美国国家半导体公司2004年专利创纪录

美国国家半导体公司宣布2004财政年度内该公司在美国取得221项产品发明及制造工艺创新技术的专利，这是该公司自1959年创办以来的历年最高纪录。美国国家半导体公司的专利中约有三分之一与模拟技术有关，这使该公司成为拥有最多注册专利模拟技术的半导体制造商。美国国家半导体公司拥有的专利技术包括制造工艺、芯片设计、封装、结构及其他重要的集成电路技术。     

面向工业应用的高电压模拟IC的芯片制造工艺

Analog Devices公司(位于美国马萨诸塞州Norwood)开发成功一种集高电压硅芯片、亚微米CMOS和互补双极型技术于一身的模拟芯片制造工艺,利用该工艺可生产出能够承受高达30V电源电压的元件——从而实现了性能的突破性提升,并降低了系统设计成本和功耗(功耗降幅高达85％),外壳封装尺寸也缩小了30％。这种被称为“工业CMOS(iCMOS)”的工艺有望造就一类新型高性能模拟元件,     

从全球视角看我国移动芯片发展

近年来,移动互联网的快速兴起及迅猛发展使得移动芯片成为全球集成电路产业发展的关键引擎,我国也概莫能外,并在此领域取得了较好基础,但未来转型升级的瓶颈依然存在.在梳理、对比、分析移动芯片产业发展现状、趋势及特色的同时,重点探讨我国移动芯片技术及产业发展的若干问题,并对我国未来发展提出相关建议.     

微电子所采用SiCMOS工艺在单通道超高速ADC芯片研制上取得进展

日前,中科院微电子所专用集成电路与系统研究室陈勇博士生在周玉梅、黑勇研究员的带领及巨浩等模拟设计人员的协助下,借助电子系统总体技术研究室测试仪器．采用SMIC0．18？mCMOS混合信号工艺自主研制的6bit 1．2GHz单通道超高速ADC芯片取得进展。     

2004年度100种热门产品

2004年度100种最佳产品覆盖范围包括体系结构和技术．其类别从模拟集成电路到多媒体以及测试测量工具，五花八门。这100种产品都是属于创新产品。值得一提的是，虽然厂商声称每年有好几千种新产品推出，EDN报道的也有好几百种，但是．真正引起读者关注的却是这100种产品。本文列出的是从今年推出的一大批产品中挑选出来的。您在计算机上点击产品名称就可阅读到描述该产品特性的文章的全部内容。     

2004年度国家广播电影电视总局电视节目技术质量奖(金帆奖)评奖结果

国家广播电影电视总局2004年度电视节目技术质量奖(金帆奖),经过专家委员会评审,科技司审核,报总局批准,现将结果予以公布。     

IR2161被美国电子产品杂志社评为2004年度优胜产品

2005年1月美国加里福尼亚ELSEGUNDO讯，国际整流器(IR)公司生产的照明控制集成电路——IR2161型卤灯电子变压器专用智能半桥驱动器被美国《电子产品》杂志社(位于纽约州公园市)评为2004年度优胜产品，优胜产品名单刊登在《电子产品》杂志2005年1月刊上。该杂志社依照各种产品在技术、应用、设计、价格和性能等方面的重大进展每年评选一次优胜产品。     

国家科技重大专项产业技术创新联盟成立

为加快国家科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”的组织实施,探索创新机制,引导产业发展,“中国集成电路封测产业链技术创新联盟”近日在京成立。这是16个国家科技重大专项中成立的首个产业技术创新联盟。     

加强技术创新和标准制定--信息产业部科技司2004年工作重点

2004年对我国信息产业来说是至关重要的一年，信息产业作为我国基础产业、支柱产业和先导产业，必须实现由电子大国、电信大国向电子强国、电信强国的转变。在实现这个目标的过程中，作为行业主管部门的信息产业部，如何把全国信息产业工作会议对全行业的工作部署落到实处，为行业发展创造良好的政策环境和公平公开、有效有序的市场竞争环境，成为今年工作的重中之重。5月2日，信息产业部在北京召开了“2004年电子信息产业重点工作通报会”，部机关各司局主要领导向各省市信息产业主管部门和企事业单位通报各司局今年的重点工作，进行了工作交流和信息沟通。会上，信息产业部副部长娄勤俭指出，作为行业主管部门，信息交流必须“超前一步”，对信息的发布要更加充分、透明和及时，以便各级行业主管部门和企事业单位对行业发展的各项方针政策更加清晰，今后，信产部将加强政策规划指导，增强产业整体实力。现摘登科技司副司长韩俊做的信息产业部科技司2004年工作重点报告的部分内容。     

