离子源的溅射特性及其对ZnS薄膜折射率的影响

在离子束辅助镀膜工艺中，离子源工作参数无疑是影响薄膜质量的关键因素。本文对宽速冷阴极离子源溅射特性进行了研究，给出了离子源引出电压与溅射速度的关系。同时研究了离子束对ZnS薄膜折射率的影响。     

硅的反应离子刻蚀工艺参数研究

对硅的反应离子刻蚀(R IE)工艺参数进行了研究.通过控制变量法,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线.结果表明,随着射频功率的增加,刻蚀速率不断增加;刻蚀速率开始随刻蚀气体压强的增加而加快,压强超过一定值时,刻蚀速率反而减小;刻蚀速率在刻蚀气体流量较小时,随气体流量的增加而加快,在较大的气体流量下反而降低.通过比较不同条件下的刻蚀结果,得到了刻蚀硅的优化工艺条件.最后用DEKTAK 6M型台阶仪测出了优化工艺条件下的刻蚀深度和粗糙度.测试结果表明在优化工艺条件下刻蚀速率快,粗糙度低.     

类金刚石薄膜的离子注氮研究

以25～35kV的高能离子束将离子化的双原子分子N+2注入非晶态碳膜,硬度可提高10GPa量级.分析研究表明:离子注氮并没有改变碳膜的非晶态结构,但所有拉曼结构参数发生变化,且碳、氮结合能峰位发生化学位移;显然注入的氮和碳形成化学键,并可能形成新相. 结论:类金刚石薄膜离子注氮可合成氮化的类金刚石,改变化学结构,提高机械性能.     

负折射率介质的电磁特性参数研究

为了研究负折射率介质的负折射率效应,构造了2种H型的单元结构.基于等效均匀介质理论,对2种H型的单元结构进行了分析.得到了这2种结构呈现负折射率效应时的电磁特性参数,包括相对波阻抗、折射率、相对介电常数和相对磁导率.比较得到的2组参数,发现透射率和负折射率频率区间的大小是在负折射率介质构造过程中需要同时考虑的2个方面.     

基于光学电负性二元玻璃折射率和密度的研究

采用熔融法制备R2O3-B2O3（R=Bi,Sb）二元玻璃,测量二元玻璃的折射率、密度和禁带宽度,并利用二元玻璃禁带宽度Eg计算玻璃的光学电负性,再用光学电负性计算R2O3-B2O3（R=Bi,Sb）二元玻璃的2个重要参数：折射率和密度.实验结果表明,计算数值和实验数值非常接近,为R2O3-B2O3（R=Bi,Sb）二元玻璃的非线性光学材料的设计提供了一个很好的参数.     

平板式去离子装置设计及试验研究

在设计强迫风冷封闭母线模型段，建立电晕离子源，设计平板式离子计数器的基础上，研制设计出大电流封闭母线平板式去离子装置模型，并测量了安装去离子装置前后离于密度的变化，对栅片式去离子装置的去离子效率进行了分析．     

不同工艺参数对金刚石薄膜齿轮制备的影响

金刚石薄膜是最具潜力的微机械结构功能材料之一,但其极高的硬度和化学稳定性使其难以被加工成型。本文采用反应离子刻蚀方法对金刚石薄膜进行了微齿轮结构的制作研究,制作出了厚度为5gin,模数为0．003的金刚石薄膜齿轮。实验结果表明,镍钛合金薄膜和光刻胶层作为金刚石薄膜刻蚀掩模,可以获得表面平滑、轮廓清晰、侧壁陡直的金刚石薄膜图形;O2及与Ar的混合气体对佥刚石薄膜图形化的刻蚀主要工艺参数如射频功率、工作气压、气体流量及反应气体成分等均对刻蚀速率和刻蚀界面形貌产生不同程度的影响。刻蚀中,当工作气压12Pa及气体流量50sccm稳定时,射频功率与刻蚀速率呈线性变化,但射频功率过高（大于135W）则掩模刻蚀生成物沉积在金刚石薄膜表面而发黑;对于给定的工艺条件下,金刚石薄膜的刻蚀速率并不强烈依赖于混合气体中氧气的含量。     

