NH_3－氮化N_2O~－生长氧化物的MOS特性

ＮＨ＿３－氮化Ｎ＿２Ｏ￣－生长氧化物的ＭＯＳ特性＝ＭＯＳｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＮＨ＿３ｎｉｔｒｉｄｅｄＮ＿２Ｏ￣－ｇｒｏｗｎｏｘｉｄｅｓ［刊，英］／Ｙｏｏｎ，Ｇ，Ｗ．…／／ＩＥＥＥＥｌｅｃ－ｔｒｏｎＤｅｖｉｃｅＬｅｔｔｅｒｓ．１９９３，１...     

热氮化对SiO_2／Si界面辐照加固强度的影响

热氮化对ＳｉＯ＿２／Ｓｉ界面辐照加固强度的影响＝Ｅｆｆｅｃｔｓｏｆｔｈｅｒｍａｌｎｉｔｒｉｄａｔｉｏｎｏｎｔｈｅｒａｄｉａ－ｔｉｏｎｈａｒｄｎｅｓｓｏｆｔｈｅＳｉＯ＿２／Ｓｉｉｎｔｅｒｆａｃｅ［刊．英］／ｄｅ－ｃａｓｔｒｏ，Ａ．Ｊ．…∥Ｊ．Ａｐｐｌ．...     

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中SiO_2和SiO_2－Si界面的损伤

反应离子刻蚀引起的多晶硅过腐蚀中ＳｉＯ＿２和ＳｉＯ＿２－Ｓｉ界面的损伤＝ＲｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｉｎｄｕｃｅｄｄａｍａｇｅｔｏＳｉＯ＿２ａｎｄＳｉＯ＿２－ＳｉｉｎｔｅｒｆａｃｅｉｎｐｏｌｙｃｒｙｓｔａｌｌｉｎｅＳｉｏｖｅｒｅｔｃｈ［刊，英...     

钨在SF_6／O_2射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究

钨在ＳＦ＿６／Ｏ＿２射频等离子中的反应离子刻蚀动力学研究＝ＡｋｉｎｅｔｉｃｓｔｕｄｙｏｆｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆｔｕｎｇｓｔｅｎｉｎＳＦ＿６／Ｏ＿２ＲＦｐｌａｓｍａｓ［刊，英］／Ｐｅｉｇｎｏｍ，Ｍ．Ｃ．…／／Ｊ．Ｅｌｅｃｔｒｏｃｈｅｍ...     

反应离子刻蚀引起的SiO_2电特性辐射损伤评估

反应离子刻蚀引起的ＳｉＯ＿２电特性辐射损伤评估＝Ｅｖａｌｕａｔｉｏｎｏｆｒａｄｉａｔｉｏｎｄａｍａｇｅｏｎｅｌｅｃ－ｔｒｉｃａｌｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｏｆＳｉＯ＿２ｄｕｅｔｏｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｔｓｕａｋａｍｏｔｏ...     

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀SiO_2的干法光刻

采用聚焦离子束注入和反应离子刻蚀ＳｉＯ＿２的干法光刻ＤｒｙｌｉｔｈｏｇｒａｐｈｙｕｓｉｎｇｆｏｃｕｓｅｄｉｏｎｂｅａｍｉｍｐｌａｎｔａｔｉｏｎａｎｄｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇｏｆＳｉＯ＿２［刊，英］／Ｃｈｏｑｕｅｔｔｅ，Ｋ．Ｄ．…　∥Ａｐｐ...     

带液相淀积SiO_2栅绝缘体的低温处理多晶硅薄膜晶体管的性能和关态电流机理

带液相淀积ＳｉＯ＿２栅绝缘体的低温处理多晶硅薄膜晶体管的性能和关态电流机理＝ｐｅｒｆｏｒｍａｎｃｅａｎｄＯｆｆ－ｓｔａｔｅｃｕｒｒｅｎｔｍｅｃｈａｎｉｓｍｓｏｆｌｏｗ－ｔｅｍｐｅｒａ－ｔｕｒｅｐｒｏｃｅｓｓｅｄｐｏｌｙｓｉｌｉｃｏｎｔｈｉｎ－ｆｉｌｍ...     

