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相似文献
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根据热膨胀原理,利用基于衰减全反射原理建立的CCD薄膜实时监控系统,提出了测量聚合物材料的玻璃化转变温度(Tg)的方法.用监测系统实时监测聚合物薄膜在升温过程中薄膜折射率及厚度的变化.实验结果发现薄膜的热膨胀系数β和温度相关的折射率dn/dT在升温过程中发生了突变,这个突变点所对应的温度就是聚合物薄膜的Tg.以掺杂型聚合物DR1/PMMA薄膜为例,给出了测量过程和实验结果,并检验了用该方法测量聚合物薄膜Tg的重复性和可靠性.  相似文献   

3.
光折变效应在高密信息存取介质、相位共轭器、全息图像加工、神经网络及协同记忆的模拟、畸变图像复原等方面具有广泛的应用前景。近年来,人们对光折变新现象、新材料的研究日益深入。1991首次报道了聚合物光折变性质,由于聚合物光折变材料具有高光学非线性,低介电常数,低成本易加工等优点引起人们的极大重视。特别是1994年,H波耦合系数高达220cm‘,四波混频衍射效率高达100%的掺杂型聚合物光折变材料的报道,使得聚合物先折变的研究进入了应用的前期研究阶段。我们以电荷输运聚合物聚乙烯基咏叹(PVK)为主体掺杂生色团2,5一二甲…  相似文献   

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聚合物光折变的研究进展   总被引:1,自引:1,他引:0  
崔一平  杨正名  韦钰 《中国激光》1994,21(5):403-408
近几年来, 人们在聚合物中观察到了光折变效应。与无机材料相比, 聚全物材料具有较大的电光响应、高的破坏阚值和低的介电常数, 并且容易加工成形。所以它显示出光明的应用前景。本文描述了聚合物光折变的研究方法, 并综述了迄今为止已经报道的理论和实验研究结果。  相似文献   

6.
用于全息和光学处理的光折变聚合物的进展光折变聚合物是一种新型的日益增长的光电子材料,近来引起基础研究以及光学处理和存储方面可能的技术应用的兴趣。光折变是在光学非线性材料中产生全息图(如光学折射率的空间调制)的一种特殊机制,其中光子激发电荷载体迁移,从...  相似文献   

7.
为了得到开路光折变聚合物中存在非相干耦合空间孤子对的结果,基于聚合物光折变效应的理论,证明了稳态开路条件下光折变聚合物中存在非相干耦合亮-亮、暗-暗、灰-灰和亮-暗光伏空间孤子对。 结果表明:孤子对是由两束偏振方向和波长都相同而且互不相干光耦合形成的。 孤子对两光束都能在光伏光折变聚合物中稳定传播。  相似文献   

8.
近10年来光折变光学取得了显著的进展,它已成为非线性光学领域的重要课题。本文首先扼要地介绍光折变效应及其产生的物理机制和几种基本的光折变现象,然后较详细地叙述两波混频过程。  相似文献   

9.
激光束之类强光可使非线性光学材料的光学性质发生变化,这种变化转而又影响光束通过这种材料时的光束特性。研究光与物质相互作用是非线性光学的课题,这种研究也包括二次谐波产生之类值得注意的效应。比如把红外激光脉冲(1064um波长)聚焦到磷酸二氢钾晶体,可以产生二次谐波(532um波长)的绿光脉冲。更一般地说,可用材料的非线性光学特性来控制相位、偏振态或光束的频率,它们还可用来存储和恢复信息或使光束偏转,使之在光纤信道之间传输光信息。随着通信等领域中光子技术的涌现(这里信息都进行编码和以光学方式输送或传输),对高…  相似文献   

10.
刘成有 《中国激光》2003,30(8):698-700
合成一种σ π共轭聚合物 poly(disilanylene 2 ,2′ bipyridine 5 ,5′ diyl)ruthenium (PDSBpy Ru) ,双光束耦合(2BC)、四波混频 (DFWM)及场致双折射实验等证明了该有机物的光导及光折变特性。由于铷化合物的金属与配位体间 (MLCT)电荷转移特性 ,使得该聚合物的光折变特性得以增强。实验测得双光束耦合增益系数为 30cm-1 ,四波混频实验测得光栅衍射率约为 1 0 %。  相似文献   

11.
An unexpected rapid anneal of electrically active defects in an ultrathin (15.5 nm) polar polyimide film at and below glass transition temperature (Tg) is reported. The polar polymer is the gate dielectric of a thin‐film‐transistor. Gate leakage current density (Jg) through the polymer initially increases with temperature, as expected, but decreases rapidly at Tg ? 60 °C. After ≈2 min at Tg, the leakage is reduced by nearly three orders of magnitude. A concomitant observation is that the drain current (Id)–gate voltage (Vg) hysteresis decreases with temperature, reaching zero at nearly the same temperature at which Jg collapses. As Jg drops further, the drain current hysteresis increases again but in the opposite direction. This combination strongly supports the interpretation of rapid defect annealing.  相似文献   

