1983年国际固体电路会议

<正>1983年际固体电路会议(以下简称ISSCC)于2月23至25日在美国纽约召开.一年一次的固体电路会议是IEEE组织内所有专业会议中规模最大的一个全球性学术会议.它是世界范围内半导体技术,尤其是固体电路技术最新研究成果和未来发展趋势的一个标志.第一次     

93国际固体电路会议概览

第40届国际固体电路年会(ISSCC)于今年2月24日～26日在美国旧金山市举行。会议集中反映了当今固体集成电路领域所取得的前所未有的的进步。会议所涉及的技术领域非常广泛,从存储器、微处理器、通讯电路、视频与信号处理器、数据转换器到神经网络芯片都有论文。会议设16个专题,收到来自13个国家的IC专家的93篇论文,另外还组织了8个专家讨论会。     

一九八五年国际固体电路会议述评

一年一度的报导最先进大规模集成电路的国际固体电路会议今年(ISSC′85),业已闭幕。1兆位动态随机存贮器、256k位静态随机存贮器,二万门级的CMOS门阵等高集成度的大规模集成电路的研制报告引人注目。面向各种信号处理大规模集成电路,通信用大规模成电路,图象存贮等用途的大规模集成电路发展动向,也引起了人们的注意。在模拟-数字并兼容大大规模集成电路及固体摄象元件,工业及民用模拟集成电路方面,取得了卓有成效的成果。     

国际固体电路会议(ISSCC)评述

现今已步入第四十二个年头的国际固体电路年会(ISSCC)向人们展示了世界范围内实验室IC设计的最高水平,而且这些设计最终将成为上市的产品.这次会议于2月15日至17日在美国加州旧金山召开,展示了多种多样的数字IC、模拟IC和通信IC的开发成果.《Electronic Design》对这次会议的报道一开始由半导体编辑Dave Bursky评述主要的数字技术的发展.他探讨了首批Gb级DRAM、高速SRAM、三维图形、非易失与铁电体存储器和存储器宏结构的细节.同时,他还仔细研究了降低存储器功率的方法.其他数字技术的发展有最新的64位RISC与CISC CPU、DSP IC、乘法器、线路驱动器、时钟缓存、FP- GA及多媒体IC.     

参加81年国际固体电路会议拾零

本届会议在美国纽约市召开,为期三天,共提交91篇报告,它们反映了近一年来在固体电路方面取得的新成绩。现分几个部分概述于下: 一、超大规模集成技术 会议特邀斯坦福大学梅特尔教授作了“超大规模集成技术极限”的报告。他指出了五个限制因素。 (1)基本因素:从热力学原理导出数字系统中每一次开关瞬变所需要的能量至少为E_s,E_s=4KT=1.65×10~(-20)焦耳。 (2)材料因素:在硅材料中,一个电子通过电信号ΔV=1V)所需要的渡越时     

’2000ISSCC国际固体电路会议拾零

’2000ISSCC国际固体电路会议于2000年2月7日～9日在美国旧金山市举行,共发表学术论文176篇。所涉及的方面主要为:微处理器、信号处理器、接口电路、A-D转换器、通信用集成电路、存储器等。现将会议中引人注目的信息作一介绍。1美国SUN微系统公司开发的第3代RISC(精简指令)型64bit微处理器。工作频率600MHz,可同时下达4个指令,集成2300万个晶体管。采用0.18μmCMOS技术和7层金属布线工艺。芯片尺寸为370mm2,电源电压+1.8V,功耗80W。2加拿大NortelNetworks公司开发的10Gbit/s光通信应用的单片接收机。采用SiGe技术,集成AGC(autog…     

一九八五年国际固体电路会议述评(续)

逻辑大规模集成电路 规模大和多样化的门阵电路 在逻辑门阵列领域,正在向着大规模集成和品种多样化的方向发展(表Ⅲ)。CMOS门阵芯片的集成规模已超过二万门。随着门阵电路的大规模集成化,芯片内设置存贮器和测试用电路的门阵电路也日益盛行起来。基本单元结构的构成方法也是多种多样。较为引人注目的方法是采     

第19届欧洲固体器件会议与第15届欧洲固体电路会议简况

<正>1989年9月11日～14日和9月20日～22日分别在联邦德国柏林和奥地利维也纳召开了第19届欧洲固体器件会议(ESSDERC)和第15届欧洲固体电路会议(ESSCIRC).笔者和清华大学钱佩信教授由国家教委组团参加了这两个会议,并宣读了论文.欧洲固体器件会议共分为27个专题,收录了199篇论文(包括11篇特邀报告),内容遍及微电子器件研究的所有领域,中国学者有5篇论文被会议录用.欧洲固体电路会议共分为16个专题,也几乎覆盖了微电子电路与系统的所有领域.两会议收录的论文质量较高,相当一部分论文反映了世界最新研究水平.     

