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相似文献
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1.
吴其松  杨海钢  尹韬  张翀 《半导体学报》2009,30(7):075011-6
本文介绍了一种高精度CMOS微弱电流读出电路。该电路能够将十分微弱的电流信号精确地转化为频率信号以用于电流的测量,并将结果转化为10位数字信号输出。本设计提出了一种快速的稳定增强型恒电位仪,该恒电位仪能为安培型生化传感器提供恒定的偏置电压。电路中还采用了源极电压转移技术,在室温条件下,该技术能使MOS管的漏电流降低到反向偏置二极管的漏电流水平,大大提高了电流检测的精度。该芯片采用了新加坡特许半导体公司0.35μm标准CMOS工艺,电源电压3.3V。该读出电路具有超过100dB的大动态范围,能够精确地检测出从1pA到300nA的电流,且全量程范围内非线性误差不超过0.3%。  相似文献   

2.
给出了一种1×128热释电红外焦平面阵列CMOS读出电路的设计方案和焦平面的仿真及实验结果.并提出一种读出电路新方案.在此方案中,用电流模模拟信号处理技术由硬件实现片内CMOS电压差分器的功能,以提高系统的信噪比和响应速度.  相似文献   

3.
高性能的信号读出电路是微光CMOS图像传感器的重要组成部分,如何降低读出电路噪声,提高读出电路输出信号的信噪比成为读出电路设计的重点。本文设计了一种高增益低噪声的电容反馈跨阻放大器CTIA(Capacitive Trans impedanceAmplifier)与相关双采样电路CDS (Correlated Double Sampling)相结合的微光探测器读出电路。在CTIA电路中,采用T网络电容实现fF级的积分电容,并通过增益开关控制,来达到对微弱光信号的高增益低噪声读出。采用CSMC公司的0.5μm标准CMOS工艺库对电路进行流片,测试结果表明:在光电流信号为20~300 pA范围内,积分时间为20μs,该电路功能良好,信噪比(SNR)达到10,能应用于微光CMOS图像传感器。  相似文献   

4.
一种适合集成传感器的微弱信号读出放大器   总被引:5,自引:0,他引:5  
蔡光杰  沈延钊 《微电子学》2004,34(1):97-100
设计了一种适用于低频集成传感器微弱信号检测的低噪声放大器。该电路应用斩波技术抑制低频噪声和失调,利用带通滤波器减少残余失调电压。电路采用0.8μm N阱CMOS工艺设计,并进行了实际流片。对试制样片进行了测试,测得电路的增益为37dB,等效输入噪声为56.4nV/√Hz。  相似文献   

5.
采用电流镜放大读出电路的CMOS高灵敏度图像传感器   总被引:1,自引:0,他引:1  
介绍一种采用电流镜放大读出电路的CMOS图像传感器.该读出电路能向光敏二极管提供恒定的接近于零的偏压,使二极管暗电流和暗噪声减小;它的输入阻抗低,注入效率高,动态范围大;光电流放大10倍后再去积分、输出,使器件灵敏度大大提高.采用2 μm CMOS工艺研制出64位线阵样品,得到比较满意的实验结果.  相似文献   

6.
Malco.  P 《红外》1996,(12):24-29
本文介绍一种用于集成热电红外传感器的低噪声多速率开关电容器读出电路,其应用对对象是一种被支轼入侵探测器,在这种特殊的情况下,由传感器产生的信号非常小(数十微伏)其带宽也很窄(0.1-10Hz)必须对这种信号进行放大(保持尽可能低的噪声电平)和滤波,所推荐的方法是一个自动调零的低噪声跨导极,其后面是一个多速率开关电容器的积分器,跨导体把传感器的输出电压转换成电流,然后由积分器对电流进行处理,所推荐的  相似文献   

7.
基于自偏置电流镜的CMOS红外焦平面读出电路   总被引:2,自引:2,他引:2  
针对高精度红外焦平面阵列应用设计了一种具有高注入效率、大动态范围、稳定的探测器偏压、小面积和低功耗的自偏置电流镜注入CMOS读出电路.所设计的电路结构包括一种由自偏置的宽摆幅PMOS共源共栅电流镜和NMOS电流镜构成的反馈结构读出单元电路和相关双采样电路.对所设计电路采用Chartered 0.35 μm CMOS工艺进行了流片.测试结果显示:电路线性度达到了99%,探测器两端偏压小于1mV.电路输入阻抗近似为0,单元电路面积为10μm×15μm,功耗小于0.4μW.电量存储能力3108电子.测试结果表明:电路功能和性能都达到了设计要求.  相似文献   

