用氧化镉(CdO)做宽发射区的磷化铟平面型扩散晶体管

本文提出了一种新型的异质结双极型晶体管.该管的收集区和基区由磷化铟材料做成.和硅平面晶体管类似,管子的基区采用一般的氧化层(Al_2O_3)掩蔽扩散工艺(在这里是锌扩散).而管子的发射区则采用溅射氧化镉簿层的方法形成,因而管子的结构是平面型的.氧化镉是一种宽禁带(Eg=2.3eV)的N型半导体.氧化镉和磷化铟组成了晶体管的宽发射极.本文介绍了制管工艺.给出并分析了晶体管的伏一安特性.初步结果是:晶体管共发射极电流增益h_f_a=10(I_C=50mA,V_(cr)=15V).发射极一收集极间的击穿电压BV_(CED)=30V.这种晶体管及其工艺为InGaASP/InP器件及其光电集成制作提供了一条可能的新途径.     

GaAlAs/GaAs宽禁带发射极异质结微波双极型晶体管的设计制造和性能

本文比较详细地叙述了GaAlAs/GaAs宽禁带发射极异质结微波双极型晶体管的设计原理、制作工艺和实验结果。在叙述原理时着重于与Si微波功率管的对比,并将实验结果和理论值进行了对比和分析,指出了进一步改进高频性能的途径。已经得到的初步实验结果为:击穿电压BV_(ceo)=80V,l_(cmax)=200mA(发射结面积为A_B=2×10~(-4)cm~2),电流增益h(fe)=20～300,最大振荡频率f_(max)=1.2GHz,特征频率f_T=2.0GHz(V_(ce)=20V,I_c=20mA),实测到的温度-电流增益h_(fe)曲线说明晶体管的工作温度可高达350℃。     

透明CdO膜发射区InGaAs光电晶体管

研制出一种新型的InGaAs光电晶体管。其发射区采用导电率高(σ=5×10~3Ω~(-1)cm~(-1))禁带宽(E_g(Γ)=2.5eV)的氧化镉(CdO)透明膜,形成宽发射区。测试结果表明,该管具有较宽的波长响应(λ=0.5～1.6μm),共发射极电流增益h_(fe)为10(V_(CE)=3V,I_C=1mA)。并对发射结的伏安恃性、h_(fe)-I_C及暗电流等进行了讨论。     

用氧化镉(CdO)为发射区的InGaAsP/InP双异质结晶体管

本文提出和研制了一个新型的InGaAsP/InP双极型晶体管.在单片集成电路中它能与1.55μmInGaAsP/InP双异质结激光器共容而组成一个晶体管-激光器器件.该晶体管的主要特点是采用氧化镉(CdO)薄层作为器件发射区,由InP组成收集区而形成NpN双异质结晶体管.测量结果表明晶体管能双向工作,测得的正向共发射极电流增益为40(V_(CE)=5V,Ic=1mA),反向增益为8(V_(CE)=1.5V,Ic=100μA).文中还给出了h_(fe)—I_c特性和晶体管CdO-InGaAsP发射结的伏安特性.     

Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究

本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n~+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10~(14)Scm~(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管.     

硅低频大功率管制造中出现EB结软击穿问题的讨论

在3DD15、D7312、DD03等一类硅低频大功率管技术参数中,有一项重要的直流参数,即发射结反向击穿电压BV_(EBO)。EB结反向特性的硬、软和高低,直接影响交、直流讯号的正常放大,按技术指标的规定,一般均要求BV_(EBO)≥5V(测试条件I_B=1mA)且呈硬击穿。根据3DD15、DD03、D7312等一类低频大功率管的工艺结构设计,为了保证器件在大电流工作时也有同样足够的电流放大系数以及有较高的BV_(EBO)、BV_(CEO),我们选取基区浓度N_D=(1～5)×10~(18)cm~(-3),N_(e)=1×10~(21)cm(-3),X_(ic)≈30μm,X_(ie)=15～20μm,实际制得的管子EB反向击穿电压BV(EBO)均能达到12V以上,且     

稳压性能优良的升压转换器

两个8脚IC组成的稳压器电路可把锂电池的3V输出电压转换成5V,并提供高达100mA的负载电流(见附图).它不靠电感器和变压器工作,静态消耗电流仅为200μA.当输入电压V_(in)=3V时,如果带100mA负载,其效率为81%;如果带20mA负载,其效率为84%.它的效率能随V_(in)的降低而增加.比如,当V_(in)=2.7V(该电池在大部分工作寿命期间的负载输出电压)时,40mA负载电流的效率为90%.锂电池(Duracell公司2/3-A号电池DS123A)的输出电压用大电流充电泵IC1增加一倍.肖特基二极管D1用来保证该电路的启动.D1不会影响效率,因为在正常工作时负载电流不从中流过.IC2是线性稳压器,当负载电流     

