ZnO压敏电阻器性能的改进

为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用共沉淀法制得含五种添加剂的复合添加剂。用该复合添加剂、ZnO、Sb2O3及Al(NO3)3溶液混合球磨后的粉体制成氧化锌压敏电阻器。通过TEM和粒度测试,分析了复合添加剂的尺寸和微观结构,并对电阻器的性能进行了测试。结果表明:采用化学共沉淀方法制备的复合添加剂粉体粒径小,活性大。用该添加剂制备的氧化锌压敏电阻器的通流能力,较传统工艺提高35%,其漏电流约为0.1μA,非线性系数为53。     

复合纳米添加法制备ZnO压敏电阻器

提出了一种利用复合纳米添加剂改善ZnO压敏电阻的晶界效应和微观特性，以获得高性能ZnO电阻片的方案，并通过化学共沉淀法制备了多元复合纳米添加剂。实验分析表明，此方案能提高通流50％以上，并能显著改善器件的微观均一性，制得的复合添加剂选择性好，易于实现工业化生产。     

低压高能氧化锌压敏电阻器的研究

本文提出了一种新型的低压高能氧化锌压敏电阻器的制造方法。研究了它的微观结构和导电机理，根据理论分析提出了改进元件性能的材料组分和工艺措施。     

低压大通流氧化锌压敏陶瓷材料

提出了一种研制低压大通流压敏陶瓷材料的方法。根据已有的微观结构和导电机理的理论，着重研究了添加剂ＴｉＯ２对器件性能的影响，对得到的结果进行了分析和讨论。认为在六元配方基础上，加入适量的ＴｉＯ２和Ｈ３ＢＯ３并对器件进行热处理，可得到质量较好的产品     

低压高能氧化锌压敏电阻器的研究

本文提出了一种新型的低压高能氧化锌压敏电阻器的制造方法。研究了它的微观结构和导电机理，根据理论分析提出了改进元件性能的材料组分和工艺措施。     

低电压氧化锌压敏电阻器

叙述了压敏电阻器的特性、微观结构、导电机理。分析了实现低电压氧化锌压敏电阻器的方法——增大氧化锌半导体瓷晶粒直径和压制厚度很薄的氧化锌半导体瓷片。探讨了低压氧化锌独石型、薄膜体型压敏电阻器的主要特性和其制造工艺的关键技术。     

提高ZnO压敏电阻器电性能的研究

采用sol-gel法制备了复合纳米添加剂。将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。通过粒度测试,分析了复合纳米添加剂的粒径大小;借SEM分析了电阻器的微观形貌,并测试了电阻器的电性能。结果表明:添加剂的粒径集中在100nm以下,用该添加剂制成的电阻器微观结构更均匀,其8/20μs通流能力达2500A,2ms方波能量耐受能力达46J。     

高性能片式多层氧化锌压敏电阻器材料研究

对非Bi系氧化锌压敏电阻材料进行了系统研究。研究结果表明:在ZnO基体材料中,添加适量PbO、Co2O3、Cr2O3、MnO2、ZrO2、TiO2、Sb2O3 、B2O3等非Bi系添加剂,采用传统陶瓷制备工艺和合适烧结工艺,可获得a >50、IL<1 mA、烧结温度低于1 100℃的实用非Bi系氧化锌电阻瓷料。采用该瓷料,利用MLC工艺,选用Pd30/Ag70电极浆料,制作出V1mA<30 V、a >30、IL<1 mA的片式多层压敏电阻器。     

氧化锌压敏电阻器的应用

氧化锌压敏电阻器的主要功能是探测和抑制反复出现的浪涌电压及过电压而自身不会破坏。具有优良的非线性伏安特性，在稳态工作电压下漏电流很小（能耗低）。利用这些特性可制造各种半导体器件的过电压保护、电子设备的雷击浪涌保护、各种负荷开关的浪涌吸收、各种装置中的瞬间脉冲抑制等电子保护装置。     

