研制了一种新型三维磁敏晶体管,并在理论和实验上分析讨论了其灵敏度、线性度和失调等问题.用该方法制作的器件对B_x分量的灵敏度S_(xx)较国外文献报道的高一个数量级.  相似文献   

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本文着重讨论了SnO_2半导体陶瓷酒敏器件的金属与半导体(简称金-半)欧姆接触问题。参照元素半导体器件中电极与半导体之间实现欧姆接触的惯用做法,采用金-n~+-n结构来实现金属电极和SnO_2半导体陶瓷之间的欧姆接触。实验结果表明:采用这种结构,可以有效地抑制由于器件的金属电极与半导体接触而引起的不良影响,能更好地体现SnO_2敏感材料自身的特性,对于提高器件的一致性和产品的成品率都有重要的作用。  相似文献   

8.
本文在扼要介绍表面安装技术的优点、组装工艺过程与组装设备以及它的应用的基础上,论述了半导体表面安装器件的种类、封装形式、包装、标准化及应满足的质量要求。最后,对半导体表面安装器件应用中须注意的问题作了说明。  相似文献   

9.
利用半导体致冷器件去湿的工作原理及特性,给出去湿控湿系统的设计方法.试用表明该系统结构简单、无噪声、工作稳定、除湿效率较高、控湿准确,在小空间致冷除湿方面有较好的实用及推广价值.  相似文献   

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大气中含水汽的多少.常用湿度来表示。要控制湿度,就要对湿度进行检测,关键元件就是湿敏器件。湿敏器件的性能指标有湿度量程、灵敏度、温度系数、响应时间、湿滞回差、感湿特征量——相对湿度特性曲线等。例如作为湿敏器件之一的湿敏半导体陶瓷,按其阻值随环境湿度的变化规律,又可分为两大类:负感湿特性的半导体陶瓷。其阻值随环境湿度的增加而减小;正感湿特性的半导体陶瓷,其阻值随环境湿度的增加而增加。从结构上分,又可分为烧结型、涂覆膜型、多孔氧化物型、结型和MOS型半导体湿敏器件等。湿敏器件的应用是一种非电物理量的电气测量。湿敏电阻即其中的一种。它在一定的电源驱动下,将湿度量转换成电量,然后直接通过仪表读出或调节控湿  相似文献   

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位敏器件及在微小位移测量中的应用   总被引:2,自引:1,他引:1  
苏梅俊 《半导体光电》1996,17(4):323-326
介绍了半导体位敏器件的原理及特点,光切法测量微小位移原理以及利用PSD的光切法测量的有关光路和信号处理电路。该装置可实现对金属及非金属表面位移的非接触测量。  相似文献   

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色敏器件的研究进展和应用   总被引:2,自引:1,他引:1  
季峰  陈炳若 《光电子技术》2003,23(3):207-210
介绍了色敏器件的结构、制作工艺、工作原理、信号处理电路的发展以及利用信息处理技术和集成电路技术实现智能化颜色探测的应用前景。提出了通过改进材料、工艺和结构来增强色敏器件蓝紫光响应的具体措施。  相似文献   

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张佐兰 《电子器件》1990,(3):31-34,37
半导体光电子器件大致分为两类:一类是将电能转变为光能的发光器件;一类是把光能转变为电能的光敏元器件.这些光电器件在工业自动控制、家用电器、少年科技模型和儿童玩具、现代通讯技术、报警以及医学和农业等诸方面均有极其广泛的应用.本文在简述光电器件工作原理的基础上,着重介绍其报警方面的应用实例.光电元器件的工作原理发光器件主要有发光二极管、发光三极管和半导体激光器件等.这些器件都是将电讯号转变成光讯号的器件,它们的基本结构是pn结,如图1所示.发光方式有多种,但用得最多的是利用pn结正向注入的少子,通过直接或间接复合而产生光的辐射,对于直接跃迁的半导体,辐射光的波长由材料的禁带宽度确定,其关系式为  相似文献   

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<正> 磁敏晶体管是继霍尔元件之后发展起来的一种新型磁电转换器件,它具有磁灵敏度高、响应快、无触点、输出功率大等特点,因此在电磁测量、工业控制及检测技术方面得到广泛应用。  相似文献   

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概述了半导体量子微结构中的量子效应,并介绍了谐振隧道器件。评述了新的量子微结构,如单电子隧道器件,电子波衍射晶体管和量子线量子箱激光器的开发,还了量子微结构的尺寸要求和研究课题。  相似文献   

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