掺锑二氧化锡纳米涂层电极制备及电催化氧化性能

采用改进的热氧化工艺制备了掺锑二氧化锡纳米涂层电极,对电极的成分、结构和形貌进行了表征,并进行了电化学性能测试.以自制电极为阳极,钛板为阴极,进行了对硝基苯酚溶液的电催化氧化降解实验;以紫外可见分光光度计和高效液相色谱等为检测手段,对对硝基苯酚的降解途径进行了初步分析.     

SnO2：Sb电热膜的性能及应用

用化学纯原料制备了大功率密度的ＳｎＯ２：Ｓｂ电热膜，并分析其结构，研究了掺杂量、溶液浓度和退火处理对电阻及电阻温度特性的影响。用喷涂法制备大面积、性能稳定的ＳｎＯ２：Ｓｂ电热膜，功率密度高达４０Ｗ．ｃｍ＾－２。     

弱磁场对SnO2薄膜性能的影响

利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备了SnO2薄膜。实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响。实验结果表明,随着磁镜比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5．5时,SnO2薄膜的电阻分布却变得越来越不均匀。     

弱磁场对SnO2薄膜性能的影响

利用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）技术制备了SnO2薄膜。实验中通过改变磁镜场的磁镜比和磁场大小,研究了弱磁场对SnO2薄膜方块电阻及电阻分布的影响。实验结果表明,随着磁比和磁场强度的增加,SnO2薄膜的方块电阻在降低,且电阻分布变得比较均匀;但是,当磁镜比超过5．5时,SnO2薄膜的电阻分布变得越来越不均匀。     

室温固相法制备工艺对纳米ATO性能的影响

以氯化亚锡、草酸、三氯化锑、碳酸氢铵和氨水为原料,借助球磨过程中机械力的研磨、破碎和搅拌引发化学反应,制备出成分均匀的超细前驱体;将前驱体于高温下进行热分解制备纳米掺锑二氧化锡(ATO)粉体.利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)、电阻测量仪等分析方法,研究了掺杂量、热分解温度、时间与pH值对ATO电阻率等性能的影响.结果表明:在以适当方式调节球磨反应终点pH为8.5的条件下制备的掺锑10%(质量分数)的前驱体,于600℃下热分解2h后再于900℃下恒温2h,得到了压片电阻率为1.2Ω·cm的浅蓝色纳米ATO粉体.     

掺镉纳米SnO2的热稳定性,电导及气敏性能

本文研究了ＣｄＯ掺杂对纳米ＳｎＯ２粉料的热稳定性，电导及气敏特性的影响。结果表明，以非晶状态均匀分散在ＳｎＯ２颗粒表面的ＣｄＯ能阻止ＳｎＯ２之间的相互扩散，提高了纳米ＳｎＯ２的热稳定性；固溶于ＳｎＯ２昌粒中的ＣｄＯ量（Ｃｄ／Ｓｎ〈０．０５）很小，但对元件的电导影响显著；纳米级的晶粒尺寸（〈６ｎｍ）及ＣｄＯ的掺杂大大改善了ＳｎＯ２的气敏特性。     

掺V2O5对SnO2气敏性能的影响

研究了掺Ｖ２Ｏ５对ＳｕＯ２元件电阻和稳定性的影响，掺杂后，稳定性提高但灵敏度下降；杂量〈０．５６Ｗ．％，电阻降低；掺杂量〉０．５６Ｗｔ％时，电阻上升，利用量子化学分析机理，结果表明：由于Ｖ＾５＋的掺入，提高了ＳｎＯ２晶胞前线轨道及材料的稳定性；在掺杂量少时，由于氧原子的空穴态和锡原子的电子态增加，使材料的电阻下降，在的掺杂量多时，因电子输运轨道受阻导致电阻增大。     