片式ZnO压敏电阻器印叠工艺对通流容量的影响

通过印叠工序中,内电极烘干温度与烘干时间的试验,研究了它们对片式ZnO压敏电阻器通流容量的影响。结果表明:烘干温度与烘干时间分别为70℃与2~4h时,产品的通流容量最大。     

K+对ZnO压敏陶瓷电性能的影响

采用传统的陶瓷工艺,制备了ZnO压敏陶瓷。研究了K+掺杂量对ZnO压敏陶瓷电性能的影响。结果表明:当x(K+)小于40×10–6时,对其电性能几乎没有影响;但若x(K+)超过60×10–6后,由于K+在晶界和三角区的大量偏析,破坏了晶界层的稳定,导致其浪涌电流耐受能力严重劣化。     

sol-gel法制备ZnO薄膜压敏电阻

利用sol-gel法在镀有Au底电极的单晶硅片上,制备掺有Bi2O3、Co2O3、Cr2O3和MnO2的ZnO薄膜压敏电阻。薄膜由旋涂法制备,并在300℃下预处理、600℃退火。制得的ZnO薄膜结晶良好。膜厚约为1μm,ZnO薄膜压敏电阻的非线性系数为15.1,压敏电压为3.037 V,漏电流为43.25μA。     

MOCVD制备用于薄膜太阳电池的ZnO薄膜研究

利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)生长技术,采用二乙基锌(DEZ)作Zn源和H2O作O源,使用B2H6 为掺杂气体,制备出了光电特性稳定的低电阻率、高透过率的ZnO薄膜。制备条件为:衬底温度160 ℃,DEZ的流量为342μmol/min,H2O流量为500μmol/min,反应气压为5×133.32 Pa,B2H6 流量为5 sccm,掺杂手段为气体掺杂。在薄膜面积为10 cm×10 cm、厚度为550 nm时,方块电阻为40Ω/□。透过率>85%。     

Fast and Reversible Wettability Transitions on ZnO Nanostructures

Surface wettability is an important property of solid/liquid interfaces. Recently, the control of contact angle (CA) has been used to drive liquid droplets in micro- or nanosize channels on biochemical and environmental sensing chips, where a faster CA transition rate is desirable for the prompt control of liquid movement. We studied the CA between water droplet and zinc oxide (ZnO) nanotips grown by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). ZnO was grown as epitaxial films on r-plane sapphire, or as vertically aligned nanotips on various substrates, including silicon, c-plane sapphire, and glass. It is demonstrated that by using ultraviolet (UV) illumination and oxygen annealing, the CA on ZnO nanotips can be changed between 0° and 130°, whereas the CA on the ZnO films only varies between 37° and 100°. The fast transition rates also have been observed. (Received October 16, 2006; accepted January 23, 2007)     

低压高温退火对Ag掺杂ZnO薄膜性质的影响

采用电子束蒸发在n-Si(100)衬底上沉积Ag掺ZnO(ZnO:Ag)薄膜,随后在200 Pa的O<,2>气氛下分别在500、600、700和800℃退火4 h.用X射线衍射(XRD)仪、荧光光谱仪以及Van der Pauw方法测量ZnO:Ag薄膜的结构和光电学性质.结果表明,ZnO:Ag薄膜为多晶结构,且随着退火...     

Si衬底的氮化处理对ZnO薄膜质量的影响

用氮化处理的方法对Si衬底的表面进行钝化,外延生长出高质量的ZnO薄膜。ZnO薄膜的质量通过X 射线(XRD)、阴极射线(CL)谱和光致发光(PL)谱来表征。氮化的作用主要表现在生长ZnO薄膜的XRD的半高宽由未经氮化的0.25°;减小为经氮化后的0.20°,CL谱的紫外发光增强,深缺陷发光变弱。这说明,在ZnO外延生长前,对Si表面的氮化是一种提高其质量的有效方法。并对氮化处理提高ZnO薄膜质量的机理进行了探索。