一种具有特殊层厚比例的铜／钼／铜电子封装复合材料的制备方法

本发明属于电子封装材料领域，主要应用于集成电路、激光器件等半导体领域中的金属封装行业，特别是涉及一种采用在钼板上电镀或喷涂铜层后的轧制工艺，制备具有特殊层厚比例的铜／钼／铜电子封装复合材料的方法。该方法包括表面处理、电镀或喷涂、退火、冷轧、后续处理5个步骤。本发明与现有技术相比具有生产工序简化，生产周期缩短，生产效率高，成本低的优点；     

电子封装用粉末冶金材料

本文阐述了电子封装材料的基本要求与状况，对传统封装材料Al2O3、BeO、SiC的制备工艺、性能指标进行了介绍，着重分析了新型电子封装材料A1N、W／Cu、Mo／Cu、SiC／Al的性能特点和粉末冶金制备工艺的最新研究进展。     

钼-铜／钨-铜复合粉末、其制备方法和应用

本发明涉及一种通过含金属-复合粉末、粘合剂和任选的陶瓷组分的体系经粉末注塑而制备金属和金属-陶瓷复合部件的方法，其中将所用的金属-复合粉末与粘合剂混合并在惰性气氛中与保护液体混合。本发明还涉及钼-铜复合粉末和钨-铜复合粉末，该粉末的一次颗粒的粒度基本上〈2μm，其氧含量〈0．8％（质量分数），并任选含陶瓷组分，     

轻质Si-Al电子封装材料制备工艺的研究

探讨采用传统粉末冶金方法制备轻质、高性能Si-50％Al(质量分数，下同)电子封装材料的可能性。研究了粉末粒度组成、压制压力、烧结温度对材料室温导热性和室温到200℃间热膨胀系数的影响。发现采用一定的粉末粒度组成，高压制压力、高温和适当的时间烧结能够获得综合性能较好的Si-Al复合材料。     

高孔隙钼铜复合材料铬化特点和性能

铝铜复合材料已广泛地用在与高温气流接触的条件下，尤其是作为等离子发生器多孔的电极间势片。在等离子发生器内使用含有氧化添加剂的惰性气体导致多孔电极间垫片的严重氧化耗损，因此必须提高其抗氧化性，提高抗氧化能力的途径之一就是气相铬化。本研究的目的是查明铬化制度（温度、保温时间）和钻铜复合材料的特征（孔隙度、成分）对材料的特点和性能的影响。利用尺寸为55mmXIommXIomm、孔隙度为30％～80％的柱状试样作为研究对象，它是由银粉（TY48叫9－36－80）、（20～30）Wt％电解铜（牌号为flMll）、（3～10）Wt％电解镍（牌号…     

铜基电子封装复合材料的回顾与展望

介绍了国内外铜基电子封装复合材料的性能、研究、生产现状以及存在的问题，同时展望了铜基电子封装材料的发展趋势。     

高温模锻对钨铜电子封装材料组织和性能的影响

采用高温熔渗法制备钨铜电子封装材料,在850℃下对该材料进行模锻,通过扫描电镜(SEM)观察材料的微观组织,并利用超声波块体扫描仪探测材料内部的孔隙分布情况,研究高温模锻对钨铜电子封装材料组织和性能的影响.结果表明:在850℃高温模锻能显著减少钨铜电子封装材料内部的孔洞缺陷,内部组织更均匀、致密.经1次高温模锻后,相对...     

一种高强度的二硅化钼复合材料及其制备方法

一种高强度的二硅化钼复合材料及其制备方法，二硅化钼复合材料的基体为Mo（Sil—xAlx）2，其中X处于0．025～0．300的范围之内。本发明是一种包含有80～95％（质量分数，下同）Mo（Sil—xAlx）2和5％～20％的蒙脱石制备成的复合材料。制备工艺为：原料的准备、二硅化钼复合材料的制备。本发明的优点在于所得材料具有较高的弯曲强度、断裂韧性和压缩强度。     

电子封装用高体积分数SiCp/Al复合材料的制备

采用粉末注射成形制备SiC预成形坯和Al合金无压熔渗相结合的工艺,用单一粒度的粉末成功地制备出了致密度为98．7%的60% SiCp/Al高体积分数复合材料．SEM分析表明,所制备的复合材料增强体和基体分布均匀,组织致密,热膨胀系数在100℃到400℃范围内介于(7．10-7．75)×10^-6K^-1之间,室温热导率为170W·m^-1·K^-1,能够完全满足电子封装的技术要求．     

新型高硅铝合金电子封装复合材料的研究进展

微电子集成技术的快速发展对封装材料提出了更高的要求。具有低膨胀系数、轻质化、较高导热率的新型Al-Si复合材料受到了广泛的重视。文章详细介绍了高硅铝合金电子封装材料的性能特点、制备方法以及研究现状,指出了高硅铝合金电子封装材料的发展方向。     