离子辅助沉积对 Nb2O5薄膜特性的影响

为了提高Nb2O5薄膜的聚集密度,改善氧化铌薄膜的光学特性和机械特性,采用霍尔源离子辅助沉积(IDA)技术在K9玻璃基板上制备了Nb2O5单层薄膜,并与常规沉积条件下制备的Nb2O5薄膜作了比较.由于IAD技术使Nb2O5膜的聚集密度提高了14%,膜层折射率从常规工艺的2.03上升到2.18,膜层的附着力和牢固度从常规工艺的1.0×107N/m2提高到129.7×107N/m2.     

多弧离子镀膜机（буиат—6）性能分析和工艺参数研究

分析研究了多弧离子镀膜机буиат－６ 的主要性能。在不同工艺参数条件下，于高速钢基体上制备了Ｔｉ膜和ＴｉＮ膜、用扫描电镜观察了Ｔｉ膜上小液滴颗粒成份进行测试分析；用超微负荷硬度；用表面刻划仪测试了ＴｉＮ膜与基体的附着力。     

离子液体辅助提取葡萄籽中原花青素的工艺研究

原花青素是最有效的天然抗氧化剂,具有清除自由基,防癌抗衰老,美容养颜的功效.以赤霞珠葡萄籽为原料,通过添加优选离子液体1-丁基-3-甲基咪唑氯盐([Bmim]Cl)的乙醇水溶液提取原花青素,考察了提取温度、提取时间、乙醇体积分数、液料比4个因素对原花青素提取效率的影响.根据单因素实验结果设计响应面实验,得到原花青素的最佳工艺参数.该工艺的开发为原花青素的工业生产提供参考.     

离子束辅助沉积非晶硅薄膜红外光学特性研究

为了得到非晶硅（a-Si）薄膜红外光学常数与工艺参数之间的关系,采用Ar离子束辅助电子束热蒸发技术制备a-Si薄膜,并利用椭偏仪和分光光度计测量了薄膜的光学常数,分析了薄膜沉积速率、基底温度和工作真空度对a-Si薄膜折射率和消光系数的影响.实验结果表明：影响a-Si薄膜光学常数的主要工艺因素是沉积速率和基底温度,工作真空度的影响最小.当沉积速率和基底温度升高时,薄膜的折射率先增大后减小;当工作真空度升高时,薄膜的折射率增大.在波长1~5μm之间,a-Si薄膜的折射率变化范围为2.47~3.28.     

氧分压对电弧源制备TiO2薄膜光学性能和表面形貌的影响

为了寻求更加有效的方法和途径来制备高质量的光学薄膜,以直流磁过滤电弧源（УВНИПА？1-001型等离子体镀膜机）技术作为制备方法镀制TiO2光学薄膜,通过在不同氧分压的条件下制备TiO2光学薄膜.利用椭圆偏振光谱仪研究TiO2薄膜的光学性能,TayloyHobson轮廓仪研究TiO2薄膜的厚度和表面形貌.研究结果表明：制备出的TiO2薄膜随着氧分压的不断提高,在400～1 000nm的波长范围内折射率变化较大,在1 000～1 600nm的波长范围内折射率变化较为平稳;其消光系数在10-3数量级上;TiO2薄膜的吸收较小;TiO2薄膜的厚度和粗糙度呈现出先增大后减小的趋势.在氧分压为1.0Pa时,薄膜的表面未观察到明显的孔洞、裂纹等缺陷,所制备的薄膜致密且稳定性较好.     

