β-SiC晶须缺陷的HREM观察

用高分辨电镜(HREM)观察了β-SiC晶须的微观结构和缺陷,得到了分辨率为2(?)的高分辨象。结果表明,在β-SiC晶须中普遍存在层错,这些层错存在于(111)面和{111}面上。有些层错终止于晶体内部,形成Burgers矢量b=<111>α/3的Frank不全位错,此外还发现了晶须表面的生长附属物和晶须内的多重孪晶;分析了β-SiC晶须的长大机制。     

CaSO4表面吸附CH2O2机理的密度泛函研究

基于密度泛函理论的第一性原理优化了CaSO4 (100),(010)和(110)晶面结构,计算了晶面与CH2O2反应吸附能,得出(010)晶面能量最低,吸附最为稳定,发生了化学吸附.通过对CH2O2吸附方式的假设和计算,发现最佳吸附方式为CH2O2分子C=O结构中的氧原子被晶面(010)上的钙原子的垂直吸附,且为化学吸附.吸附机理主要表现为CH2O2中羧基的O原子的2p轨道和H原子1s轨道中的电子向晶体表面(010)上Ca原子的3d轨道发生了转移,从而形成杂化轨道.     

NTO结晶形貌的预测

采用修正的附着能(AE)模型预测了3-硝基-1,2,4-三唑-5酮(NTO)在真空和溶剂中的晶体形貌。研究了溶剂水、甲醇对重结晶晶体形貌控制的影响。结果表明,在真空中,NTO晶体的(100)和(001)晶面方向分子键合能量最低,是最重要的生长面,(010)晶面为极性生长面。受分子间氢键的影响,水中各晶面受抑制作用大小为(010)(100)(001),甲醇中为(010)(100)≈(001)。由NTO晶体附着能和对溶剂分子的吸附作用可知,真空中晶貌由晶面法线方向的分子键链强度决定,在水、甲醇中还受极性基团同溶剂分子形成氢键的强弱、方向控制。     

氧化镓晶体不同晶面的纳米力学性能

为了分析易解理的脆性氧化镓晶体的精密加工过程中材料去除机理,采用金刚石压头、G200型纳米压痕仪,分别对氧化镓晶体的(100)和(010) 2个主要晶面的纳米力学性能进行了试验研究。纳米压痕试验发现:2个晶面都有"pop-in"现象,首次出现pop-in的载荷分别为:4.31 m N和5.42 m N。通过变载荷纳米划痕试验和VK-X110激光显微系统观测,发现2个晶面都有"pile-up"现象,刻划过程中期均出现了塑性域加工特征,(100)和(010)晶面的塑性域加工切削深度范围分别是96.5～576.8 nm和84.6～421.6 nm。     

高温闪烁晶体Ce:YAlO3开裂现象的分析

对提拉法生长的Ce;YAIO3(简称为Ce：YAP)晶体的开裂现象进行了研究,认为引起开裂的主要内在因素是YAP晶体热膨胀系数的各向异性。研究了Ce：YAP晶体的[010],[101],[121]等几个主要方向在30～800℃范围内的热膨胀系数曲线。结果表明：沿[010]和[101]方向的膨胀系数相差最大。通过对晶体中热应力分布的计算,得出晶棱显露处为应力集中点,指出晶体容易产生开裂的方向是[010]和[101]。通过对晶体的显微形貌观察发现,晶体中存在微裂纹。晶体的各向异性热膨胀系数,晶体生长过程中大的温度梯度以及快的降温速率等是Ce：YAP晶体产生开裂的主要原因。     

《硅酸盐通报》声明

<正>近日发现有不法网站冒充我编辑部名义通过投稿系统收受稿件。《硅酸盐通报》的投稿邮箱是:gsyt123@126.com,我编辑部从未委托任何人或机构收稿,目前我们也没有开发新的投稿系统,请作者、读者谨记投稿邮箱,若欲来稿,稿件电子版直接发指定邮箱即可,若有疑问可来电咨询,以防上当受骗。如若投错,后果自负!地址:北京市朝阳区东坝红松园1号人工晶体研究院通报编辑部(100018)电话:010-65492963(主编室);010-65492968(编辑室)     

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RDX和HMX单晶的压痕断裂韧性

使用纳米压痕仪在HMX、RDX单晶表面进行压痕实验,并用不同压痕方程计算了单晶的断裂韧性.计算得到HMX晶体(010)面与RDX晶体(020)、(210)面间断裂韧性分别力0.092543、0.097387、0.10072 MPa·m1/2.结果表明,实验单晶的KIC值遵循Palmqvist系裂纹系统shetty方程,...     