8.
一种差分输入HgCdTe红外探测器专用电流读出电路的研制   总被引:1,自引:0,他引:1  
袁红辉  陈永平  陈世军  刘强  徐星 《激光与红外》2009,39(10):1100-1103
利用差分输入的折叠共源共栅结构实现了一种在77 K工作的高性能低噪声HgCdTe红外探测器专用的电流读出电路.文中分析了它的噪声特性,并提出了减少噪声的措施.此电路用1.2 μm的标准CMOS工艺制造完成.经过测试,这种电流读出电路在低温77 K下能正常工作,反馈电阻大小为41 MΩ,等效输入噪声电流仅0.03 pA/Hz1/2,连接HgCdTe红外探测器后能正常工作.  相似文献   

9.
格雷码在焦平面CMOS读出电路中的应用   总被引:1,自引:1,他引:0  
祝晓笑  刘昌举  蒋永富 《半导体光电》2009,30(4):506-508,525
介绍了一种利用格雷码在焦平面CMOS读出电路中实现灵活读出方式,并且改善芯片整体性能的设计思想,采用的仿真设计工具是Cadence IC 5.0.在分析格雷码特征的基础上,利用格雷码的反射性和单步循环特性设计了一种不同于传统结构的新型读出电路,并给出了相应的仿真波形.该读出电路以较简单的结构实现了四种顺序的读出方式,同时降低了芯片功耗并提高了稳定性.  相似文献   

10.
王祯祥  胡凯 《红外与激光工程》2021,50(11):20210072-1-20210072-6
扫描式红外成像传感器在遥测遥感、卫星成像等远距离成像领域具有广泛的应用。为了缓解信噪比相对较低而影响图像质量的问题,提出了一种时间延时积分(TDI)型读出电路。该读出电路由电容跨阻放大器(CTIA)像素电路阵列、并行TDI电路、多路开关选择电路和输出缓冲器等组成。为实现对宽动态范围光电流的处理,CTIA电路设计有多档可选增益,且非线性度小于0.3%。该读出电路采用0.35 μm CMOS工艺设计与制造,芯片面积约为1.3 mm×20 mm,采用5 V电源时功耗小于60 mW。为了评估1024×3 TDI读出电路的功能,采用了对TDI输入端注入不同电压激励的方式进行测试,测试结果验证了所提出的设计方案。  相似文献   

11.
提出了新型的应用于粒子探测器CMOS读出电路中的电荷灵敏放大器和CR-(RC)n半高斯整形器的结构.电荷灵敏放大器采用多晶硅电阻做反馈来减小噪声,仿真发现与传统结构相比,在探测器电容高达150pF时,输入等效噪声电荷数由5036个电子减小到2381个,代价是输出摆幅减小了0.5V.在整形器中,MOS管电阻与多晶硅电阻串联,通过调节MOS管的栅压来改变阻值,以补偿工艺的偏差,在不明显降低线性度的情况下保证了时间常数能够比较精确控制.  相似文献   

12.
一种粒子探测器的CMOS读出电路设计   总被引:1,自引:0,他引:1  
提出了新型的应用于粒子探测器CMOS读出电路中的电荷灵敏放大器和CR-(RC)n半高斯整形器的结构.电荷灵敏放大器采用多晶硅电阻做反馈来减小噪声,仿真发现与传统结构相比,在探测器电容高达150pF时,输入等效噪声电荷数由5036个电子减小到2381个,代价是输出摆幅减小了0.5V.在整形器中,MOS管电阻与多晶硅电阻串联,通过调节MOS管的栅压来改变阻值,以补偿工艺的偏差,在不明显降低线性度的情况下保证了时间常数能够比较精确控制.  相似文献   

13.
设计了一种偏压可调电流镜积分(Current Mirroring Integration,CMI)红外量子阱探测器焦平面CMOS读出电路.该电路适应根据偏压调节响应波段的量子阱探测器,其中探测器偏压从0.61 V到1.55V范围内可调.由于CMI的电流反馈结构,使得输入阻抗接近0,注入效率达0.99;且积分电容可放在单元电路外,从而可以在一定的单元面积下,增大积分电容,提高了电荷处理能力和动态范围;为提高读出电路的性能,电路加入撇除( Skimming)方式的暗电流抑制电路.采用特许半导体(Chartered) 0.35μm标准CMOS工艺对所设计的电路(16×1阵列)进行流片,测试结果表明:在电源电压为3.3V,积分电容为1.25 pF时,电荷处理能力达到1.3×107个电子;输出摆幅达到1.76 V;功耗为25mW;动态范围为75dB;测试结果显示CMI可应用于高性能FPA.  相似文献   

