四氟化硅·正丙醇络合物裂解过程的模拟计算研究

建立了四氟化硅·正丙醇络合物裂解反应器的数学模型,提出了该模型的求解方法,通过对该模型的模拟计算,分析了裂解反应器操作的影响因素,从设备和操作两方面讨论了优化操作和节省成本的方法,提出了合理的建议。     

四氟化硅的生产概况

四氟化硅（SiF4）是电子工业中的一种重要原料，它还能用作光导纤维、太阳能电池和水泥硬化剂等的原料。详细介绍了SiF4的物理、化学性质及危险特性。SiF4的工业生产方法主要有硫酸法、六氟硅酸盐热解法和Si-HF直接合成法3种。电子工业用SiF4需要有较高的纯度，重点介绍了SiF4的精制工艺，同时还介绍了SiF4经济概况。     

特殊电子气-四氟化硅分析检测

四氟化硅是一种重要的特殊电子气体,可用于电子和半导体行业,高纯度的四氟化硅还可作为非晶体硅、硅烷、多晶体硅、光纤等制备的原料,文章介绍了四氟化硅气体中气体杂质、金属杂质及碘的分析检测方法,初步确定了四氟化硅气体中的杂质分析。     

四氯化硅和四氟化硅的研究比较

SiCl4主要是作为改良西门子法生产多晶硅的副产物得到,SiF4主要是作为磷肥工业的副产物氟硅酸分解得到,但是二者纯度都不能满足生产多晶硅的要求,需进行分离纯化得到高纯物质。本文针对SiCl4和SiF4的物化性质、合成工艺、精制方法、应用前景等方面做了探讨和比较,指出SiF4比SiCl4更具应用前景。     

四氟化硅的制备与提纯

四氟化硅(SiF4)是电子和半导体行业中的一种重要原料,在光伏产业中占重要地位.详细介绍了四氟化硅的主要制备方法:硫酸法、Si-F2直接合成法、氟硅酸盐热解法和氢氟酸法,并对四氟化硅提纯工艺进行了比较.     

氟硅酸盐制取四氟化硅的研究进展

SiF4多被应用于电子行业和半导体行业,氟硅酸盐制备SiF4是制备方法中的一种.本文介绍了氟硅酸盐的性质,制备方法,以及氟硅酸盐制备SiF4的方法,并对部分氟硅酸盐制备SiF4的条件及产物进行了对比.     

四氟化硅的制备与纯化

四氟化硅是一种重要的特种气体,应用前景广阔。详细介绍了四氟化硅的性质、应用、制备方法及纯化方法,指出了每种制备方法及纯化方法的优缺点,并指明了后续的研究方向。     

氟硅酸钙热解制备四氟化硅的工艺研究

针对四氟化硅的行业需求,本研究探讨了由磷肥副产物氟硅酸制备的氟硅酸钙热解生成四氟化硅的工艺条件,通过正交实验分析获得了适用于工业生产的氟硅酸钙最优脱水及热解条件,并对制备的粗品四氟化硅、副产品氟化钙与市售产品进行了质量指标对比,本实验所得的目标产物和副产物均满足行业的质量要求。该工艺具有流程短、能耗低、对环境危害小的特点,不仅为四氟化硅生产提供了新的方法,也拓展了磷肥副产物氟硅酸的综合利用。     

高纯四氟化硅的制备技术研究进展

四氟化硅是一种有机硅化合物合成材料,被广泛应用于半导体行业,其需求量日益扩大,对其纯度要求也越来越苛刻。本文介绍了四氟化硅常用制备方法及其优缺点,列举了四氟化硅的纯化方法。在实际生产过程中,企业需根据自身实际生产情况选择合理的生产路线,结合制备工艺中杂质种类,选择合适纯化方法,获得高纯四氟化硅产品。     

采用回转窑制备四氟化硅的方法

本发明公开了一种采用回转窑制备四氟化硅的方法,该方法是将氟硅酸钠与硫酸预反应后送入回转窑中进一步反应,回转窑窑内压力为-5～-2 kPa,窑内由前向后3段分别控制温度在160～190℃、191～220℃、221～250℃,反应完成后,将四氟化硅与HF混合气分离。本发明采用回转窑作为反应设备进行反应,原料可采用磷肥厂的副产物氟硅酸钠,且装     

四氟化硅中痕量金属杂质的检测

SiF4用于作光导纤维、太阳能电池等电子工业等领域时需要有较高纯度。本文重点介绍了SiF4的杂质元素分析,用吸收剂吸收后,除去硅和氟元素后测定其他元素。为了更准确的测量,我们采用电感耦合等离子体发射光谱法同时测定SiF4气体中可能存在的铝、钙、碳、铁、镍、铬、铜、锌、磷、硼、铝、砷、镓、锑、铟等微量金属元素,确定杂质成分。并且同时检测空白样,对比杂质成分,进行分析。     

甲醇合成过程模拟计算与分析

甲醇是一种重要的基本有机化工原料,其衍生物众多,用途广泛,同时,以甲醇为原料的新产品不断被开发出来,应用领域变得越来越广,特别是甲醇用于民用燃料得到了很大的发展。因此甲醇的产量和需求量逐年增加。     