一种用于超宽带接收机的低功耗高增益低噪声放大器

本文提出一种工作在3-5GHz的高增益低功耗的差分超宽带低噪声放大器.输入级采用共栅结构以获取宽带输入匹配,同时采用了电容交叉耦合和电流复用技术,从而可以在低功耗条件下获取高增益.采用0.18-um cmos工艺制作出来的样品的测试显示该低噪声放大器在4.4mA电流,1.8V电源功耗下的峰值功率增益为17.5dB,3dB带宽为2.8-5GHz,在4.5mW的功耗下的峰值增益为14dB(1.5V电源下3mA电流).该差分低噪声放大器的芯片面积包括测试pad在内为1.01平方毫米.     

TA7640AP型FM/AM中放检波集成电路

一、概要TA7640AP 是 FM/AM 中放、检波用的集成电路,适用于便携式、台式收音机与收录机。该电路内含二百多个元件,采用16引线双列直插塑料封装,其特点如下:1.工作电源电压低、范围宽:V_(cc)=3～8V2.消耗电流少:AM 时:7mA(典型值)FM 时:10mA(典型值)     

HA-1144图象中放电路的计算机分析(下)

二、计算机分析结果(续) (二)计算机分析结果 1.直流分析结果:直流输入数据中的电源、电阻参数见图1。直流分析时E_2、E_3均取0伏,E_2为外加增益控制电压,E_3为交流信号源。晶体管模型参数分为三类,T_3、T_4、T_8、T_9。作为第一类,横向PNP管T_(15)作为第三类,其余管子均作为第二类。三类管子的直流原始参数见表1,直流分析结果见表2。表2中给出了各个晶体管的集电极、基极、发射极电压,单位为伏,还给出了各个晶体管的基极、发射极电流,单位为毫安。其中T_(19)～T_(25)的集电极、基极相连成为二极管。表中每项均分两种情况:1表示原始输入数据情况(其中R_(12)=350欧,R_(13)=1.04千欧,R_(14)=510欧,R_(22)=520欧),2表示加大第一、第二级中放工作电流情     

超高频双差分对管DQ401

1.DQ401主要参数指标I_(CEO)≤0.1μA(V_(CE)=10V);BV_(CEO)≥20V(I_(CE)=1mA);BV_(CBO)≥25V(I_(CB)=10μA);BV_(EBO)≥5V(I_(EB)=10μA);β≥40(V_(CE)=6V,I_C=10mA,f_O=200MHz);(β_1-β_2)/β_2≤5%,V_(BE1)-V_(BE2)≤2mV(V_(CE)=6V,I_C=10mA);f_T≥1000MHz(V_(CE)=6V,I_C=10mA、f_O=200MHz);I_(CM)≥20mA(单管最大工作电流);P_(CM)≥100mW(单管功耗).     

实用电路

这个放大器具有极低的消耗功率(1.35V,4μA),低噪音(对10MΩ信号源阻折,等效输入峰峰噪音电压约10μV),输入阻抗高达10MΩ,电压增益高达2000等优点.这是为装在发射器中拾取脑和心电位而设计的.高输入阻抗,由采用微电流晶体管Tr_1工作在200nA左右来实现.选用2N4250是因为它在极低的电压和电流情况下,仍能保持高的增益(β约200),而且又是低噪音管子.Tr_1在小电流下,将使放大器的带宽限制到约5KC,这对生理学方面的应用是适宜的.输入阻抗主要决定于10MΩ偏流电阻.Tr_2和Tr_3达到增益要求.     

新型二维电子气Si/N~+α-Si:H异质结双极型晶体管

<正> 本文报道一种新型二维电子气异质结双极型晶体管(2DEG HBT)的实验结果。所谓2DEG HBT指的是采用宽禁带发射极材料的异质结双极型晶体管(HBT),由于发射结导带差等原因在异质结界面处形成二维电子气层,从而降低了对异质结界面态的要求,实现使用常规工艺来制作宽禁带发射极异质结晶体管。目前这一工作主要在硅材料上进行,利用重掺杂N型氢化非晶硅(N~+a-Si:H)作宽禁带发射极材料,在单晶硅上制作2DEG HBT。实验样管电流增益h_(FE)=120(V_(CE)5V,I_C=80mA),基区电阻5kΩ/□,表面浓度1.8×10~(18)cm~(-3)。     