焙烧温度对载Ag多孔SiO_2抗菌性能的影响

以多孔SiO2为载体,通过吸附、焙烧等工艺将Ag+固定在多孔二氧化硅的孔隙内,制备出了载Ag无机抗菌剂;研究了不同焙烧温度(200℃、400℃、600℃、800℃)下这种抗菌剂对大肠杆菌的定性、定量抗菌性能以及抗菌持久性能的影响。结果表明:400℃焙烧时,该无机抗菌剂对大肠杆菌的抗菌效果符合日本无机抗菌剂行业标准且抗菌持久性强,其原因是该焙烧温度下多孔SiO2的孔隙结构可以对银离子起到有效的缓释作用。     

可磁回收掺锑二氧化锡固体超强酸催化剂

对磁性掺锑二氧化锡纳米超强酸催化剂进行了合成研究,采用XRD、TEM、IR对纳米磁性固体催化剂样品进行表征,结果说明,该方法合成的纳米微粉具有十分完好的晶体结构,催化剂在波长1403、1154、1042和941cm-1处均有吸收峰出现,说明催化剂中形成了类似于硫酸盐中的S=O键和类似于有机硫酸酯中的高共价S=O键。利用Hammett指示剂法对固体超强酸进行了酸强度表征,酸强度H0〈-13．8,酯化率为93％。     

掺锑a—Fe2O3的结构和性能

用化学共沉淀与固相反应相结合的方法，在ａ－Ｆｅ２Ｏ３中掺入一定量的锑离子。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）分析表明，掺锑量（Ｓｂ／Ｆｅ原子比）小于０．２，材料仍保持ａ－Ｆｅ２Ｏ３的晶体结构，但是加入量〉０．２时，有铁、锑复合氧化物生成。通过分析Ｓｂ的掺入对ａ－Ｆｅ２Ｏ３的晶粒生长及电学性质的影响，认为该系列材料的气敏性能有大幅度的提高，是锑的掺入改变了ａ－Ｆｅ２Ｏ３的气敏机理。     

掺铜SnJO2薄膜的光学气敏特性

采用磁控溅射的方法,在玻璃基片上制作出SnO2-Cu-SnO2-Cu-SnO2的5层式多层复合薄膜.并且在常温下使用分光光度计检测出,当它接触到酒精和丙酮气氛的情况下,其反射率在可见光范围的某些波段有变化,气敏特性与纯SnO:薄膜的相似,同时具有更佳的反应效果.     

La掺杂对SnO_2薄膜光学特性影响的第一性原理及实验研究

采用密度泛函理论的第一性原理平面波超软赝势方法探讨了La掺杂对Sn O2光学特性的影响,并通过实验进行验证。理论分析表明,由于La的掺入,费米能级上移进入导带,禁带宽度变小,介电函数虚部与吸收谱发生红移。实验结果表明La掺杂并没有改变晶型结构,晶格常数略微增大,晶粒尺寸减小。薄膜在可见光区的透过率除7%La掺杂外均超过80%,且随掺杂浓度增加禁带宽度逐渐减小,实验结果与理论计算结果相互验证,为稀土掺杂Sn O2的研究提供依据。     

煅烧温度和燃烧剂及助剂用量对TiO2光催化性能的影响

为了找出自蔓燃制备TiO2光催化剂的最佳奈件,本文以TiO（NO3）2为前驱体,以前躯体用量、燃烧剂柠檬酸和硝酸铵的比例、煅烧温度为主要考查因素,通过正交试验制备TiO2并进行亚甲基蓝的光催化降解实验。结果表明,自蔓燃工艺制备的TiO2粉体具有松散、多孔的特性;正交试验选出最优制备条件为：煅烧温度在550℃,n（TiCl1）：n（柠檬酸）：n（硝酸铵）=1：1：3,最优条件下的TiO2比不采用此工艺制备的TiO2的降解率提高了13．28％;最大光降解速率比不采用此工艺制备的TiO2的速率提高了58％。     

Sol-Gel法制备低阻SnO2薄膜

采用sol-gel法制备了SnO2薄膜。研究了不同的实验条件对薄膜阻值的影响。利用XRD、XPS分析了薄膜的晶体结构和晶粒尺寸。利用这种低阻SnO2薄膜制作的热线型气敏元件对H2S具有较好的气敏特性。     

