准分子激光器中的X光预电离研究

对于准分子激光器这样的高气压脉冲放电器件，为保证放电的均匀性，预电离是必不可少的。本文详细介绍了Ｘ光预电离的产生机理及实验装置，并进行了深入的实验研究及理论分析，对实际工作有较大的参考意义。     

面预电离F原子激光和XeF准分子激光实验研究

本文报道了面预电离F原子激光和XeF激光输出能量以及F原子激光光斑随各气体分压的变化情况。在适当的气体混合物中放电获得了F原子和XeF准分子激光充满放电截面的完整光斑，取得了满意预电离效果。获得了F原子623．9nm、634．8nm、712．8nm和731．1nm四波长激光同时振荡以及F原子激光和XeF激光同时振荡，并作了定性分析。     

观预电离F原子激光和XeF准分子激光实验研究

本文报道了面预电离Ｆ原子激光和ＸｅＦ激光输出能量以及Ｆ原了铫斑随各气体分压的变化情况。     

脉冲放电时间对XeCl准分子激光输出的影响

本文研究了脉冲放电时间对X光预电离XeCl脉冲雪崩放电激光器激光和荧光特性的影响。结果表明限止放电型XeCl准分子激光脉冲持续时间的因素是HCl在放电过程中分解产生的H对XeCl（B）态的猝灭效应。     

20瓦横向流动X光预电离XeCl准分子激光器

自从1975年稀有气体卤化物准分子激光器出现以来，这类激光器已被誉为新一代紫外光源。近几年来，在高能激光武器、激光核聚变、激光同位素分离、激光化学、激光半导体材料表面处理、微电子加工和激光医学等方面都获得了很大的进展。在这些应用中，所需要的激光平均功率也日益提高，     

ArF准分子激光光刻的研究现状

193nmArF准分子激光光刻是21世纪提高超大规模集成电路(VLSI)集成度的一项关键技术,已成为高技术领域的研究热点。作者从193nm激光光刻的光学系统设计、光学材料、光源、光致抗蚀剂及器件应用等方面综述了深紫外激光光学光刻技术的近期发展及应用。     

阳极预电离改善准分于激光器放电均匀性

提出了准分子激光器阳极预电离方案，并在实验上证实了阳极预能有效地改善放电均匀性，同时使激光输出能量略有提高。     

准分子激光对光学薄膜的损伤

本文报道了XeCl准分子激光对光学薄膜的损伤阈值、损伤形貌和多脉冲激光的损伤。研究了激光预辐照处理对薄膜损伤的影响。     

ArF准分子激光光源电极系统设计及电场仿真研究

电极系统是ArF准分子激光光源的核心部件。首先通过对ArF准分子激光光源电极系统的初步设计,得到合适的放电区尺寸,提供了电极和预电离电极电压的加载方式,从而形成由阴极、阳极、预电离电极、陶瓷件和工作气体五部分组成的电极系统简化模型。然后基于该电极系统简化模型,在不同电压加载条件下进行了电场仿真。仿真结果表明,放电区域电场分布均匀对称,电极系统设计较为合理。     

用于ArF准分子激光器的CaF_2衬底性能的实验表征

对用于ArF准分子激光器的CaF2衬底进行了表征实验研究。采用分光光度计测量了CaF2衬底的透射光谱和反射光谱,利用激光量热法测量了CaF2衬底吸收,分别利用原子力显微镜(AFM)和白光干涉仪(WLI)测量了CaF2衬底的表面粗糙度,并计算了功率谱密度(PSD)和表面散射,最后分别测量了CaF2衬底的荧光光谱、红外光谱和拉曼光谱。激光量热法测量5 mm厚准分子级CaF2衬底的吸收结果为922×10-6。AFM和WLI测得的CaF2衬底表面粗糙度均方根值分别为0.22和1.24 nm,计算表面散射损耗分别为0.005%和0.25%。荧光光谱在紫外(UV)级CaF2衬底中检测到Ce3+等杂质离子。红外光谱和拉曼光谱在CaF2衬底表面没有检测到水气和有机污染物。实验结果表明,激光量热法可以精确地测量和评价准分子级CaF2衬底的吸收,表面粗糙度的测量结果需要与散射的实测结果综合起来进行评价,荧光和红外等光谱技术是检测CaF2衬底内部痕量杂质及表面污染的有效手段。     

利用ArF准分子激光退火获得小锗量子点的研究

使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20～25nm的光致量子点(LIQD),远小于退火前的量子点大小.LIQD的密度约为6×1010cm-2.分析表明,在ArF准分子激光脉冲作用下,退火样品只有表面扩散,并没有体扩散.激光脉冲对表面Ge原子的扩散控制导致了Ge量子点形貌发生了巨大的改变.该方法为获得高密度小尺寸的Ge量子点提供了新的途径.采用原子力显微镜对光致量子点的表面形貌进行了研究.     

利用ArF准分子激光退火获得小锗量子点的研究

使用ArF准分子激光脉冲对UHV/CVD条件下生长的Ge量子点进行退火处理,获得了底宽为20～25nm的光致量子点(LIQD),远小于退火前的量子点大小.LIQD的密度约为6×1010cm-2.分析表明,在ArF准分子激光脉冲作用下,退火样品只有表面扩散,并没有体扩散.激光脉冲对表面Ge原子的扩散控制导致了Ge量子点形貌发生了巨大的改变.该方法为获得高密度小尺寸的Ge量子点提供了新的途径.采用原子力显微镜对光致量子点的表面形貌进行了研究.     

准分子激光系统中的电磁干扰及抑制方法

准分子激光系统中的电磁干扰问题在许多应用中,特别在医疗设备中是不可忽视的一个问题。文中描述了准分子激光器中的电磁干扰的来源和干扰途径,并详细从激光放电回路、激光腔和软硬件设计角度讨论了抑制电磁干扰和提高系统可靠性的方法。     

影响XeCl 准分子激􀀂 光器寿命的因素

准分子激光器的推广应用与其寿命的改善有着很密切的关系。现以XeCl准分子激光器为例讨论对了激光器寿命影响比较大的两大因素：高速放电开关和激光腔体。     

放电激励的100W XeCl准分子激光器

介绍一台放电泵浦的ＸｅＣｌ准分子激光器。其最大单脉冲能量５５０ｍＪ，在２８０Ｈｚ工作时输出功率达１０６Ｗ     

准分子激光对铜版纸打标的研究

用308nm波长的准分子激光对铜版印刷纸打标，获得了精细可见的标记．分析了该打标过程的作用机理，通过实验得出了打标的能量密度问值，优选了打标的条件．     

磁助器在准分子激光器中的应用

介绍磁助器的设计原则和方法，并成功地应用于准分子激光放电电路中，实验结果表明，设计的磁助器能在不显著影响激光输出能量情况下，减少高压快放电中开关器件─—闸流管的能量损耗，减小反向电流。