氧分压对TiO2薄膜光学性能的影响

为得到光学性能良好、稳定的TiO2薄膜,采用离子束溅射的方法,改变氧分压,在k9玻璃上制备出不同结晶取向不同光学常数的TiO2薄膜.采用椭圆偏振光谱仪测试、拟合得到薄膜的厚度、折射率和消光系数.薄膜通过400℃退火,利用X射线衍射仪(XRD)对薄膜的成分、结晶和取向进行分析.实验结果发现,随氧分压增加折射率减低,当氧分压达到1.0×10-2Pa时,折射率在2.43附近,变化趋于稳定.氧分压对薄膜的消光系数k影响较大,氧分压高于1.0×10-2Pa时在可见光和近红外区薄膜消光系数近似为0.随氧分压降低,薄膜从(101)向(200)转变.在此氧分压下,得到的薄膜折射率稳定,消光系数相对较小.     

About Thermophysical Properties of the Hollow Cathode

ＡｂｏｕｔＴｈｅｒｍｏｐｈｙｓｉｃａｌＰｒｏｐｅｒｔｉｅｓｏｆｔｈｅＨｏｌｌｏｗＣａｔｈｏｄｅＡｎｓｈａｋｏｖＡ．Ｓ．；ＣｈｅｒｅｄｎｉｃｈｅｎｋｏＶ．Ｓ．ＰａｖｌｅｎｋｏＬ．Ｋ．（ＮｏｖｏｓｉｂｉｒｓｋＳｔａｔｅＴｅｃｈｎｉｃａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔ...     

ZnS离子束抛光过程中的粗糙度演变

为了得到离子束抛光ZnS的工艺参数,采用微波离子源作为抛光源,分析了离子束能量、离子束流大小、离子束入射角度对ZnS刻蚀速率及表面粗糙度的影响,比较了ZnS刻蚀速率及表面粗糙度的变化趋势.研究结果表明:当离子束能量为400eV、离子束流大小为35mA、入射角度为45°时,ZnS表面粗糙度降低了0.23nm.     

中性束注入RF负离子源的发展及其特性研究

相对于灯丝源,RF源由于不需要维护现在已经成为灯丝源的一个令人感兴趣的替代品,IPP伽兴研究所对RF负离子源的大量的研究工作直接导致了ITER选择RF负离子源作为ITER堆中性束注入系统的离子源．这项工作使用三个实验装置：BATMAN、MANITU及RADI,这三个实验装置沿三条线平行的进行不同的研究．实验结果表明IPP的RF负离子源已经达到甚至超过了ITER的要求．     

气体压强对非晶InGaAs薄膜光学常数的影响

论述一种用透射谱包络线法计算非晶薄膜的折射率、消光系数和光学带隙的方法。通过正交实验确定除压强之外的工艺参数,研究压强的改变对薄膜主要光学常数的影响,运用最小二乘法、内插值法在matlab编程基础上,拟合出光学常数曲线,借由观察曲线的特点,分析在低工作气压下,气压的改变对光学常数的影响。     

非晶硅薄膜PECVD法制备与光学性质表征

在普通玻璃上采用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)方法制备氢化非晶硅薄膜,研究了在不同温度、压力、功率、H2/SiH4气体流量比等条件下氢化非晶硅的沉积速率,折射率、消光系数、吸收系数、光学禁带宽度等光学性质。实验结果表明非晶硅薄膜的折射率随着入射光波长的增加而减小;在500 nm处吸收系数高达8.5×104cm-1,光学禁带宽度在1.60—1.78 eV之间变化。     

电子束蒸发沉积TiO2薄膜结构及光学性能的研究

研究了工艺条件对电子束蒸发沉积在 K9玻璃上 Ti O2 薄膜的结构和光学性能的影响。正交试验结果表明 ,基片温度是影响薄膜光学常数的主要因素 ,制备 Ti O2 薄膜的最佳工艺参数为 :基片温度 30 0℃ ,工作真空 2× 10 - 2 Pa,沉积速率 0 .2 nm/ s。采用最佳工艺沉积在透明基片上的 Ti O2 薄膜在可见光区具有良好的透过特性 ,同时也得出了薄膜的光学带隙能 Eg=3.77e V。 SEM观察结果表明薄膜为柱状纤维结构 ,柱状纤维的直径在 10 0～ 15 0 nm之间