严格对角占优M-矩阵的逆矩阵的无穷大范数上界改进的估计式

设A为严格对角占优的M-矩阵,首先仅利用矩阵A的元素给出A^-1的元素新的上界估计式,其次利用这些估计式给出了‖A^-1‖∞忆新的上界估计式,并由此给出了A的最小特征值q（A）下界的估计式。这些新的估计式改进了已有的结果。     

块H阵‖A^—1‖∞的上界和最小奇异值的下界

‖Ａ＾－１‖∞的上界与最小奇异值下界的估计是计算数学和其他许多领域中的重要且困难的问题，文中就具有广泛实际背影的大型块Ｈ阵获得了‖Ａ＾－１‖∞的上界和最小奇异值下界的估计。     

LiCo0.7Ni0.3O2超薄电极的制备

采用气泡式喷墨打印技术制备LiCo_0.7Ni_0.3O₂超薄电极,确定制备稳定LiCo_0.7Ni_0.3O₂分散体系的最佳工艺条件为：体系pH值为8,粘合剂CMCS含量为1%,分散剂AES-A含量为0.5%,超声波分散时间为10min。以LiCo_0.7Ni_0.3O₂超薄电极为正极、金属锂片为负极,组装成扣式电池,其电化学性能测试结果显示：打印5层和10层的LiCo_0.7Ni_0.3O₂超薄电极在电位区间3.2～4.2V、电流密度3μA/cm²下,首次放电比容量分别为147mAh/g和144mAh/g;打印5层的LiCo_0.7Ni_0.3O₂超薄电极充放电循环100次后放电比容量保持在98%以上;LiCo_0.7Ni_0....     

非奇异M-矩阵特殊积最小特征值下界的新估计

根据非奇异M-矩阵的性质和矩阵的特征值包含域定理,结合两个M-矩阵Hadamard积的特征,分别给出q(B°A^-1)和q(A°A^-1)下界的一个新估计式。对A^-1是双随机矩阵时B与A^-1的Hadamard积最小特征值下界的估计式进行改进,理论证明这些估计式改进了现有的结果,且这些估计式仅用到矩阵A和B的元素,计算更简捷。通过数值算例表明新估计式的优越性和有效性,估计结果更接近于真实值。     

低碱比H2O2的电化学合成

采用线性扫描伏安法和恒电流电解技术探讨了分隔式电解槽中以自制的石墨/聚四乙烯气体扩散电极（GDE）合成低碱比H₂O₂溶液的方法,着重考察了pH值、催化剂（2-乙基蒽醌）载量、电流密度及电解液温度等对H₂O₂电合成效率的影响.结果表明:当温度低于35℃时,在分隔式电解槽中以pH=12的2.5%Na₂SO₄溶液为阴极液、2-乙基蒽醌载量为1 mg/cm²的GDE为阴极,控制电流密度为750 A/m²条件下,经8 h电解可以制得低碱比（0.23）的H₂O₂溶液,其中H₂O₂浓度达0.45 mol/L.18 d的连续电解试验初步表明该体系具有较高的电流效率（约83%）和良好的稳定性,从而为电Fenton和光电Fenton法在废水处理领域的实用应用奠定了良好的基础.     

Sn4P3-G@C负极在锂离子电池中的应用

磷化锡(Sn₄P₃)作为锂离子电池负极材料,虽然理论比容量(1.255×10³ m A·h/g)较高,但是在充放电过程中会产生巨大的体积膨胀和颗粒团聚现象,导致容量衰减严重。将石墨烯作为骨架、无定形碳材料作为包覆层,成功地制备了碳包覆Sn₄P₃-石墨烯复合材料(Sn₄P₃-G@C)。Sn₄P₃-G@C在电流密度为0.05 A/g时,循环70次后放电比容量可达0.521×10^-3 m A·h/g;在电流密度为0.10 A/g时,循环150次后放电比容量可达0.433×10^-3m A·h/g;在电流密度为0.50 A/g时,稳定循环300次,放电比容量可达0.330×10^-3 m A·h/g。片层石墨烯和碳包覆层的共同存在不仅使Sn₄P₃的结构更加稳定且导电性提升,而且有效缓解体积膨胀,...     

S-Nekrasov矩阵的逆矩阵无穷范数的新估计式

根据S-Nekrasov矩阵的定义和特点,利用矩阵的分裂技巧构造出含有参数的S-SDD矩阵和对角矩阵,应用其逆矩阵的无穷范数估计和不等式放缩方法,获得了S-Nekrasov矩阵A的‖A~(-1)‖_∞的新估计式,该方法增加了估计的灵活性,得到的结果通过算例验证了其优越性。     

HSA/g-C3N4作为电致化学发光探针检测β-淀粉样蛋白

采用一步煅烧法制备了一种电致化学发光(ECL)性能良好的类石墨相-碳化氮二维纳米材料(g-C₃N₄),经1-(3-二甲氨基丙基)-3-乙基碳二亚胺盐酸盐和N-羟基琥珀酰亚胺活化后,g-C₃N₄与人血清白蛋白(HSA)复合,得到HSA/g-C₃N₄复合材料。利用Aβ与HSA的结合作用,将HSA/g-C₃N₄与不同浓度的β-淀粉样蛋白(Aβ)孵育,形成Aβ/HSA/g-C₃N₄。同时将巯基修饰的Aβ适体固定在金电极表面,通过适体与靶标的特异性结合,可以将Aβ/HSA/g-C₃N₄捕获到电极上。在共反应剂K₂S₂O₈存在下,该传感器实现了对Aβ的ECL灵敏检测。研究表明,在10 fmol·L^-1到100 nmol·L^-1范围...     

