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相似文献
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1.
本文报道用低压有机金属化合物化学气相淀积(LP-MOCVD)外延生长InGaAsP/InP应变量子阶材料,材料参数与外延条件的关系,量子阱器件的结构设计及其器件应用.用所生长的材料研制出宽接触阈值电流密度小于400A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值7~12mA的1.3μm量子阱激光器和宽接触阈值电流密度小于600A/cm2(腔长400μm),DC-PBH结构阈值9~15mA的1.55μm量子阶激光器以及高功率1.3μm量子阱发光二极管和InGaAsPIN光电探测器.  相似文献   

2.
用LPE研制的室温连续工作的1.48μm单量子阱激光器   总被引:1,自引:0,他引:1  
利用液相外延(LPE)技术研制出室温连续工作的InGaAsP/InP分别限制单量子阶(SCH-SQW)双沟平面掩埋(DC-PBH)激光器。室温下,腔面未镀膜的激光器最低阈值电流为23mA(激光器腔长为200μm,CW,13℃)。激射波长为1.48μm,最高输出功率达18.8mW(L=200μm.CW,18℃)。脉冲输出峰值功率大于50mW(脉冲宽度1μs、频率1kHz),未见功率饱和。量子阱的阱宽为20nm[1].  相似文献   

3.
报道了利用LP-MOVPE技术生长高质量的InGaAs/InGaAsP分别限制应变量子阱激光器结构材料、激光器制作和结果.宽而激光器实现了室温脉冲受激发射.激射波长为1.49μm,在腔长为2000μm时,最低阈值电流密度为0.30kAcm-2.最大脉冲光输出峰值功率达500mW以上.同时,从理论和实验上研究了阙值电流及阙值电流密度随激光器腔长的变化关系,并与LP-MOVPE生长制作的宽面双异质结构激光器进行了比较.  相似文献   

4.
采用分子束外延(MBE)技术,研制生长了InGaAs/GaAs应变单量子阱激光器材料,并研究了生长温度及界面停顿生长对激光器性能的影响。结果表明,较高的InGaAs生长温度和尽可能短的生长停顿时间,将有利于降低激光器的阈值电流。所外延的激光器材料在250μm×500μm宽接触、脉冲工作方式下测量的阈电流密度的典型值为160mA/cm2。用湿法腐蚀制作的4μm条宽的脊型波导激光器,阈值电流为16nA,外微分量子效率为04mW/mA,激射波长为976±2nm,线性输出功率为100mW。  相似文献   

5.
采用VarianGenⅡMBE生长系统研究了InGaAs/GaAs应变层单量子阶(SSQW)激光器结构材料。通过MBE生长实验,探索了In_xGa_(1-x)tAs/GaAsSSQW激光器发射波长(λ)与In组分(x)和阱宽(L_z)的关系,并与理论计算作了比较,两者符合得很好。还研究了材料生长参数对器件性能的影响,主要包括:Ⅴ/Ⅲ束流比,量子阱结构的生长温度T_g(QW),生长速率和掺杂浓度对激光器波长、阈值电流密度、微分量子效率和器件串联电阻的影响。以此为基础,通过优化器件结构和MBE生长条件,获得了性能优异的In_(0.2)Ga_(0.8)As/GaAs应变层单量子阱激光器:其次长为963nm,阈值电流密度为135A/cm ̄2,微分量子效率为35.1%。  相似文献   

6.
本文报道我们在国内率先研制的GaAs/GaAlAs中红外(3~5μm)量子阱探测器和双色量子阱红外探测器的制备和性能.GaAs/GaAlAs中红外量子阱探测器是光伏型,探测峰值波长为5.3μm,85K下的500K黑体探测率为3e9cm·Hz1/2/W,峰值探测率达到5×1011cm·Hz1/2/W,阻抗为50MΩ.GaAs/GaAlAs双色量子阱红外探测器是偏压控制型的两端器件,在零偏压下该探测器仅在3~5μm波段有响应,响应峰值波长为5.3μm,85K温度下500K黑体探测率为3e9cm  相似文献   

7.
本文首次报道了在GaAs衬底上采用新的双层InGaAsP限制层和InGaP光限制层工艺制作无铝应变云子阱In0.2Ga0.8As激光器。得到的宽条激光器的阈值电流密度低至58A/cm2,就作者所知,对用MOCVD生长的0.98μm激光器来说,该阈值电流密度是已有报道的最低值。  相似文献   

8.
本文报道我们率先研制出的3~5.3μmInxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱红外探测器的制备和性能.该探测器具有光伏特征,77K温度、±7V外偏压下的500K黑体探测率达到约1.0×1010cm·Hz1/2/W,并且,与1→2子带间跃迁相对应的光电流峰值响应波长可随外偏压在中红外(3~5.3μm)波段作适当调谐.运用平面波展开法,依据样品的阱、垒结构参数,计算了InxGa1-xAs/AlyGa1-yAs/AlzGa1-zAs非对称台阶量子阱1→2子带间跃迁的Sta  相似文献   

9.
本文给出了带有In0.49Ga0.51i包层的InGaAs-GaAs应变量子阱激光器实验结果。镀有AR-HR膜、并有p-nInGaP电流阻挡结的掩埋异质结激光器,在连续波(CW)和室温(RT)下,给出3.1mA的低阈值电流和95mW的高功率输出。这是首次以两次MOVPE方法生长制作的InGaAs-GaAs-InGaP掩埋异质结激光器。  相似文献   