12.
Semiconducting donor–acceptor (D–A) polymers have attracted considerable attention toward the application of organic electronic and optoelectronic devices. However, a rational design rule for making semiconducting polymers with desired thermal and mechanical properties is currently lacking, which greatly limits the development of new polymers for advanced applications. Here, polydiketopyrrolopyrrole (PDPP)‐based D–A polymers with varied alkyl side‐chain lengths and backbone moieties are systematically designed, followed by investigating their thermal and thin film mechanical responses. The experimental results show a reduction in both elastic modulus and glass transition temperature (Tg) with increasing side‐chain length, which is further verified through coarse‐grained molecular dynamics simulations. Informed from experimental results, a mass‐per‐flexible bond model is developed to capture such observation through a linear correlation between Tg and polymer chain flexibility. Using this model, a wide range of backbone Tg over 80 °C and elastic modulus over 400 MPa can be predicted for PDPP‐based polymers. This study highlights the important role of side‐chain structure in influencing the thermomechanical performance of conjugated polymers, and provides an effective strategy to design and predict Tg and elastic modulus of future new D–A polymers.  相似文献   

13.
压力传感器芯片键合用低温玻璃焊料的研制   总被引:6,自引:0,他引:6  
研制开发了一种用于压力传感器芯片与 1 0 1玻璃基座相封接的三元系结晶性低温玻璃焊料 ,其基本成份为 Pb O:Zn O:B2 O3 =58:1 8:2 4 (% wt)。已用 DSC分析该玻璃焊料 ,显示在 51 0℃出现主晶相的熔化吸热峰 ,其开始熔化温度为 445℃。在硅芯片背面制备一过渡层 ,然后用此低温玻璃焊料将压力传感器芯片与玻璃基座封接在一起。封接温度为 530℃ ,低于铝硅合金相的低共熔温度 577℃。用这一封接技术制备的压力传感器有良好的技术性能 ,热漂移小且能耐沸水、耐油 ,耐 1 50℃热冲击。封接强度达 7MPa。  相似文献   

14.
采用普通陶瓷工艺,分别制备了不同ZnO-B2O3-SiO2(ZBS)玻璃掺量的Y3Fe5O12(YIG)和Y1.05Bi0.75Ca1.2Fe4.4V0.6O12(YBiCaVIG)铁氧体样品。分析了样品的物相组成、显微结构及磁性能。结果表明,ZBS玻璃能有效地降低YIG和YBiCaVIG陶瓷的烧结温度,当w(ZBS)=10%时,其烧结温度可分别降低到1 280℃和950℃,但XRD显示烧结体中分别出现少量SiO2和YFeO3(YIP)杂相,SEM显示样品的晶粒大小约2~4μm,气孔率偏高。添加ZBS玻璃后材料的饱和磁化强度4πMs下降,铁磁共振线宽ΔH增大,但由于烧结体晶粒较细,自旋波线宽ΔHk较大,可作为YIG大功率材料使用。  相似文献   

15.
环氧模塑料玻璃化温度(Tg)的测定方法及其影响因素   总被引:1,自引:0,他引:1  
通过使用动态力学机械分析仪(DMA)、差示扫描量热仪(DSC)、热机械分析仪(TMA)等不同的分析方法来表征环氧模塑料的玻璃化转变温度,讨论了测量方法、材料的化学结构、升温速度、频率以及后固化时间等因素对环氧模塑料玻璃化转变温度(Tg)的影响。实验结果表明,环氧模塑料的玻璃化温度性能不仅取决于环氧树脂的结构与性能、固化剂和添加剂的结构与性能,以及它们之间的配比,而且也取决于它的成型固化历程以及测试方法。  相似文献   

16.
MEMS器件封装的低温玻璃浆料键合工艺研究   总被引:1,自引:0,他引:1  
玻璃浆料是一种常用于MEMS器件封装的密封材料.系统研究了MEMS器件在低温下使用玻璃浆料键合硅和玻璃的过程.与大多数MEMS器件采用的玻璃浆料相比(烧结温度400℃以上),此工艺(烧结温度350℃)在键合完成后所形成的封装结构同样具有较高的剪切强度(封装器件剪切强度大于360 kPa),同时具有较好的气密性(合格率达到93.3%),漏率测试结果符合相关标准.结果表明,在保证MEMS器件封装剪切强度和气密性的同时,降低键合温度条件是可以实现的.  相似文献   

17.
李东生  王召巴 《红外》2006,27(11):38-41
介绍红外测温技术在浮法玻璃退火窑玻璃带温度场监控中的应用。设计了在线监控退火窑玻璃带温度系统,并对浮法玻璃退火窑玻璃带测温精度的影响因素及误差进行分析。  相似文献   

18.
魏磊  封容 《电子技术》2011,38(5):33-34
玻璃纤维广泛的应用在居民生活、工业和军事中,制造玻璃纤维需要将玻璃高温熔化,融化的温度需要控制在某一数值.文章主要介绍玻纤制造中温控系统的三种控制方案,针对每一种方案的原理和组成进行介绍,并分析各种方案的优缺点.  相似文献   

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