数字音频广播方式及其比较

介绍了三种数字音频广播方式,卫星数字音频广播（Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｕｄｉｏ Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ-ＳａｔｅｌｌｉｔｅＤＡＢ-Ｓ）、地面数字音频广播（Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｕｄｉｏ Ｂｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ-Ｔｅｒｒｅｓｔｒｉａｌ,ＤＡＢ-Ｔ）和数字调幅广播（Ｄｉｇｉｔａｌ Ａｍｐｌｉｔｕｄｅ ＭｏｄｕｌａｔｉｏｎＤＡＭ）各自的特点、功能,并对其进行了比较。     

Rio500数字音频播放器

在因特网日趋走俏的今天，继 Ｗａｌｋｍａｎ、Ｄｉｓｃｍａｎ、ＭＤ之后，ＭＰ３播放器将成消费新热点。帝盟（Ｄｉａｍｏｎｄ）公司推出的Ｒｉｏ５００数字音频播放器，以其强大功能和出众的特点成为时尚产品。 Ｒｉｏ ５００重７８ｇ，体积为９．１ｃｍ×６．２ｃｍ××１．８ｃｍ，备有透明绿色、银色、黑色３种颜色可供选择。它带有背景光ＬＣＤ显示，具有中文界面便于操作，白带６４ＭＢ固化内存，利用可插拔快闪卡可扩充到９６ＭＢ。该机使用１节５号碱性电池，可连续播放 １３ｈ，带有 ＵＳＢ接口和电缆。Ｒｉｏ５００的主要功能如…     

SIMOX材料的TEM研究

在注入能量为１７０ｋｅＶ，注入剂量从０．６×１０１８／ｃｍ２到１．８×１０１８／ｃｍ２范围，改变注入方式，利用ＴＥＭ技术观察了形成ＳＩＭＯＸ的结构．注入剂量为０．６×１０１８／ｃｍ２时，可以获得连续的ＳｉＯ２埋层且顶部硅层基本上无穿通位错产生；注入剂量为１．５×１０１８／ｃｍ２时，采用双重注入可以获得质量很好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层仅有较少的穿通位错；注入剂量为１．８×１０１８／ｃｍ２时，三重注入可以获得质量好的ＳＩＭＯＸ结构，顶部硅层穿通位错稍多．     

适于嵌入应用的一种25MS／s8位CMOSA／D转换器

适于嵌入应用的一种２５ＭＳ／ｓ８位ＣＭＯＳＡ／Ｄ转换器＝Ａ２５ＭＳ／ｓ８－ｂｉｔＣＭＯＳ．Ａ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｃｒｆｏｒｅｍｂｅｄｄｅｄａｐｐｌｉｃａｔｉｏｎ［刊，英］／Ｐｅｌ－ｇｒｏｍ，ＭＪＭ…∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．...     

对应于数字音频传输的USB控制器LSI

美国ＫＣＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ公司开发了对应数字音频传输并具有监视器控制功能的ＵＳＢ控制器ＬＳＩ一ＫＣ８２Ｃ１７８,可用于个人电脑ＣＲＴ监视器,ＬＣＤ监视器等。该ＬＳＩ对应于数字音频规格“ＵＳＢＡｕｄｉｏＣｌａｓｓＳｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｖ１．０”,如果与ＡＣ（ＡｕｄｉＣｏｄｅｃ）”９７标准的遍解码ＬＳＩ相连即可再生个人电脑发送的音频数据。音频数据的形式是取样频率为４８ｋＨｚ、量化数为１６比特或８比特的ＰＣＭ。具有２个对应“ＵＳＢＭｏｎｉｔｏｒＣｏｎｔｒｏｌＣｌａｓｓＳｐｅｃｉｆｉｃａｔｉｏｎｖ…     

A Study on The Optical Properties of InAs Microcrystallites Embedded in SiO_2 Glass Matrix

ＡＳｔｕｄｙｏｎＴｈｅＯｐｔｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆＩｎＡｓＭｉｃｒｏｃｒｙｓｔａｌｉｔｅｓＥｍｂｅｄｄｅｄｉｎＳｉＯ２ＧｌａｓＭａｔｒｉｘＪ．Ｚ．ＳｈｉＬ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ（ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，Ａｃａｄｅ...     