热压法制备Si-Al电子封装材料及其性能

采用真空热压烧结方法 ,制备了性能优异的Si Al电子封装材料。其热导率高于 110W·m- 1 ·K- 1 ,热膨胀系数从 5～ 10 μm·K- 1 可调控 ,密度低于 2 .5g·cm- 3。真空热压方法通过外界压力来克服非润湿状态下的毛细阻力 ,达到硅颗粒均匀分布 ,铝相呈连续网络状包裹的理想复合形貌组织。在铝熔点以上温度点进行的液相烧结均满足封装性能要求 ,且热压时间短、压力低。实验结果表明 :热膨胀系数主要由硅含量确定 ,一定的临界压力值则是影响材料组织及性能的关键参数     

Si-Al电子封装材料粉末冶金制备工艺研究

采用粉末冶金液相烧结工艺制备了Si-50％Al（质量分数)电子封装材料。研究了压制压力、烧结工艺对材料微观组织及性能的影响。结果发现：低温烧结时，随压制压力增大，材料密度呈上升趋势，而高温烧结时，材料密度较高且变化不大；增大压制压力不仅提高了材料的致密度，而且改善了界面接触方式，在一定范围内使得材料热导率提高，但压制压力过大时，则会导致Si粉出现大量的微裂纹等缺陷，界面热阻急剧上升，从而降低热导性能；适当提高烧结温度和延长烧结时间可以提高材料的热导率。     

金刚石/铜复合材料界面结合状态的改善方法

电子封装用金刚石/铜复合材料中金刚石颗粒与基体纯铜的界面不润湿,界面结合状态差。通过引入碳化物形成元素Cr,Ti,B等来改善两者界面结合状态,结果表明在铜基体中加入碳化物形成元素制备的复合材料比涂覆碳化物形成元素后金刚石颗粒制备的复合材料界面结合紧密,热导率高。而另一种改善界面结合状态的方法是在此基础上增大金刚石与基体之间接触面积。对比品级差异较大的破碎料金刚石与六八面体金刚石制备的复合材料的热导率性能发现,破碎料金刚石表面积的增大有利于更充分的发挥金刚石的导热性能,且原材料成本大大降低,此类材料也将有一定的应用空间;而针对细颗粒金刚石通过表面腐蚀方法来增大表面积,预计制备的复合材料热导率也会有不同程度地提高。     

石墨／有机钼润滑油剂的制备方法

本发明涉及一种由石墨／有机钼作为添加剂的机械润滑油剂的制备方法。石墨／有机钼润滑油剂的制备方法其特征是：重量百分比组分如下：石墨0．3％-10％、油溶性有机钼0．5％-15％、分散剂4％-6％、基础润滑油70％-95％；石墨采用微膨胀石墨；油溶性有机钼采用二烷基二硫代磷酸氧钼。     

微波快速熔渗制备钼铜复合材料

通过微波快速熔渗制备钼铜复合材料,探究预烧结骨架、熔渗起始位置及熔渗温度对熔渗效果的影响.结果表明,100 MPa压制生坯在1 400 ℃下常规烧结1.5 h具有理想孔隙率.当有氢氩气氛保护的情况下,底部渗铜可以使铜相分布更加均匀.在1 250 ℃下保温1 h微波熔渗后的钼铜复合材料即具有较优良的综合性能,和较均匀的显微结构.微波熔渗极大地缩短熔渗时间,可以节约生产能源和成本,是一种很好的加工方式.      

钼粉的制备方法

本发明涉及一种Mo粉的制备方法，包括将多钼酸铵在氨水中溶解后经结晶、煅烧、氢气还原和过筛等工序，在结晶时按每1000kg多钼酸铵加入60～450gKOH。采用本发明方法可使钼粉的筛上物大幅度的降低，实收率达95％。     

电子封接用钼铜材料的制备

通过扫描电镜、透射电镜及X射线衍射等对Mo-Cu复合粉末的粉末形貌、合金化程度及烧结后合金组织结构进行分析,研究了高能球磨后Mo-Cu材料的显微组织及其与陶瓷热膨胀性能匹配的关系。结果表明,采用高能球磨机械合金化和氢气气氛烧结工艺制备的Mo-Cu复合材料,相对密度在98%以上,在室温至700℃热膨胀系数与陶瓷差值在8%。     

金属陶瓷复合材料的主要制备方法

归纳和概括了金属陶瓷复合材料的主要制备方法,分析了其各自的特点和适用范围,以期对金属陶瓷复合材料的研究提供一定的参考。     

钼铜连续梯度功能材料的制备

通过自行设计的试验装置以及独特的加料系统,制备了具有连续梯度的Mo/Cu复合材料。经过样品截面体视图、金相组织、能谱扫描、密度、硬度、电导率、热导率等一系列检测分析表明,样品不但在厚度方向上Mo-Cu质量百分含量具有连续梯度,且没有明显的Mo-Cu结合界面,而且各种物理性能也存在着明显的梯度变化。这说明本文制备的样品符合连续梯度功能材料的要求,具有良好的应用前景。