基于ip-iq理论的改进型谐波检测方法

针对传统的i_p-i_q谐波检测方法使用低通滤波器难以实现检测精度与速度平衡的问题,提出了一种使用LMS自适应滤波器与电流平均值法的串联使用代替低通滤波器的方法。为了解决传统定步长LMS算法无法兼顾收敛速度与稳态误差的矛盾,设计了一种改进的基于双曲正弦函数的变步长LMS算法。算法通过使用误差信号的时间均值估计p(n)与参数‖T‖²控制步长因子,减小稳态误差,并引入α(n)对双曲正弦函数的取值进行限制,加快收敛速度;最后通过串联电流平均值模块进一步提高检测精度与速度。使用Matlab软件进行仿真试验,试验结果表明：改进方法在检测精度与速度方面较传统的i_p-i_q谐波检测方法有较大提升,验证了方法的有效性、可行性。     

Zr52Cu32Ni6Al10非晶合金与W之间的润湿性及界面特性

采用铜模吸铸法制备Zr₅₂Cu₃₂Ni₆Al₁₀非晶合金,利用X射线衍射仪(XRD)和差式扫描量热仪(DSC)分析Zr₅₂Cu₃₂Ni₆Al₁₀合金的微观结构和熔化温度,采用座滴法测试Zr₅₂Cu₃₂Ni₆Al₁₀合金熔体与W之间的润湿性,利用扫描电镜(SEM)和能谱仪(EDS)表征润湿界面形貌和相组成。结果表明：连续升温过程中Zr₅₂Cu₃₂Ni₆Al₁₀合金熔体在W基片上的润湿角随温度的升高而减小,润湿过程包括一次快速铺展和二次缓慢铺展两个阶段;在890℃、930℃和970℃保温30min后,Zr₅₂Cu₃₂Ni₆Al₁₀合金熔体与W基片之间的平衡润...     

关于Lagrange插值导数的误差估计

关于Ｌａｇｒａｎｇｅ插值导数的误差估计曾提出过以下猜想：对任意ｎ＋１次连续可微的函数ｆ和任意ｎ＋１个连续点，ｎ次ｌａｇｒａｎｇｅ插值多项式Ｌ满足：‖ｆ（ｊ）－Ｌ（ｊ）‖≤‖ｗ（ｊ）‖‖ｆ（ｎ＋１）‖（ｎ＋１）！，其中ｊ是所有的整数，‖·‖表示上确界范数．ＧａｒｙＷＨｏｗｅｌ在文献［１］中证明了ｊ＝ｎ时猜想成立，ｊ＝１，２，…，ｎ－１猜想没被解决，而仅得到了‖ｆ（ｊ）－Ｌ（ｊ）‖≤‖ｗ（ｊ）‖‖ｆ（ｎ＋１）‖ｊ！（ｎ＋１－ｊ）！这样的估计式，本文主要研究ｊ＝ｎ－１时，可以得到了较好的估计式     

minm／∑／i=1wi‖x—ai‖型最优场址问题的一个部分超线性收敛算法

利用拟牛顿法的有关思想，结合Ｗｅｉｓｚｆｅｌｄ法给出了一个求解形如ｍｉｎｍ／∑／ｉ＝１ｗｉ‖ｘ－ａｉ‖的算法，并且证明了琥法所具有的全局收敛性和部分超线性收敛性。     

CuS nanotube/g-C3N4异质结的合成及光催化性能

以CuCl₂·2H₂O、SC（NH₂）₂和g-C₃N₄纳米片作为前驱体,在室温下采用简单的共沉淀法成功地制备了CuS nanotube/g-C₃N₄异质结。对碱源、g-C₃N₄加入顺序和反应时间等合成条件对CuS nanotube/g-C₃N₄异质结的光催化性能的影响进行了较系统的研究。结果表明:碱源是合成的关键因素。以Na₂S·9H₂O为碱源兼硫源,制备的CuS nanotube/g-C₃N₄异质结的光吸收边带明显红移,禁带宽度（E_g）和荧光强度明显降低,且光电流响应值为0.095 6 μA/cm²,相对于bulk g-C₃N₄提高了约3.1倍。将其用于光催化降解罗丹明B（RhB）,45 min内RhB降解率约达100%,其降解速率相对于bulk g-C₃N₄提高了约47.6倍,这些结果说明CuS nanotube/g-C₃N₄具有较高的光电催化活性。并提出了CuS nanotube/g-C₃N₄异质结在光催化过程中载流子迁移转化的机理。     