InGaAs/InP微波双极型晶体管的研制

本文叙述双收集区NpnN型InGaAs/InP异质结双极型晶体管的实验结果.给出器件的击穿特性、开关特性.高频特性和温度特性.理论分析和实验结果表明,n型InGaAs第一收集区的厚度对晶体管的击穿特性和开关特性有重要影响.器件的击穿电压BV_(CE0)=20伏,贮存时间t_s=0.5ns(Ic=50mA,I_(B1)=10mA,回抽电流I_(B2)=0),f_T=1.2GHz(V_(CE)=6V,Ic=15mA).在77～433K范围内h_(fe)变化很小,在4K下h_(fe)≌1,并表现出强烈的俄立(Early)效应.     

准平面型InAlAs/InGaAs异质结双极晶体管和单片集成激光器驱动电路

提出和制作了准平面型InAlAs/InGaAs异质结双极晶体管。该管主要采用硅离子注入法在半绝缘磷化铟衬底中形成隐埋型集电区以代替台面型集电区。晶体管的实测结果如下:h_(fe)=100,f_T=10GHz(V_(CE)=3V,I_c=10mA)。作为单片光电集成方面的实例,研制成功了由三个InGaAs/InAlAsHBT和一个电阻组成的激光器驱动电路,其电流调制速率高达4Gbit/s。     

一种高增益低噪声CMOS混频器设计

设计了一种基于跨导互补结构的电流注入混频器,通过在吉尔伯特混频器电路的本振开关管源极增加PMOS管形成电流注入电路减小本振端的偏置电流,改善电路的闪烁噪声和增大电路的增益.采用SMIC 0.18μm标准CMOS工艺设计.在本振(LO)信号的频率为1.571 GHz,射频(RF)信号频率为1.575 GHz时,混频器的增益为17.5 dB,噪声系数(NF)为8.35 dB,三阶交调截止点输入功率(IIP3)为-4.6 dBm.混频器工作电压1.8 V.直流电流为8.8 mA,版图总面积为0.63 mm × 0.78 mm.     

中功率GaAs双极晶体管

用GaAs做双极晶体管时,它的某些材料参数优于硅和锗,另一个优点是可利用GaAlAs/GaAs异质结晶体管的宽禁带发射极原理。目前已制出这样的双极晶体管并进行了测试。最大振荡频率f_(MAG)=2.2GHz,截止频率f_T=2.7GHz,这表明了管子的高频适用能力。而发射极-集电极击穿电压V_(CBO)≥～100V;最大集电极电流I_(Cmax)～300mA,为大功率应用的标志,晶体管的工作温度范围为—269℃～+350℃。双异质结NpN晶体管消除了共发射极结构的Npn宽禁带发射极Ga_(0.7)Al_(0.3)As/GaAs晶体管0.2V的导通电压。此种NpN晶体管能双向工作并有类似的电流增益,这是由宽禁带发射极原理和发射极-基极、集电极-基极异质结的对称性所致。与Npn GaAs晶体管比较,NpN GaAs晶体管的存贮时间t_s约等于Npn晶体管的一半。     

单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.     

单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型赝配高电子迁移率晶体管

优化了GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)的外延结构,有利于获得增强型PHEMT的正向阈值电压.采用光学接触式光刻方式,实现了单片集成0.8μm栅长GaAs基InGaP/AlGaAs/InGaAs增强/耗尽型PHEMT.直流和高频测试结果显示:增强型(耗尽型)PHEMT的阈值电压、非本征跨导、最大饱和漏电流密度、电流增益截止频率、最高振荡频率分别为0.1V(-0.5V),330mS/mm(260mS/mm),245mA/mm(255mA/mm),14.9GHz(14.5GHz)和18GHz(20GHz).利用单片集成增强/耗尽型PHEMT实现了直接耦合场效应晶体管逻辑反相器,电源电压为1V,输入0.15V电压时,输出电压为0.98V;输入0.3V电压时,输出电压为0.18V.     

平面型磷化铟双极型晶体管

<正>本文提出并制成一种平面型InP双极型晶体管.其基区采用Zn扩散,发射区采用Si离子注入,结果表明晶体管的共发射极电流增益h_(FE)=20,器件可在很小电流下工作(I_C=1μA,h_(FE)=5).由于器件结构和工艺类似Si平面晶体管,预计它可广泛应用于InP高速电路和光电单片集成电路.