印制板化学镀Ni/Au工艺

概述了印制板化学镀Ni/Au工艺。该工艺仅能活化要求化学镀Ni的Cu表面,而不能活化无需化学镀Ni的绝缘基材区域。     

印制板化学镀Ni/Au

本文通过介绍安美特公司(Atotech)化学镀Ni/Au工艺流程,实验和总结药液的性能,列举在生产实践中一些故障的现象和原因,从而达到更有效地、更好地控制工艺参数和维护工艺的稳定,以便为生产服务。     

化学镀Ni/Au及其工艺控制

概述了化学Ni/Au及其工艺控制和质量控制方法,可以获得重复性良好的镀层性能,确保产品的可靠质量。     

化学镀Ni-P/置换镀金工艺

概述了化学镀Ni—P/置换镀Au工艺,可以在PCB等电子部品上获得以Au线焊接为目的的附着性优良的0.3—0.5μm厚的Au镀层。     

印制板化学镀Au

概述了PCB化学镀Au工艺,可以获得线焊接性优良的化学镀Au层,适用于高可靠高密度PCB的化学镀Au.     

化学镀Ni层中的添加剂对焊料接合可靠性的影响

概述了化学镀镍层中的微量添加剂(PDIS)浓度对化学镀Ni/Pa/Au镀层的析出速度、耐蚀性、焊料湿润性和焊料接合可靠性的影响。     

改善焊料焊接强度的焊剂——阻挡层焊剂

概述了改善的焊剂——阻挡层焊剂,可以抑制Ni的过度扩散,改善焊料与化学镀Ni/闪镀Au镀层的焊接强度。     

Ni层厚度对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响

对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性与Ni金属层厚度之间的相关性进行了对比实验研究,利用XRD衍射结果与表面金相显微分析手段对Ni/Au双层金属电极在合金退火过程中的行为特性进行了细致探讨。分析结果表明:在Ni/Au电极结构中,由双层互扩散机制与NiO氧化反应机理决定,Ni层与Au层之间的厚度比率对p型GaN欧姆接触特性的优劣有重要影响,在Ni、Au层厚度相当时可获得最佳的p型欧姆接触。     

化学镀Cu—Ni合金

概述了PH=5—10的化学镀Cu—Ni合金工艺,用以取代传统的以HCHO为还原剂的强碱性化学镀Cu工艺,特别适用于刚性印制板,挠性印制板磁带自动粘结等电子部品的制造。     

化学镀Au

概述了含有水溶性Ａｕ化合物、络合剂、还原剂和稳定剂等组成的化学镀Ａｕ液，可以防止化学镀Ａｕ时的镀层扩展。给出了四种镀金液的配方，适用于ＩＣ陶瓷封装等电子部件的化学镀Ａｕ。     

关于石墨烯上Ge/Au/Ni/Au欧姆接触的对比研究

Superior graphene-metal contacts can improve the performance of graphene devices. We report on an experimental demonstration of Ge/Au/Ni/Au-based ohmic contact on graphene. The transfer length method （TLM） is adopted to measure the resistivity of graphene-metal contacts. We designed a process flow, which can avoid residual photoresist at the interface of metal and graphene. Additionally, rapid thermal annealing （RTA） at different temperatures as a post-processing method is studied to improve graphene-metal contact. The results reveal that the contact resistivity of graphene and Ge/Au/Ni/Au can reach 10^-5 Ω· cm^2 after RTA, and that 350 ℃ is optimum annealing temperature for the contact of graphene-Ge/Au/Ni/Au. This paper provides guidance for fabrication and applications of graphene devices.     

p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性

运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.     

p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性

运用传输线方法(TLM)测量了p型GaN合金后的Ni/Au电极的接触电阻率和电流-电压(I-V)关系,推导了合金的Ni/Au电极和p型GaN接触处的电流密度与电压(J-V)的关系.在考虑热发射机制和镜像力的基础上,通过对p型GaN的Ni/Au合金电极的I-V特性分析,进一步得出势垒高Φb=0.41eV,受主浓度Na=4×1019cm-3,能带弯曲Vi=0.26V,和EF-Ev:0.15eV.这些结果与理论值和其他实验结果符合得很好.     

浓缩分离的无氰化学镀Au溶液

概述了无氰化学镀Au溶液,其特征在于把镀液分高浓缩成双组份或三组份,有利于镀液的长期保管性,提高化学镀作业效率。     

Ni/Pd/Au镀层的键合可靠性

研究了陶瓷外壳不同厚度Ni/Pd/Au镀层的键合可靠性,并分析了金丝球焊、硅铝丝楔焊和粗铝丝楔焊经300℃不同时间贮存后键合强度变化及键合失效模式变化,并与Ni/Au镀层键合进行了对比。研究结果表明,随着Au层厚度的增加,相同键合参数、相同镀层的金丝球焊的键合强度一致性有明显提升,随高温贮存时间增加,Ni/Pd/Au镀层的金丝键合强度一致性变差;相同实验条件下、不同镀层外壳的硅铝丝键合强度基本一致,300℃、1 h贮存后硅铝丝键合强度降低,随着高温贮存时间的增加,硅铝丝键合强度变化不大;随Au层厚度的增加,粗铝丝楔焊键合强度一致性变差,且失效模式主要为键合点脱落。     

非故意掺杂GaN上Ti/Al/Ni/Au欧姆接触研究

基于圆形传输线模型,研究了背景载流子浓度为71016cm3的非故意掺杂GaN与Ti/Al/Ni/Au多层金属之间欧姆接触的形成。样品在N2气氛中,分别经过温度450,550,700,800,900℃的1 min快速热退火处理后发现,当退火温度高于700℃欧姆接触开始形成,随着温度升高欧姆接触电阻持续下降,在900℃时获得了最低比接触电阻6.6106O·cm2。研究表明,要获得低的欧姆接触电阻,需要Al与Ti发生充分固相反应,并穿透Ti层到达GaN表面;同时,GaN中N外扩散到金属中,在GaN表面产生N空位起施主作用,可提高界面掺杂浓度,从而有助于电子隧穿界面而形成良好欧姆接触。     

Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性

利用金属有机化合物化学气相淀积(MOCVD)在SiC衬底上外延生长了N-polar GaN材料,采用传输线模型(TLM)分析了Ti/Al/Ni/Au金属体系在N-polar GaN上的欧姆接触特性.结果表明,Ti/Al/Ni/Au (20/60/10/50 nm)在N-polar GaN上可形成比接触电阻率为2.2×10-3Ω·cm2的非合金欧姆接触,当退火温度升至200℃,比接触电阻率降为1.44×10-3 Ω·cm2,随着退火温度的进一步上升,Ga原子外逸导致欧姆接触退化为肖特基接触.     

化学镀镍/化学镀钯/浸金表面涂覆层的再提出

文章概述了化学镀镍/化学镀钯/浸金表面涂(镀)覆层的特性.不仅它能够满足各种各样的类型元件和安装工艺的要求,而且也能满足高密度的IC基板封装的要求.因而,化学镀镍/化学镀钯/浸金表面镀层是一种"万能"的镀层,具有最广泛的应用前景.     

化学镀Ni-P镀层状态对引线键合的影响（1）

观测了化学镀Ni/Au工艺中化学镀Ni-P镀层的状态,评估了基底化学镀Ni-P镀层的P含量和Ni析出状态对引线键合性的影响。