氟硅酸钠热解制备四氟化硅气体影响因素研究

磷肥副产物氟硅酸钠热解可制备四氟化硅气体,该方法无废弃物产生,生产成本较低,具有广阔的发展前景。对影响氟硅酸钠热解的各种因素进行了一系列静态实验研究,实验发现,氟硅酸钠热解的最佳反应温度应保持在中温区（500～700 ℃）,反应压力维持在常压或微负压状态。利用该法生产四氟化硅气体具有气体纯度高和无副产物产生的特点。     

磷肥副产氟硅酸制备四氟化硅工艺研究

基于国家循环经济发展要求,以及大力开发低品位资源的高效循环利用,重点研究了磷肥行业副产氟硅酸和含氟药物副产钾化合物制备高附加值四氟化硅并联产无水氟化钾的工艺方法。包括实验过程剖析、产品质量和生产成本对比等。完成了副产低品位氟、钾、硅资源的循环高效开发。解决了制约相关行业发展的瓶颈问题,其经济、环保和社会效益显著。     

四氟化硅气体中杂质的检测方法

介绍了四氟化硅气体中几类杂质的检测方法,主要包括气相色谱法、傅里叶变换红外光谱法、质谱法和微波波谱法。用气相色谱仪可以检测出四氟化硅中气体中C1~C4碳氢化合物;用高分辨率傅里叶变换红外光谱仪可以检测出SiF3OH,HF,SiF3H,SiF2H2,SiH3F,CO2,CO等气体杂质;用微波波谱仪可以检测出四氟化硅中CHF3,CH2F2,CH3F等气体杂质;用质谱仪可以检测出四氟化硅中SiF3H,SiF2H2,SiF3OSiF3等气体杂质。通过对比得出每种检测方法的优点和缺点。     

三氟化硼气体中四氟化硅含量的测定

采用硅钼蓝分光光度法快速测定三氟化硼气体中四氟化硅的含量,建立了测定的方法。优化实验条件,考察了最佳吸收波长为810 nm;通过加入草酸、饱和硼酸消除磷、砷和氟等离子的干扰;确定了盐酸、草酸、钼酸铵以及还原剂的用量;绘制810 nm处标准曲线,并得到摩尔吸光系数ε=1.85×104L/mol·cm。     

四氟化硅的工艺研发及进展状况

四氟化硅是电子工业中的一种重要原料,随着多晶硅等行业迅猛发展需求量逐渐增大。详细介绍了四氟化硅的应用及市场情况,并对氟气合成法、氟硅酸盐热解法、硫酸法、氢氟酸直接反应法这4种主要生产方法进行详细论述,讨论了各工艺方法的生产原理、工艺简述、研究状况并对工艺的优缺点进行了评价。就目前市场形势分析,国内四氟化硅需开发高端产品,以适应市场需求和参与国际竞争。     

2,3,5,6-四氟-4-甲基苯甲醇的合成研究

以2,3,5,6-四氯对苯二甲腈为原料,经氟化、水解、酰化、还原、脱羟基五步反应,合成2,3,5,6-四氟-4-甲基苯甲醇,反应总收率54%,产物纯度99%以上。着重对中间体2,3,5,6-四氟对苯二甲醇经催化氢化选择性脱羟基合成2,3,5,6-四氟-4-甲基苯甲醇的工艺条件进行研究,得出优化的工艺条件。合成工艺具有反应步骤短,反应总收率高,污染排放少等优点,适合工业化生产。     

利用氟硅酸与电石灰制备四氟化硅工艺研究

为加快磷肥副产氟资源的综合利用,同时解决电石灰堆放占用大量土地、污染水资源等问题,采用磷肥副产氟硅酸与电石灰反应制备四氟化硅同时副产氟化钙,制备出高附加值、高品质的氟化物。重点研究了氯化钙与氟硅酸的配料比、反应温度、氯化钙溶液浓度、母液循环等因素对氟硅酸钙收率的影响,同时也分析了氟硅酸钙热解温度对四氟化硅产品质量的影响。研究结果表明,在氯化钙溶液浓缩至质量分数为60%、反应温度为55 ℃、氯化钙与氟硅酸质量比为2∶1条件下,氟硅酸钙的单批收率可达到86%;氟硅酸钙在350 ℃静态分解1 h,分解率达到99%,所得四氟化硅产品质量符合硅烷制备和无水氟化氢制备对原料的要求,所得副产物氟化钙产品质量满足行业标准（YB/T 5217—2019《萤石》）的要求。该方法氟、硅资源能够充分利用,且工艺简单、便于操作、易于工业化生产,为磷肥副产氟硅酸的综合利用提供了一定的指导方向。     

二甲醚-二氧化碳-甲醇-水体系闪蒸过程实验与模拟计算

对二甲醚-二氧化碳-甲醇-水体系闪蒸过程进行了实验研究和模拟计算.结果显示,进入闪蒸罐中的细小呈针形的出口管口结构有利于料液雾化,使气、液相尽快趋于平衡.对于体系宽沸程以及液相非理想性的特点,采用了合适的计算迭代次序和相应的迭代公式,模型计算值与实验结果吻合较好,最大相对误差的绝对值小于18.5%.模拟计算显示使原料液中二甲醚较少损失、二氧化碳尽可能多地逸出的适宜闪蒸操作压力不大于0.3 MPa、闪蒸温度在50℃左右.