Reducing Hysteresis and Enhancing Performance of Perovskite Solar Cells Using Low‐Temperature Processed Y‐Doped SnO2 Nanosheets as Electron Selective Layers

Despite the rapid increase of efficiency, perovskite solar cells (PSCs) still face some challenges, one of which is the current–voltage hysteresis. Herein, it is reported that yttrium‐doped tin dioxide (Y‐SnO₂) electron selective layer (ESL) synthesized by an in situ hydrothermal growth process at 95 °C can significantly reduce the hysteresis and improve the performance of PSCs. Comparison studies reveal two main effects of Y doping of SnO₂ ESLs: (1) it promotes the formation of well‐aligned and more homogeneous distribution of SnO₂ nanosheet arrays (NSAs), which allows better perovskite infiltration, better contacts of perovskite with SnO₂ nanosheets, and improves electron transfer from perovskite to ESL; (2) it enlarges the band gap and upshifts the band energy levels, resulting in better energy level alignment with perovskite and reduced charge recombination at NSA/perovskite interfaces. As a result, PSCs using Y‐SnO₂ NSA ESLs exhibit much less hysteresis and better performance compared with the cells using pristine SnO₂ NSA ESLs. The champion cell using Y‐SnO₂ NSA ESL achieves a photovoltaic conversion efficiency of 17.29% (16.97%) when measured under reverse (forward) voltage scanning and a steady‐state efficiency of 16.25%. The results suggest that low‐temperature hydrothermal‐synthesized Y‐SnO₂ NSA is a promising ESL for fabricating efficient and hysteresis‐less PSC.     

SiO2缓冲层对溶胶-凝胶法制备的SnO2∶Sb薄膜光电性能的影响

以SnCl2·2H2O和SbCl3为原料,利用溶胶-凝胶法制备了SnO2∶Sb薄膜。利用XRD观察了薄膜的结构特点,利用紫外可见分光光度计测量了薄膜的透过率,利用四探针测试系统表征了薄膜的电学性能。讨论了掺杂浓度以及SiO2缓冲层厚度对薄膜光电性能的影响。结果表明,随着掺杂浓度的增大,薄膜的电阻率先降低而后略有升高,当掺杂浓度为5%时,薄膜电阻率达到最小,为8.7×10-3Ω·cm;并深入研究了缓冲层对薄膜性能的改善作用:当掺杂浓度为5%时,随着缓冲层数的增加,薄膜方块电阻呈下降趋势,最小可达到95Ω/□,电阻率达到1.1×10-3Ω·cm。     

Effect of Sn precursor on the synthesis of SnO2 and Sb-doped SnO2 particles via polymeric precursor method

SnO2 and Sb-doped SnO2 particles were synthesized using the polymeric precursor method with different Sn salt precursors： SnCl2.2H2O, SnCl4.5H20, or Sn citrate. Sb2O3 was used as the precursor of Sb, and the molar ratio of nsn：nsb was held constant. FTIR and TGA/DTA were used to examine the influence of the Sn precursor on the formation and thermal decomposition of the Sn and Sn-Sb complexes. The calcination products obtained from heating the Sn and Sn-Sb complexes at 500℃ in air were analyzed using XRD and TEM analysis. The results revealed that the SnO2 and Sb-doped SnO2 formation temperatures depended on the nature of the Sn precursor. The calcination products were found to be SnO2 and Sb-doped SnO2 particles, which crystallized in a tetragonal cassiterite structure with a highly preferred （110） planar orientation. The Sn precursor and the presence of Sb in the SnO2 matrix strongly influenced the crystallinity and lattice parameters.     

SnO_2∶Sb电热膜的自限温特性

本文研究了掺锑量对ＳｎＯ２∶Ｓｂ电热膜电阻温度特性的影响。发现高掺锑量的电热膜具有自限流和自限温特性,并分析了该特性对电热膜寿命的影响。