10.
MOCVD生长大功率单量子阱激光器   总被引:2,自引:2,他引:0  
本文介绍了MOCVD生长的高质量GaAs和AlAs材料以及(Al)GaAs/AlGaAs分别限制单量于阱激光器.GaAs材料的77K迁移率为122,700cm2/(V·s),GaAs/AlAs具有均匀陡变的界面.激光器的最大光输出功率为4W,平均光功率密度达4MW/cm2,斜率效率为1.2W/A,在1W恒功老化4000小时电流增加小于10%,预计寿命可超过两万小时.  相似文献   

11.
用MOCVD生长发射波长为808nm的ALGaAs/GaAs量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒(MQB)层,有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外,从而降低了激光器的阈值电流,提高了它的特征温度。增加了MQB后,器件的阈值电流密度I_(th)从原来的400~600A/cm ̄2下降到300~400A/cm ̄2,特征温度从160K提高到210K。  相似文献   

12.
用MOCVD生长发射波长为808nm的AlGaAs/GaAs量子阱激光器材料。通过在激光器材料的波导中加入多量子势垒(MQB)层,有效地限制电子在阱内的复合以及高能电子溢出阱外,从而降低了激光器的阈值电流,提高了它的特征温度。增加了MQB后,器件的阈值电流密度Ith从原来的400 ̄600A/cm^2下降到300 ̄400A/cm^2,特征温度从160K提高到210K。  相似文献   

13.
利用MBE生长的GaAs/AlxGa1-xAs折射率渐变-分别限制-多量子阱材料(GRIN-SCH-MQW),经液相外延二次掩埋生长,制备了阈值最低达2.5mA(腔面未镀膜),光功率室温连续输出可达15mW/面的半导体激光器.经腔面镀膜后,器件已稳定工作4500多小时.  相似文献   

14.
我们利用分子束外延(MBE)方法研制出了高质量的InGaAs/GaAs/AIGaAs应变量子阱激光器外延材料,其最低的阈值电流密度可达到140A/cm2,激发波长在980urn左右.通过脊型波导结构的制备,获得了高性能的适合于掺铒光纤放大器用的980urn量子阱激光器泵浦源,其典型的阈值电流和外微分量子效率分别为15mA和0.8mW/mA,基横模的输出功率大于80mW,器件在50℃,80mw的恒功率老化实验表明,器件具有较好的可靠性.通过与掺铒光纤的耦合,其组合件出纤功率可达60mW以上.  相似文献   

15.
量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器   总被引:3,自引:0,他引:3  
对SiO2薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导InGaAs/GaAs应变量子阱无序和SrF2薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合(称为选择区域量子阱无序技术)应用于脊形波导InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器,研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构3μm条宽激光器的最大输出功率为340mW,和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比,最大输出功率提高了36%。在100mW输出功率下,发射光谱中心波长为978nm,光谱半宽为1.2nm。平行和垂直方向远场发散角分别为7.2°和30°  相似文献   

16.
GaInNAs是一种直接带隙半导体材料,在长彼长(1.30和 1.55μm)光通信系统 中具有广阔的应用前景.通过调节 In和 N的组分,既可获得应变 GaInNAs外延材料,也可制 备GaInNAs与GaAs匹配的异质结构,其波长覆盖范围为0.9-N2.0μm.GaInNAs/GaAs 量子阱激光器的特征温度为 200 K,远大于现行 GaInNAsP/InP激光器的特征温度(T0=50 K). GaInNAs光电子器件的此优异特性,对于提高光纤通信系统的稳定性、可靠寿命具有特 别重要的意义.由于GaInNAs和具有高反射率(高达99%)AI(Ga)As/GaAs的分布布拉格 反射镜(DBR)可生长在同-GaAs衬底上,因此它是长波长(1.30和 1.55 μm)垂直腔面 发射激光器(VCSEL)的理想材料.垂直腔面发射激光器是光纤通信、互联网和光信号处理的 关键器件. GaAs基的超高速集成电路(IC)已有相当成熟的工艺.如果 GaInNAs-VCSEL 与 GaAs-IC相结合,将使光电集成电路(OEIC)开拓出崭新的局面.本文还报道我们课题 组研制高质量 GaNAs/GaAs超晶格和大应变 InGaAs/GaAs量子阱结构取  相似文献   

17.
采用分子束外延技术生长了GaAs/AlGaAs单量子阱得多量子阱材料。采用GaAs/AlGaAs超晶格缓冲层掩埋衬底缺陷,获得的量子阱结构材料被成功地用于制作量子阱激光器。波长为778nm的激光器,最低阈值电流为30mA,室温下线性光功率大于20mW。  相似文献   

18.
采用MOCVD 方法成功地研制了具有线性GRIN 结构GaAs/AlGaAs单量子阱激光器。该激光器的峰值波长为815~825 nm ,阈值电流为130 m A。工作电流在480 m A 时,单面连续输出光功率高达200 m W,且基本保持在单模工作状态。工作在970 m A 时,单面连续输出光功率为0.5 W。  相似文献   

19.
128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描红外焦平面的红外成像   总被引:2,自引:1,他引:2  
研制成功了128×1元GaAs/AlGaAs多量子阱扫描型红外焦平面(FPAs),器件的响应率达到RP=2.02×10^6V/W,截止波长为λ=8.6μm,根据常规的黑体探测率定义,得到器件的黑体探测率为Db=2.37×10^6cm.Hz/W,并最终获得了清晰的曙物体残留热像图。  相似文献   

20.
吴人齐  陈正豪 《激光与红外》1994,24(2):40-42,49
GaAs/AlGaAs多量了阱结构的红外探测器是近几年出现的一种新型红外探测器。本文对基基本原理作了介绍。并报导了最新研制成果;Dλ=1.42×10^11cmHz1/2W^-1=Rλ=2.32×10^6V/W,峰值响应为8.5μm的高性能GaAs/AlGaAs量子阱红外探测器。  相似文献   

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