一九七九年国际固体电路会议及美国集成电路发展概况

1979年国际固体电路会议于2月14日至16日在美国召开,中国电子学会派出固体电路小组赴美参加此次会议,会后应邀进行了参观。本文就会议和参观的主要情况作一介绍,供有关同志参阅。     

MOSVLSI的新进展——参加1980年国际固体电路会议笔记

近年来,由于超精细加工技术和计算机辅助设计技术的发展,MOSLSI取得了长足的进展,出现了超大规模MOS集成电路MOSVLSI,使集电路高性能和低成本的特点更为突出。这些超精细加工技术主要包括:电子束制版,电子束直接光刻,投影光刻,全离子注入,全干法腐蚀,薄层介质和薄层外延,它使三维的(平面的及纵向的)超微细加工成为可能。最近5年中,NMOS已经从6u,1100(?)的栅减小到2μ,     

第十一届国际量子电子学会议简况

本文简要介绍了第十一届国际量子电子学会议的概况,其中着重介绍激光光谱学、非线性光学及新型激光器等方面的最新成就.     

1983年国际固体电路会议上发表的动态RAM特性一览表

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第十四届国际液晶会议简况

因比萨斜塔而闻名世界的意大利比萨市于1992年6月21日～26日在比萨大学会议中心召开了十四届国际液晶会议。这是自从1990年加拿大温哥华十三届国际液晶会议上宣告成立国际液晶学会(简称ILCS)以来,ILCS第一次召集的国际液晶会议,我国已有19名国际液晶学会会员。这次会议规模大,与会者715人,来自38个国家,其德国123人,东道主意大利118人,美国89人,英国80人,日本67人,法国50人,其次为波兰、荷兰、俄罗斯、瑞士、斯洛伐尼亚及瑞典等。来参加会议的国家还有伊位克、沙特阿拉伯、尼泊尔、菲律宾及     

1972年国际量子电子学会议技术论文摘要

横向激励大气压CO_2振荡-放大激光器产生2仟兆瓦峰值功率。随着横向激励大气压CO_2激光器的出现,在10.6微米波长上产生的峰值功率有了显著的增长。这些进展,加上高速光调制器以及大容积予电离泵浦的当前进展,现已为能产生极短辐射脉冲,峰值功率有可能达到数仟兆瓦的CO_2振荡-放大系统的实验铺平了道路。在长的作用波长上获得如此高功率超短脉冲,在当前对于研究高强度激光器辐射与物质的瞬时作用是很有意义的。本文描述了能辐射具有4焦耳数量级能量及2毫微秒受仪器限制的脉宽的单一脉冲的大气压振荡器-放大器组合系统的设计、结构及性能。发现这些脉冲的功率电平均超出2仟     

超大规模集成电路的新发展——参加1980年国际固体电路会议随记

每年一度的国际固体电路会议,在三十余名代表的热烈讨论和交流之后,于二月十五日在美国旧金山结束,人们互相告别并期待着明年二月在纽约再次相聚。 这次会议是标志着超大规模集成电路已经到来的会议,是对80年代作出展(?)的会议。它宣布,集成电路已经发展到了这样的阶段,即把电子系统集成到一个芯片上;把数字电路和模拟电路结合起来集成在同一个芯片上。     

1987年国际MMIC和MTT会议简况

<正> 1987年6月7日至12日在美国内华达州Las Vegas市举行了微波/毫米波单片集成电路(MMIC)和微波理论与技术(MTT)的国际学术讨论会。在会议的同时还举办了有270家公司参加的微波产品展览会和微波历史展览。会议规模很大,据“Microwave Journal”报导,有7000多人参加会议。这是近几年来该学术领域规模最大的一次会议。     

第10届国际发光会议简况介绍

世界各地521名代表出席了8月18～23日在捷克布拉格召开的第10届发光和凝聚态物质光谱学ICL会议（ICL’96）。美国普林斯顿大学的D．S．McClure发表了“搞清电子谱”的得奖演说。会议重点集中在凝聚相的发光和光谱学上。所有讲演论题都很有特色，内容包括：半导体的相干光学激发（德国E．O．Goebel）、光致合成中的亚皮秒激发能量转移动力学（荷兰R．VanGrondelle）、扫描近场显微术（德国H．Fuchs）、经典磷光体（荷兰G．Blase）、用于电发光器件的非晶分子材料和半导体微腔中自发发射的改进（法国1．Abram）等。会议特有的显著重…     

第九届国际微电路工程会议简况

第九届国际微电路工程会议已于1983年9月26—29日在英国剑桥大学举行,参加会议的代表有200多人。由英国剑桥大学的H.Ahmed,日本大阪大学的S.Namba,英国康纳尔大学的E.Wolf等七人组成会议的指导委员会。北京师范大学低能核物理研究所,科学院上海冶金所,电子工业部平涼半导体工艺设备研究所和长沙半导体工艺设备研究所都派代表参加了这次会议。     

1985年国际固体电路会议上发表的1M位动态存储器概况

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