采用成品率模型技术设计3．3V800nV_（rms）噪声／增益程控CMOS麦克风前置放大器

采用成品率模型技术设计３．３Ｖ８００ｎＶ＿（ｒｍｓ）噪声／增益程控ＣＭＯＳ麦克风前置放大器＝Ａ３．３－Ｖ８００－ｎＶ＿（ｒｍｓ）ｎｏｉｓｅ，ｇａｉｎ－ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅＣＭＯＳｍｉｃｒｏｐｈｏｎｅｐｒｅａｍｐｌｉｆｉｅｒｄｅｓｉｇｎｕｓｉｎｇｙ...     

KNbO_3：Rb光折变晶体中的电子－空穴竞争

ＫＮｂＯ＿３：Ｒｂ光折变晶体中的电子－空穴竞争张治国ＤｉｎｇＹＥｉｃｈｌｅｒＨＪ（ＯｐｔｉｃａｌＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙｏｆＢｅｒｌｉｎ，Ｓｉｒ．ｄｅｓ１７．Ｊｕｎｉ１３５，１０６２３Ｂｅｒｌｉｎ，Ｇｅｒｍａｎｙ）傅...     

单晶硅中特浅BF_2和As注入的实验观察和模拟

单晶硅中特浅ＢＦ＿２和Ａｓ注入的实验观察和模拟＝Ｅｘｐｅｒｉｍｅｎｔａｌｏｂｅｅｒｖａｔｉｏｎｓａｎｄｍｏｄｅｌ－ｉｎｇｏｆｕｌｔｒａ－ｓｈａｌｌｏｗＢＦ＿２ａｎｄＡ＿ｓｉｍｐｌａｎｔｓｉｎｓｉｎｇｌｅ－ｃｒｙｓｔａｌｓｉｌｉｃｏｎ［刊，英］／Ｔａｓ...     

智能化脉冲和连续CO_2激光治疗系统

智能化脉冲和连续ＣＯ_２激光治疗系统曲世浦，吴磊，郑庭康，贾锋，范静逸，关奕奕（上海激光技术研究所２００２３３）关键词超脉冲，智能化，ＣＯ＿２激光ＩｎｔｅｌｌｅｃｔｕａｌｉｚｅｄＰｕｌｓｅａｎｄＣＷＣＯ＿２ＬａｓｅｒＴｒｅａｔｍｅｎｔＩｎｓｔｒｕｍｅ?..     

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光SiO_2／p－Si结构中硅衬底的电特性

磁增强或者常规反作用离子刻蚀曝光ＳｉＯ＿２／ｐ－Ｓｉ结构中硅衬底的电特性＝Ｅｌｅｃｔｒｉｃａｌｃｈａｒ－ａｃｔｅｒｉｚａｔｉｏｎｏｆｔｈｅＳｉｓｕｂｓｔｒａｔｅｉｎｍａｇｎｅｔｉｃａｌｌｙｅｎ－ｈａｎｃｅｄｏｒｃｏｎｖｅｎｔｉｏｎａｌｒｆａｃｔｉｖｅ...     

极薄SOI MOSFET的2维解析模型

极薄ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ的２维解析模型＝Ｔｗｏ－ｄｉｍｅｎｓｉｏｎａｌａｎａｌｙｔｉｃｍｏｄｅｌｉｎｇｏｆｖｅｒｙｔｈｉｎＳＯＩＭＯＳＦＥＴ＇ｓ／［刊，英］／Ｊａｓｏｎ，Ｃ．Ｓ…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ－１９９０．３７（９）．－１９...     

Silicon-on-insulator 1×2 Y-junction Optical Switch Basedon Waveguide-vanishing Effect

Ｓｉｌｉｃｏｎ－ｏｎ－ｉｎｓｕｌａｔｏｒ１×２Ｙ－ｊｕｎｃｔｉｏｎＯｐｔｉｃａｌＳｗｉｔｃｈＢａｓｅｄｏｎＷａｖｅｇｕｉｄｅ－ｖａｎｉｓｈｉｎｇＥｆｅｃｔ①②ＺＨＡＯＣｅｚｈｏｕ（Ｍｉｃｒｏｅｌｅｃｔｒｏｎ．Ｉｎｓｔｉｔｕｔｅ，ＸｉｄｉａｎＵｎｉｖｅ...     

