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深冷处理后CuCr真空触头材料的组织性能研究 总被引:6,自引:0,他引:6
CuCr50真空触头材料经深冷处理后,抗电弧烧蚀性能明显提高。本文利用电子探针、能谱、显微硬度测试等手段,对CuCr50合金深冷处理前后的显微组织和性能进行了对比分析。结果表明:CuCr50合金深泠处理后,显微孔洞明显减少,Cu基体孪晶增多,表面出现弥散分布的细小Cr颗粒。说明在深冷过程中,显微孔洞焊合,致密性增加,Cu基体的纯度增加,电级导热性、导电性随之增加。这种组织与性能的变化使真空开关的抗电弧烧蚀能力及开断能力得到较大改善。 相似文献
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提高铜铬触头电寿命研究 总被引:4,自引:0,他引:4
对铜铬触头材料进行-196℃深冷处理的研究表明,经此处理后的铜铬材料,组织明显细化,铜铬分布更趋于均匀,机械强度得以提高。在可拆真空灭弧室中进行电实验,证明深冷处理后的电极触头电弧烧蚀性得到极大改善。 相似文献
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电弧熔炼法制造CuCr系触头材料的组织与性能 总被引:8,自引:0,他引:8
采用电弧熔炼法制备了CuCr10-CjuCr50假两相合金,并对其组织、性能进行了研究。结果表明:电弧熔炼法可以制备出组织均匀、颗粒小、性能优良、致密度高的CuCr假合金。 相似文献
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深冷处理对Al-Si合金组织和力学性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
在液氮温度(-196℃)对Al-Si合金作了深冷处理,处理时间分别为72h、120h,并进行了力学性能试验和金相组织分析。试验结果表明,深冷处理显著提高了合金的强度和硬度,经适当时间的深冷处理,强度、硬度及伸长率三者能同时提高。初步的研究认为,深冷处理改善铝合金性能的机理主要是处理后合金中产生大量相互缠绕的位错和析出弥散强化相。 相似文献
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对铜铬触头材料进行-196℃深冷处理的研究表明,经此处理后的铜铬材料,组织明显细化,铜铬分布更趋于均匀,机械强度得以提高。在可拆真空灭弧室中进行电实验,证明经深冷处理后的电机触头耐电弧烧蚀性得到极大改善。 相似文献
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Cu50Cr50触头材料的性能 总被引:4,自引:1,他引:4
采用松装熔渗方法制备Cu50Cr50真空断路器用触头材料,研究了电解Cr粉粒度,粉末的含氧量和含氮量及添加Ni粉末对Cu50Cr50触头材料性能的影响,结果表明,使用粒度为75μm~150μm的预处理电解铬粉末和无氧铜块,在干燥的氢气气氛中,于1200℃进行30min熔渗,可获得含氧量为0.03%,含氮量(0.003~0.006)%,(质量)密度(7.8~7.9)g/cm^3,电导率(1.50~1 相似文献
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自行设计了电弧腐蚀速率的测量方法,避免了一般电弧腐蚀速率测量中存在的不足,并对真空断路器中常用的CuCr25,CuCr50触头材料以及纯Cu和纯Cr的电弧腐蚀速率进行了测量。研究结果表明,纯Cu,CuCr25,CuCr50和纯Cr的电弧腐蚀速率分别为52.9μg/C,33.2μg/C,31μg/C和25.9μg/C。CuCr25和CuCr50的电弧腐蚀速率相差不大,都较纯Cu有大幅度的降低,而与纯cr的电弧腐蚀速率比较接近。此外,用SEM对4种触头材料经100次燃弧之后的电极表面进行了现测,清楚地反映了经电弧腐蚀之后触角材料的表面特征。 相似文献
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利用传统的陶瓷制备工艺制成La2NiO4类金属导电陶瓷,将其与银粉混合制成Ag/La2NiO4复合触点材料,该材料具有电阻率较小,加工性好等特点.X射线衍射分析发现La2NiO4陶瓷在电弧烧蚀作用下相结构不发生变化,具有高的化学稳定性.模拟电寿命实验测得触点材料转移和烧蚀量小,表面抗烧蚀性好.与通用的Ag/CdO和Ag/SnO2触点材料比较,Ag/La2NiO4性能较佳,是一种可以取代Ag/CdO的新型触点材料. 相似文献
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通过奥氏体氮碳共渗后快冷获得含氮马氏体,并对其进行深冷处理,研究了含氮马氏体的组织和性能。结果表明,含氮马氏体深冷处理后有更好的耐磨性能。 相似文献
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深冷处理对W-Cu合金组织与性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
对粉末冶金熔渗技术制备的不同成分的W-Cu合金在.196℃保温48h条件下进行深冷处理。采用X-射线衍射仪和透射电子显微镜分析了长时间深冷处理的现象与机理。结果表明,深冷处理后铜颗粒在钨基体上弥散析出,出现了短而粗的类马氏体组织。析出的细小弥散的铜颗粒阻碍晶粒粗化和位错移动,铜颗粒部分填充到材料微孔内,同时深冷处理过程中的体积收缩也使材料内的部分缺陷得到弥合(如空位、微孔等),从而使不同成分的W-Cu合金的硬度提高,密度增大,电导率降低。 相似文献