2004年亚洲地区集成电路设计公司的销售额预期增长39％

环球资源Global Sources Ltd．前不久公布每年一度在中国大陆和台湾地区及首次在韩国进行的有关集成电路(IC)设计公司营运情况的调查报告结果。     

大唐移动荣获“2004年中国移动通信设备市场年度非凡成就企业”奖

2005年3月18日，由信息产业部电子信息中心和中国电子信息产业发展研究院(赛迪集团)主办的“2005中国通信市场年会”在北京召开。大唐移动荣获“2004年中国移动通信设备市场年度非凡成就企业”奖。     

3D NAND结构的纳米芯片技术

3D垂直结构为降低制造成本提供了一条有效途径,同时亦不用依赖极远紫外光刻(EUV)技术。3D垂直结构对制造过程(新材料属性)和设备(精确到原子层控制)提出了严格的要求,一旦攻克这些技术难关,相信3D垂直结构的应用指日可待。     

国内首个企业技术创新中心成立

近日,为推动国产芯片产业化,促进芯片与整机联动,工业和信息化部软件与集成电路促进中心（CSIP）正式启动国家集成电路公共服务平台技术创新中心的试点工作,并与卡美欧通讯有限公司联合成立了国内首个企业技术创新中心。     

一种应用于脉冲超宽带接收机的高增益LNA

基于SMIC 0.13 μm CMOS工艺,设计了一种应用于脉冲超宽带无线通信系统接收机的高增益低噪声放大器(LNA)。该LNA工作在6~9 GHz频段,单端输入,差分输出,采用电容交叉耦合与电流复用技术提高了增益,实现了低功耗性能。仿真结果表明,LNA电路工作在7.5 GHz中心频率时,增益高达46 dB,噪声系数为3.05 dB,输入端回波损耗为－12.5 dB,输出端回波损耗为－16.7 dB,在1.2 V电源供电下的核心消耗功耗为16 mW,核心电路面积仅为0.5 mm²。     

Axiom Microdevices的CMOS功放为手机制造商提供了优秀的射频方案

Axiom Microdevices目前展示了该公司屡获殊荣的互补金属氧化物半导体功率放大器（CMOS PA）技术。通过开拓性的集成电路技术创新，Axiom Microdevices利用其专利技术为手机制造商提供了一种替代传统砷化镓功率放大器的解决方案，高度集成化的CMOS PA单芯片技术避免了复杂而昂贵的多芯片模块技术，从而确保客户可从CMOS的各项优势中获得诸多好处，包括集成度提高、供应的连续性、可扩展性、功耗和成本的降低。     

CMOS功放欲颠覆传统技术

Axiom Microdevices近日展示了互补金属氧化物半导体功率放大器（CMOSPA）。通过开拓性的集成电路技术创新，AxiomMicrodevices利用其专利技术为手机制造商提供了一种替代传统砷化镓功率放大器（GaAsPA）解决方案。     

2004年度中国十大半导体企业统计结果

为全面总结2004年国内各有关半导体企业所取得的成绩，中国半导体行业协会，中国电子信息产业发展研究院依据参加半导体行业统计企业的上报数据，分别排出了2004年度中国集成电路设计、集成电路和分立器件制造和封装测试领域的前10大企业。     

Axiom Microdevices推出MOS功放

日前,Axiom Microdevices展示了该公司屡获殊荣的互补金属氧化物半导体功率放大器（CMOSPA）技术。通过开拓性的集成电路技术创新,Axiom Microdevices利用其专利技术为手机制造商们提供了一种替代传统砷化镓功率放大器（GaAs PA）的解决方案,高度集成化的CMOSPA的单芯片技术避免了复杂而昂贵的多芯片模块技术,从而确保客户可从CMOS的各项优势中获得诸多好处,包括集成度提高、供应的连续性、可扩展性、功耗和成本的降低。     

芯原发布针对中芯国际0．15μm（G／LV）工艺技术的标准单元库

业界领先的系统级芯片智能模块供应商芯原微电子，10月10日正式发布针对中芯国际集成电路制造有限公司(中芯国际)0．15μm一般性和低压CMOS工艺的标准设计平台。该标准平台包括标准单元库(standard cell library)，输入/输出单元库(I／O cell library)和单/双口静态存储器(single port and dualport SRAM)的存储器编译器，