14.
刘震宇  赵建忠 《激光与红外》2008,38(10):1042-1045
针对一款大面阵(640×512元)快照模式制冷型红外焦平面用的读出电路进行了初步分析验证.该读出电路采用改进DI结构,先积分后读出的积分控制模式,像素尺寸为25μm×25μm,芯片已在0.5μm双硅双铝(DPDM)标准CMOS工艺下试制.首先对该电路结构及工作原理进行分析,并对输入级等电路的传输特性进行仿真验证,最后给出探测器阵列与读出电路芯片互连后的测试结果.结果表明该读出电路适用于小像素、大规模的红外焦平面阵列.  相似文献   

15.
宋伟清  周廉  白涛  袁红辉 《红外》2015,36(4):13-19
在航天应用领域,大部分中长波红外探测器都工作在高背景下.由于线列碲镉汞(HgCdTe)红外探测器本身的暗电流较大且各像元的暗电流具有很大的非均匀性,采用常规读出电路方案时的输出信号动态范围过小,甚至部分像元的信号电压也无法读出.采用将电压 电流转换和电流存储单元相结合的方法,设计了一种具有逐元背景抑制功能的中波红外探测器线列读出电路.该方法不仅可以抑制不同像元的暗电流,而且还可以有效提高电路的信噪比,并可增大输出信号的动态范围.电路测试结果表明,在90 K低温下,电路输出摆幅为2V,输出电压的非均匀性下降了70%,因此该研究对中长波红外探测器的工程化设计具有重要的指导意义.  相似文献   

16.
边超  许媛媛  陈绍凤  夏善红   《电子器件》2007,30(1):22-25
研究采用微电子机械系统(MEMS)技术在硅基底上制备可集成微型安培免疫传感器,用于人免疫球蛋白(IgG)的检测.该传感器包括两个铂电极以及SU-8胶形成的微反应池和敏感池.工作电极的敏感表面首先聚合聚吡咯膜,然后通过戊二醛的交联作用实现抗体的固定.最后通过夹心法实现对IgG的检测.该传感器检测线性范围5~255 ng/mL,响应时间3 min.具有线性好、响应快、试剂用量少、微型化、便于集成等优点.  相似文献   

17.
Presented is a low noise interface circuit that is tuned to the needs of self-assembly monolayers biosensor SoC. The correlated double sampling(CDS) unit of the readout circuit can reduce 1/f noise, KTC noise and fixed noise of micro arrays effectively. The circuit is simulated in a 0.6 μm/level 7 standard CMOS process, and the simulated results show the output voltage has a good linearity with the transducing current of the micro arrays. This is a novel circuit including four amplifiers sharing a common half-circuit and the noise reducing CDS unit. It could be widely used for micro array biosensors.  相似文献   

18.
提出了一种快闪式红外焦平面阵列读出电路。采用改进的直接注入型单元电路,积分电容大小可选,能适应大范围的光背景条件,并且增加了图像变换(倒置/反转)功能。一款128×128阵列的读出电路已经基于标准0.5μmCMOS工艺实现,整体芯片的面积为8.0mm×8.5mm。实测结果表明,此读出电路具有良好的光电转换能力,同时具有功耗低、输出摆幅大、动态范围大等优点。  相似文献   

19.
红外焦平面读出电路技术及发展趋势   总被引:2,自引:0,他引:2  
刘莉萍 《激光与红外》2007,37(7):598-600
从红外焦平面技术的发展背景出发,论述了读出电路在红外焦平面信号传输中的作用并介绍其基本框图,讨论了CCD读出电路和CMOS读出电路各自的特点,并分析了国内外红外焦平面读出电路的现状,最后提出了红外焦平面阵列读出电路今后的研究方向.  相似文献   

20.
一种新型的高性能CMOS电流比较器电路   总被引:4,自引:0,他引:4  
陈卢  石秉学  卢纯 《半导体学报》2001,22(3):362-365
分析了目前几种高性能连续时间 CMOS电流比较器的优缺点 ,提出了一种新型 CMOS电流比较器电路 .它包含一组具有负反馈电阻的 CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组 CMOS反相器 .由于 CMOS互补放大器的负反馈电阻降低了它的输入、输出阻抗 ,从而使电压的变化幅度减小 ,所以该电流比较器具有较短的瞬态响应时间和较快的速度 .电阻负载放大器的使用减小了电路的功耗 .利用 1.2 μm CMOS工艺 HSPICE模型参数对该电流比较器的性能进行了模拟 ,结果表明该电路的瞬态响应时间达到目前最快的 CMOS电流比较器的水平 ,而功耗则低于这些比较器 ,具有最大的速  相似文献   

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