基于纳米压痕的氧化镓不同晶面的蠕变特性

使用Berkovich压头,采用恒载荷法对氧化镓的(100)及(010)晶面进行纳米压痕试验,通过数据拟合获得氧化镓晶体的蠕变应力指数.单晶氧化镓(100)晶面的蠕变应力指数范围在15.5～27.8,(010)晶面的蠕变应力指数范围在46.1～63.4.纳米压痕法能够有效测量氧化镓的蠕变变形量;氧化镓的2个晶面均呈现了...     

偏光镜用压敏胶

<正>WO2 010 079 653(2010-07-15)。该压敏胶具有良好耐久性和防漏光性。液晶器件的结构包含有两基层之间的楔形液晶材料,偏光镜通过压敏胶层黏     

键合剂对HTPB与Al/Al2O3之间界面作用的分子模拟

采用分子动力学(MD)方法和COMPASS力场,研究了键合剂对丁羟推进剂中端羟基聚丁二烯(HTPB)与Al/Al2O3之间界面的吸附能与力学性能.结果表明,键合剂在Al2O3晶面的吸附能高于HTPB在Al2O3晶面的吸附能,而在Al晶面的规律并不明显.键合剂(TEA)与HTPB在Al2O3晶面吸附能远高于在Al晶面,Al2O3晶体(010)晶面高于 (001)晶面,Al晶体(001)晶面高于(011)晶面.两晶面中吸附能愈高,力学性能愈好.几种键合剂对吸附体系力学性能(弹性模量)的作用次序:TAZ＞TEA＞MAPO·HAC＞MAPO＞HX-752.     

氟金云母晶体生长机理

本文论述了氟金云母晶体从熔体中生长的机理。晶体平衡形是以(001)和(010)为界的近二维六方形。在近平衡稳定态下,氟金云母晶体平行于(001)面的生长为各向同性生长,宏观上表现出等温线型生长界面,垂直于(001)面的生长按二维成核的准沿面生长机理进行。与(001)面斜交的两晶体间界的非(001)面上的显微形貌,在一定程度上反映了固-液界面“生长态”,可以表现为非结晶学坎坷面及不规则台阶,(001)和(100)连续或断续台阶,半六边形生长层前沿及(001)平坦面。杂质效应引起其粗糙界面的小面化,小面为(15,5,3)和(201)类小晶面并形成近似以α轴为三重或六重对称轴的三方和六方生长锥,有时出现(100)和(310)显示面。其枝蔓晶形态受热输运控制。晶化热的释放和输运对定向生长速度及完整性有显著影响。     

《硅酸盐通报》在线投稿已正式开通

正《硅酸盐通报》投稿平台于2017年2月10号正式开通,以后优先网站投稿,公共邮箱将逐步退出使用,请各位专家、学者、通报支持者相互转告。地址:北京朝阳区东坝红松园1号人工晶体研究院《硅酸盐通报》编辑部电话:010-65492963(主编室)010-65492968、65493320(编辑室)传真:010-65494890投稿网站:http://gsyt.chinajournal.net.cn     

二硼化镁超导晶体的制备与形貌表征

利用镁助熔剂法制备出六方片状的二硼化镁（MgB2）单晶,并通过扫描电子显微镜和金相显微镜对MgB2晶体形貌进行了研究。结果发现,（111）、（101）和（011）晶面的生长速率远远大于（1-10）、（100）和（010）晶面生长速率,即晶体沿口或6轴的生长速率明显很大,而沿c轴的生长速率很小,甚至随着晶体生长并未发生变化。在MgB2单晶中首次观察到{0001}晶面层的解理与石墨相似,对MgB2单晶的生长机制进行了讨论。     

层错结构对玻璃纤维/炭纤维混杂复合材料弯曲性能的影响

本文研究了某一位置的层错数目、多层错时的层错间距、炭纤维与玻璃纤维层数的比例等层错结构参数对玻璃纤维(GF)/炭纤维(CF)混杂复合材料弯曲性能的影响.结果表明:对于一定的混杂复合材料,弯曲强度随着某一位置层错数目的减少而增加;多层层错时,层错间距需达到某一临界值;炭纤维与外层玻璃纤维层数存在一个最佳比例.     