一种10位20MS／s3v电源CMOsA／D转换器

一种１０位２０ＭＳ／ｓ３ｖ电源ＣＭＯｓＡ／Ｄ转换器＝Ａ１０ｈｉｔ２０ＭＳ／ｓ３ＶｓｕｐｐｌｙＣＭＯＳＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔｅｒ［刊，英］／Ｉｔｏ，Ｍ…／／ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｌｒｃｕｌｔｓ，－１９９４，２９（１２）．－１５３１～１５３６...     

DAB(数字音频广播)

ＤＡＢ（数字音频广播）＠左丹￥重庆通信学院ＤＡＢ（数字音频广播）左丹（重庆通信学院重庆６３００３５ＤＡＢ（ＤｉｇｉｔａｌＡｕｄｉｏＢｒｏａｄｃａｓｔｉｎｇ）即数字音频广播，是继ＡＭ广播、ＦＭ广播之后的第三代广播方式，它的出现标志着广播系统正由模拟向数字体制...     

用强流金属离子源研究Ti－Si化合物的形成

利用金属蒸汽真空弧（ＭＥＶＶＡ）离子源引出强流Ｔｉ离子注入单晶硅，当ＭＥＶＶＡ源引出电压为４０ｋＶ，束流密度达到１００μＡ／ｃｍ２，Ｔｉ离子剂量为５×１０１７／ｃｍ２，Ｔｉ离子注入单晶硅可得到Ｃ５４－ＴｉＳｉ２的注入层，且薄层电阻低于３．０Ω／□．本文用束流热效应讨论了形成硅化物的机理．     

四极SIMS对Al_xGa_（1－x）As中Si的定量分析

本文讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ（ｌ－ｘ）Ａｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＋源对（２９）Ｓｉ的原子检测限达到４×１０（１５）ｃｍ（－３）．     

一种10位流水线开关电流A／D转换器

一种１０位流水线开关电流Ａ／Ｄ转换器＝Ａ１０－ｂｉｔｐｉｐｅｌｉｎｅｄｓｗｉｔｃｈｅｄ－ｃｕｒｒｅｎｔＡ／Ｄｃｏｎｖｅｒｔ－ｅｒ［刊，英］／Ｍａｃｑ，Ｄ．∥ＩＥＥＥＪ．Ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒ－ｃｕｉｔｓ．－１９９４，２９（８）．－９６７～９７２...     

氢化非晶硅带隙态密度光诱导变化的研究

报导了与Ｓｔａｅｂｌｅｒ－Ｗｒｏｎｓｋｉ效应相关的氢化非晶硅（α－Ｓｉ：Ｈ）带隙态密度的光诱导变化，结果表明光照将使α－Ｓｉ：Ｈ带隙上半部分态密度的分布发生变化，采用ＡＭ１太阳光谱＊光照两小时使得导带迁移率边以下０．７ｅＶ处的带隙态密度从４×１０１６ｃｍ－３ｅＶ－１，增大到１×１０１７ｃｍ－３ｅＶ－１。     

分子束外延HgCdTe／GaAs的生长和光伏探测器的研制

文中报导了用分子束外廷工艺在ＧａＡｓ（２１１）Ｂ衬底上生长了较高质量的中、长波ＨｇＣｄＴｅ薄膜材料。生长后的材料通过退火进行转型和调节电性参数。选择的组分分别为ｘ＝０．３３０和０．２２６的两种材料，７７Ｋ时载流子浓度和迁移率分别为ｐ＝６．７×１０１５ｃｍ－３、ｕｐ＝２６０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１和４．４５×１０１５ｃｍ－３、４１０ｃｍ２Ｖ－１ｓ－１。研制了平面型中、长波线列光伏探测器，其典型的探测器Ｄ分别为５．０×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１和２．６８×１０１０ｃｍＨｚ１／２Ｗ－１（１８０°视场下），其中６４元线列中波探测器与ＣＭＯＳ电路芯片在杜瓦瓶中耦含后读出并实现了红外成像演示。     

SIMOX材料注F+后的SIMS分析

实验中采用三种剂量注入ＳＩＭＯＸ材料中,注入剂量分别为５×１０＾１２Ｆ＾＋／ｃｍ＊＾２,５×１０＾１３Ｆ＾＋／ｃｍ＾２,１×１０＾５Ｆ＾＋／ｃｍ＾２,用ＳＩＭＳ技术了Ｆ在材料中的浓度分析,结果表明,随着注Ｆ＾＋能量和剂量的改变,Ｆ＾＋在材料中的深度分布也相应改变。     

