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《电子科技文摘》2002,(8)
N2002一07545·25 0215010IEC TC94的最新审议状况=IEC TC94丙最近忆书汁石审议状况〔汇,日)/青木武刀信学技报,vol.10o,No.380一25一29(L)N2002一07613 0215011电子情报通信学会技术研究报告:机电器件E入住)2 000一68一72(信学技报,Vol.100,No.448)〔汇,日〕/日本电子情报通信学会一加00.11一32P.(L) 本文集收录5篇论文。内容主要涉及:便携式电话用高效率LED背面光技术,2000年第46届IEEE电气接点霍姆国际会议报告,关于控制继电器的电气接点损伤的数值评价的研究,针对便携式电话的头部的电磁场分析对剂量测定法评价的现状与未来… 相似文献
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《电子科技文摘》1999,(10)
Y98-61452-130 9914942中压电缆接头质量控制和使用中定期监测用的声学法=Acoustic method for quality control and in-service peri-odie monitoring of medium voltage cable terminations[会,英]/Lundgaard,L.E.& Hansen,W.//1998IEEE International Symposium on Electrical Insulation.Vol.1.—130~133(AG)Y98-61452-140 9914943杂质对典型的 XLPE 传输电缆接头局部放电特性的影响=Influence of contaminants on partial discharge char-acteristics for model XLPE transmission cable joints[会, 相似文献
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《电子科技文摘》2000,(9)
Y2000-62237-142 0014233ATLASⅡ:一种10Gbps 单片式 ATM 开关的最佳化=ATLASⅡ:optimizing a 10Gbps single-chip ATM switch[会,英]/Pnevmatikatos,D.& Kornaros,G.//Pro-ceeding of Twelfth Annual IEEE International ASIC/SOC Confefence.—142~146(UC)Y2000-62264-700 0014234大功率用的理想开关:压力接触绝缘栅双极晶体管=Pressure contact IGBT,the ideal switch for high powerapplications[会,英]/Wakeman,F.& Lockwood,G.//1999 IEEE Industry Applications Meeting,Vol.1.—700 相似文献
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《电子科技文摘》2001,(9)
Y2000-62591-341 0114741采用0.5μm CMOS 工艺正向损耗0.8dB的900MHz发射/接收开关=A900一MHz T/R Switch with a 0.8-dB insertion loss implemented in a 0.5μm CMOS process[会,英]/Huang.F.-J & O.Kenneth//2000 IEEECustom Integrated Chircuits Conference.—341~344(EC)0114742CMOS 模拟开关及其选择问题[刊]/宋吉江//微电子技术.—2001,29(3).—58~60(E) 相似文献
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《电子科技文摘》1999,(6)
Y98-61402-439 9907202无电磁干扰的固态开关=EMI free solid state switching[会,英]/Mourougayane,K.& Latheef,G.A.//1997Proceedings of the International Conference on Electro-magnetic Interference and Compatibility.—439~442(HG)本文研究了 AC 电源开关应用中与固态开关有关的电磁干扰(EMI),测试了市售固态开关的电磁兼容性(EMC),并讨论了这种开关传导辐射超出国际 EMI标准极限的问题,针对传导辐射的各种 EMC 标准,设计并测试了一种无 EMI 的固态开关,文中讨论了这种开关的设计考虑、性能和 EMI 测试结果。参3 相似文献
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《电子科技文摘》1999,(5)
Y98-61391-179 9905678用于输电线路保护的相位和幅度比较器的设计=De-sign of phase and amplitude comparators for transmissionline protection[会,英]/Sachdev,M.S.& Sidbu,T.S.//1997 IEEE Conference on Communications,Powerand Computing-Wescanex.—179~184(MaG)本文介绍了采用相位和幅度比较技术的多相继电器的设计。所提出的设计适合于采用微处理器的实现。利用模拟数据评估了比较器的性能,给出了一些结果。参6 相似文献
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《电子科技文摘》2003,(10)
Y2002-63199-2487 0322203谐波电流对于半导体熔断器额定值的影响=Effect ofharmonic currents on semiconductor fuse ratings[会,英]/Wilkins,R.& de Palma,J.F.//2001 IEEE In-dustry Applications Conference,Vol.4 of 4.—2487~2492(ME)Y2002-63436-243 0322204保护继电器测试方法探讨=Investigation on protectiverelays testing methods[会,英]/Ovcharov,S.& 相似文献