磷锗锌晶体生长与缺陷结构

采用水平双温区法批量合成了高纯ZnGeP2多晶,并用垂直Bridgman法生长出直径为40～50mm的高品质单晶。采用密度泛函理论分析了ZnGeP2晶体中可能存在的点缺陷对其近红外波段透光性的影响,认为V-Zn和Zn0Ge缺陷的影响最大。利用X射线衍射形貌术对晶体中存在的位错、层错、孪晶界、包裹体等微缺陷进行了分析,结果表明,温度场稳定性和固液生长界面形态是缺陷形成的主要因素。     

明代宣德青花黑点的形成

明代宣德青花的一个重要特征是在纹饰中有黑点,而且在黑点中存在一种长期能保持反光性强的物相。本文对黑点的形成作了研究。通过一系列的观察和分析发现: (1) 黑点的强反光性是由树枝状晶体产生。 (2) 黑点处的表面电阻率为1×10~(7～9)Ω·cm。 (3) 样品断面超薄片在显微镜下观察发现树枝状晶体不透光,反射色亮白。 (4) 树枝状晶体主要是由铁的氧化物——磁铁矿组成。 (5) 青花用色料含铁量高(Fe_2O_3/CoO在2～6之间),釉层较薄,厚度为0.29mm左右。 树枝状结晶的形成过程是:在烧成过程中,由于釉层较薄,堆积较厚的色料层容易被气泡带到釉面,产生黑点,烧成后在弱氧化气氛下,形成磁铁矿(Fe_3O_4)晶体。     

氧化石墨烯在水泥基体中的分散性及对其结构和性能的影响

为了解决氧化石墨烯(GO)纳米片层在水泥基体中的分散问题,制备了丙烯酸(AA)、丙烯酰氧乙基三甲基氯化铵(AAC)和丙烯磺酸钠(SAS)的共聚物(PAAS),PAAS与GO纳米片层形成PAAS/GO复合物并显示出分散作用。结果表明,w(PAAS)=2%分别与w(GO)=0.01%、0.02%和0.03%形成的复合物可使水泥基体分别形成由花状晶体、多面体状晶体和针状晶体构成的规整有序的微观结构,28 d时的抗折强度分别比对照样提高了63.0%、90.4%和87.9%,抗压强度分别提高了32.6%、74.2%和71.3%,同时这些水化晶体容易生长在裂缝、孔洞等缺陷处,具有修复结构缺陷的效果。PAAS通过与GO纳米片层形成复合物实现了GO在水泥基材料中的均匀分散以及对水泥基材料微观结构和性能的调控。     

新型亚磷酸铀的合成与表征

由于无机微孔晶体具有规则的孔道结构和丰富的结构类型,在吸附、分离、催化、主客体化学等领域的广泛应用,具有新颖结构的微孔晶体的合成一直备受关注。近年来,以假四面体的HPO3基团取代的四面体PO4基团构筑微孔晶体在超大孔微孔晶体的合成领域取得很多成果。ZZ-1的化学式为[C10H24N2][(UO2)2(HPO3)3].H2O,是以佛尔酮二胺为模板剂合成出的层状亚磷酸铀,其结构是由UO7五双角锥和HPO3假四面体连接形成的4,8元环的网络片层,这些片层的堆积形成了层状结构。层与层之间的嵌有顺式的异佛尔酮二胺阳离子和水分子。ZZ-1在266nm激光激发下发出强烈的绿光。     

氧化石墨烯对水泥基复合材料微观结构的调控作用及对抗压抗折强度的影响

通过氧化法制备得到氧化石墨烯(GO),通过GO与丙烯酸(AA)和丙烯酰胺(AM)进行插层聚合反应制备得到插层复合物GO/P(AA-AM)。检测结果表明,GO在插层复合物中具有较小的尺寸和均匀的分布,将GO/P(AA-AM)掺入水泥基复合材料中,发现水泥水化产物成为规整的针状、棒状或多面体状晶体,并且能够聚集形成具规整形貌的微观结构和宏观结构,水泥基复合材料中的裂缝及有害孔洞比对照样品明显减少,其抗压强度和抗折强度比对照样品有明显提高。提出了GO纳米片层对于水泥基复合材料规整结构的调控机理,认为GO纳米片层及活性基团能够促进水泥化产物形成规整形状的水化晶体,最初形成的水化晶体成为后续水化晶体形成的模板,通过晶体的生长最终形成规整水化晶体及规整的微观结构和宏观结构。