Mg/W掺杂和预成型压力对K0.5Bi4.5Ti4O15陶瓷取向生长和电学性能影响

为了探究Mg/W掺杂和预成型压力对K_0.5Bi_4.5Ti₄O₁₅(KBT)陶瓷晶粒取向生长和电学性能的影响,文中采用固相反应法,在20 MPa的预成型压力下制备了K_0.5Bi_4.5Ti_4-x(Mg_1/2W_1/2)_xO₁₅(KBT-MgW_x,x=0.05,0.10,0.15,0.20)陶瓷,随后分别沿垂直(Per)和平行(Par)预成型压电对陶瓷进行切割。采用X射线衍射分析仪表征陶瓷的相结构,扫描电子显微镜分析陶瓷的显微组织形貌,利用精密阻抗分析仪测试陶瓷的介电频谱和变温阻抗,使用d₃₃测试仪(ZJ-6A型准静态)来测量压电性能。研究结果表明：随着Mg²⁺和W⁶⁺含量的增加,KBT-MgW陶瓷晶粒择优取向生长逐渐增强;切割方向平行预成型压力的陶瓷样品具有更高的取向...     

新型钾基四方钨青铜结构化合物K3La3Ti2Nb8O30

根据四方钨青铜结构稳定性的晶体化学原理，设计了新型的钾基四方钨青铜结构化合物K₃La₃Ti₂Nb₈O₃₀，并采用固相反应法对其进行了制备。采用X射线衍射仪表征其物相，发现除了少量杂相存在外，其主相可以确认为目标化合物， 并采用扫描电子显微镜和能谱仪对其微观形貌和微观区域元素成分进行分析。使用精密阻抗分析仪对其不同频率下的介电温谱进行测量（20~600 ℃），结合结构容忍因子及A位离子平均半径所进行的预测结果，显示该化合物在室温（20 ℃）以下可能具有弛豫铁电性。     

GALERKIN法超收敛估计

本文就二阶方程的第一边值问题,采取连续分片二次多项式空间,建立步长不等式,给出超收敛一种估计方法,得到差值误差估计:‖u—u_I‖_1=0(h~3),从而得出节点p_i上的GALERKIN解的超收敛估计:‖u—u~h‖_1=0(h~3)。     

La0.67Sr0.33Mn0.7Fe0.3O3的制备及其光催化性能研究

采用溶胶—凝胶燃烧法制备了纳米级钙钛矿型复合氧化物La_0.67Sr_0.33Mn_0.7Fe_0.3O₃,通过XRD、SEM对样品的物相和形貌进行表征,结果表明所得La_0.67Sr_0.33Mn_0.7Fe_0.3O₃样品为钙钛矿结构,直径约为50纳米,长度为1μm.以350 W氙灯做光源,催化降解亚甲基蓝水溶液,反应6 h,降解率达到96%.     

Fe3O4/SnS2的制备及其催化性能研究

为提高Fe₃O₄的类芬顿效果,基于光助类芬顿催化氧化技术,在共沉淀法制备Fe₃O₄的基础上采用醇热法制备能高效降解亚甲基蓝的Fe₃O₄/SnS₂催化剂。建立了以Fe₃O₄/SnS₂为催化剂的光助类芬顿催化氧化体系,分析不同制备及降解条下Fe₃O₄/SnS₂的类芬顿活性,并通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)等对Fe₃O₄/SnS₂材料进行表征。结果表明：当Fe₃O₄和SnS₂物质的量比为1∶1时,Fe₃O₄/SnS₂的催化效果最好;亚甲基蓝溶液pH为3.0、Fe₃O_...     

TiO2@H+/g-C3N4复合材料的光催化产氢性能及机理分析

本文研究了TiO₂含量对TiO₂@H⁺/g-C₃N₄异质结光催化剂产氢性能的影响。首先将石墨相氮化碳(g-C₃N₄)用硫酸处理,得到酸洗氮化碳(H+/g-C₃N₄),然后通过煅烧法在H+/g-C₃N₄表面负载TiO₂得到TiO₂@H⁺/g-C₃N₄复合材料,利用透射电镜、 X射线衍射仪、紫外-可见漫反射仪和比表面仪对TiO₂@H⁺/gC₃N₄复合材料进行了表征,研究了其在可见光下的光催化产氢性能,探讨了TiO₂@H⁺/g-C₃N₄复合材料光催化产氢机理。实验结果表明：...     

CdLa2S4/g-C3N4复合光催化剂的制备及其光催化性能

通过研磨法制备一系列不同质量比的CdLa₂S₄/g-C₃N₄(CLS/CN)复合光催化剂。以罗丹明B作为目标污染物,在可见光照射下探究了催化剂的光催化降解性能。实验结果表明,CLS/CN复合材料的光催化降解效率均优于纯的CdLa₂S₄和g-C₃N₄,其中CLS/CN-2的光催化活性最好,在可见光照射35 min后对RhB降解效率达到96.6%。光催化活性的增强可能是由于形成了具有强界面相互作用的异质结结构,有利于CdLa₂S₄和g-C₃N₄之间的光诱导电荷转移,并有效促进光生电子和空穴的分离。循环实验表明所合成的复合光催化剂具有良好的光催化反应稳定性。