适用于数字CMOS集成电路的模拟相位测量电路

适用于数字ＣＭＯＳ集成电路的模拟相位测量电路＝ＡｎａｌｏｇｐｈａｓｅｍｅａｓｕｒｉｎｇｃｉｒｃｕｉｔｆｏｒｄｉｇｉｔａｌＣＭＯＳＩＣ＇ｓ［刊．英］／Ｒｏｔｈｅｒｍｅｌ．Ａ．…ＩＥＥＥＪ，ｓｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９３，２８（７）．...     

Quantum Transport through Magnetic Bariers

ＱｕａｎｔｕｍＴｒａｎｓｐｏｒｔｔｈｒｏｕｇｈＭａｇｎｅｔｉｃＢａｒｉｅｒｓＪ．Ｑ．Ｙｏｕ１，２Ｌ．Ｄ．Ｚｈａｎｇ１Ｑ．Ｂ．Ｙａｎｇ２（１ＩｎｓｔｉｔｕｔｅｏｆＳｏｌｉｄＳｔａｔｅＰｈｙｓｉｃｓ，ＣｈｉｎｅｓｅＡｃａｄｅｍｙｏｆＳｃｉｅｎｃｅｓ，Ｈｅ...     

一种5V6位80MS／sBiCMOS闪烁ADC

一种５Ｖ６位８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳ闪烁ＡＤＣ＝Ａ５Ｖ，６－ｂ，８０ＭＳ／ｓＢｉＣＭＯＳｆｔａｓｈＡＤＣ［刊，英］／Ｒｅｙｂａｎｉ，Ｈ．…∥ＩＥＥＥＪＳｏｌｉｄ－ＳｔａｔｅＣｉｒｃｕｉｔｓ．－１９９４．２９（８）．８７３～８７８开发出一种５Ｖ单电源６...     

高场应力下FLOTOXMOS管的性能退化研究

利用氧化层动态电流弛豫谱分析方法,测试分析了在周期性电场应力下ＦＬＯＴＯＸＭＯＳ管隧道氧化层中陷阱电荷的特性,为研究陷阱电荷对ＦＬＯＴＯＸ ＥＥＰＲＯＭ 阈值电压的影响提供了实验依据。在＋ １１ Ｖ、－ １１ Ｖ 周期性老化电压下所产生的氧化层陷阱电荷饱和密度分别为－ １．８×１０１１ ｃｍ － ２和－ １．４×１０１１ ｃｍ － ２,平均俘获截面分别为５．８×１０－ ２０ ｃｍ ２ 和７．２×１０－ ２０ ｃｍ ２,有效电荷中心距分别为３．８ ｎｍ 和４．３ ｎｍ ,界面陷阱电荷饱和密度分别为６．５４×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １和－ ３．８×１０９ ｃｍ － ２ｅＶ－ １,平均俘获截面分别为１．１２×１０－ １９ ｃｍ ２ 和４．９×１０－ １９ ｃｍ ２。     

用于1．2μmCMOS70MS／sADC阵列中的一种10位5MS／s逐次逼近ADC单元

用于１．２μｍＣＭＯＳ７０ＭＳ／ｓＡＤＣ阵列中的一种１０位５ＭＳ／ｓ逐次逼近ＡＤＣ单元＝Ａ１０－ｂｉｔ５ＭＳ／ｓｓｕｃｃｅｓｓｉｖｅａｐｐｒｏｘｉｍａｔｉｏｎＡＤＣｃｅｌｌｕｓｅｄｉｎａ７０ＭＳ／ｓＡＤＣａｒｒａｙｉｎ１．２μｍＣＭＯＳ［刊，英］／Ｙ...     

四极SIMS对AlxGa1—xAs中Si的定量分析

本讨论了用ＭＩＱ－１５６四极ＳＩＭＳ仪器对ＡｌｘＧａ１－ｘＡｓ中Ｓｉ进行定量分析的实验方法，考察了测量结果的重复性及ｘ变化时ＳｉＲＳＦ的变化规律，在ＩＭＳ－４ｆＳＩＭＳ仪器上进行了对比测试，用Ｃｓ＾＋源对＾２９Ｓｉ的原子检测了限达到了４×１０＾１５ｃｍ＾－３。