耗尽态SIMOX MOS晶体管的低频噪声

耗尽态ＳＩＭＯＸＭＯＳ晶体管的低频噪声＝Ｌｏｗ－ｆｒｅｑｕｅｎｃｙｎｏｉｓｅｉｎｄｅｐｌｅｔｉｏｎ－ｍｏｄｅＳＩＭＯＸＭＯＳｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ［刊．英］／Ｅｌｅｗａ，Ｔ．…∥ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．ＥｌｅｃｔｒｏｎＤｅｖ．－１９９１．３８（２）．－３...     

新型陶瓷刀具材料JX－2－Ⅰ组合增韧补强机理的实验研究

本文研究了新型陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ／ＳｉＣｗ）的力学性能，同Ａ（Ａｌ＿２Ｏ＿３）、ＡＰ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｐ）、ＡＷ（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）和Ｊｘ－１（Ａｌ＿２Ｏ＿３／ＳｉＣｗ）材料相比，ＪＸ－２－Ⅰ具有较高的抗弯强度（σ＿（ｂｂ））和断裂韧性Ｋ＿（Ｉｃ）；研究结果表明，在ＪＸ－２－Ⅰ陶瓷刀具材料中确实存在增韧补强的协同作用，陶瓷刀具材料ＪＸ－２－Ⅰ的主要增韧机理是界面解离、裂纹偏转和晶须拔出。     

Ce_xSi_（1－x）应变层的电和光带隙

Ｃｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）应变层的电和光带隙＝ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌａｎｄｏｐｔｉｃａｌｂａｎｄｇａｐｓｏｆＣｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｔｒａｉｎｅｄｌａｙｅｒｓ［刊，英］／Ｊａｉｎ，Ｓ．Ｃ．…ＩＥＥＥＴｒａｎｓ．Ｅｌｅｃ．Ｄｅｖ．－１９９３，４０（１２）...     

Si／Ge_xSi_（1－x）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤

Ｓｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）结构中的高分辨率反应离子刻蚀及损伤＝Ｈｉｇｈ－ｒｅｓｏｌｕｔｉｏｎｒｅａｃｔｉｖｅｉｏｎｅｔｃｈｉｎｇａｎｄｄａｍａｇｅｅｆｆｅｃｔｓｉｎｔｈｅＳｉ／Ｇｅ＿ｘＳｉ＿（１－ｘ）ｓｙｓｔｅｍ［刊，英］／Ｃｈｅ－ｕｎｇ．Ｒ．…...     

p型和n型硅中SF_6等离子刻蚀引起的电子缺陷

ｐ型和ｎ型硅中ＳＦ＿６等离子刻蚀引起的电子缺陷＝Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｄｅｆｅｃｔｓｉｎｄｕｃｅｄｉｎｐ－ａｎｄｎ－ｔｙｐｅｓｉｌｉｃｏｎｂｙＳＦ＿６ｐｌａｓｍａｅｔｃｈｉｎｇ［刊，英］／Ｂｅｌｋａ－ｃｅｍ，Ａ．…∥Ｊ．Ｖａｃ．Ｓｃｉ．Ｔｅｃｈｎｏｌ．...     

采用BF_2注入基区加快速热处理工艺的30GHzf_T亚微米双层多晶硅双极技术的工艺和器件特性表征

采用ＢＦ＿２注入基区加快速热处理工艺的３０ＧＨｚｆ＿Ｔ亚微米双层多晶硅双极技术的工艺和器件特性表征＝ｐｒｏｃｅｓｓａｎｄｄｅｖｉｃｅｃｈａｒａｃｔｅｒｌｚａｔｉｏｎｆｏｒａ３０－ＧＨｚｆ＿Ｔｓｕｂｍｉｃｒｏｍｅｔｅｒｄｏｕｂｌｅｐｏｌｙ－Ｓｉｂｉｐｏ...