半导体功率电子器件技术与产业专题研讨会将于今年8月23日在北京召开

为促进我国半导体功率电子器件科学和技术、产业、市场的发展和进步,由中国半导体行业协会主办,半导体分立器件专业分会和深圳市亚科希信息顾问有限公司承办的“半导体功率电子器件技术与产业研讨会”将于今年8月23日在北京召开。这次专题研讨会是对近年来我国在半导体功率电子     

第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会暨第三代半导体产业融合创新发展（广州）论坛

<正>为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐，推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高，加快其成果转化和应用推广，增强自主创新能力。由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的“第九届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会”于2023年11月23～25日在广州召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州、深圳、成都、重庆、无锡成功举办后，我国半导体功率器件及应用领域又一次重要的学术、技术交流活动，将为广大从事新型半导体功率材料、器件及其应用技术工作者提供一个高起点、     

第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会

<正>为紧跟国际功率半导体器件技术发展步伐,推动我国新型半导体功率器件技术水平进一步提高,加快其成果转化和应用推广,增强自主创新能力,由中国半导体行业协会半导体分立器件分会主办的"第五届全国新型半导体功率器件及应用技术研讨会"于2019年11月22—24日在广东深圳召开。本会议是继厦门、昆明、长沙、苏州成功举办后,全国新型半导体功率器件及应用领域又一次重要的学术与技术交流活动,将为广大从事新型半导体功率材料、器件及其应用技术的工作者提供一个高起点、大范围、多领域的沟通平台,增进产、学、研之间的技术交流,相互学习,共同提高。为此,会议组     

Ga2O3功率器件研究现状和发展趋势

氧化镓(Ga2O3)超宽禁带半导体材料在高频大功率器件领域具有巨大的应用潜力和前景,近几年已成为国内外研发的热点.概述了Ga2O3半导体材料在功率器件应用领域的特性优势和不足,重点介绍了日本、美国和国内的Ga2O3功率半导体器件的研发现状.详细介绍了目前Ga2O3肖特基势垒二极管(SBD)、Ga2O3金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)以及新型Ga2O3功率器件的最新研究成果.归纳出提高Ga2O3单晶和外延材料质量、优化Ga2O3功率器件结构和制造工艺是Ga2O3功率器件未来的主要发展趋势,高功率、高效率、高可靠性和低成本是Ga2O3功率器件未来的主要发展目标.最后总结了我国与美国、日本在Ga2O3功率半导体领域的技术发展差距,以及对未来我国在Ga2O3功率半导体技术方面的发展提出了建议.     

新型半导体功率器件在现代雷达中的应用研究(Ⅰ)

目前第一代半导体功率器件的制造技术和应用技术已趋于成熟,S波段及以下波段功率器件的输出功率、工作效率和可靠性指标都已达到相当高的水平。近年来第二代半导体功率器件的制造技术和应用技术发展迅速,S波段、C波段和X波段的器件已经形成了一定的系列化商品。但是面对现代雷达等新一代电子装备的需求,半导体功率器件在高功率、高效率和高频率等方面与真空管器件相比仍逊色许多,Si和GaAs功率器件的输出功率工作频率短期内不大可能有大的提高,而第三代半导体功率器件——宽禁带半导体器件固有的宽禁带、高击穿场强和良好的热稳定性等特性,决定了其可以输出更高功率、工作在更高频率、具有更高效率,并可更好地满足现代雷达的要求。     

氮化镓功率半导体器件技术

作为第三代半导体材料的典型代表,宽禁带半导体氮化镓(GaN)具有许多硅材料所不具备的优异性能,是高频、高压、高温和大功率应用的优良半导体材料,在民用和军事领域具有广阔的应用前景。随着GaN技术的进步,特别是大直径硅(Si)基GaN外延技术的逐步成熟并商用化,GaN功率半导体技术有望成为高性能低成本功率技术解决方案,从而受到国际著名半导体厂商和研究单位的关注。总结了GaN功率半导体器件的最新研究,并对GaN功率器件发展所涉及的器件击穿机理与耐压优化、器件物理与模型、电流崩塌效应、工艺技术以及材料发展等问题进行了分析与概述。     

功率MOSFET的研究与进展

器件设计工艺、封装、宽禁带半导体材料和计算机辅助设计4大技术的发展进步使得功率MOSFET的性能指标不断达到新的高度。超级结技术使得高压功率MOSFET的导通电阻大大降低,降低栅极电荷和极间电容的改进沟槽工艺和横向扩散工艺技术进一步提高了低压功率MOSFET的优值因子,中小功率MOSFET继续朝着单片集成智能功率电子发展。功率MOSFET封装呈现出集成模块化、增强散热性和高可靠性的特点。基于宽禁带半导体材料SiC和GaN的功率MOSFET具有高温、高频和低功耗等优异性能,计算机辅助设计工具引领功率MOSFET在工艺设计、制造和电路系统应用方面快速发展。     

宽禁带半导体SiC功率器件发展现状及展望

碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟、应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温、高频、抗辐照、大功率应用场合下极为理想的半导体材料.文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC功率器件的最新进展及其面临的挑战和发展前景.同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.     

功率半导体对未来至关重要

世界上对功率转换器件的需求迅速增长，功率半导体的未来前景光明。确实，随着电力使用的增加，越来越多的应用要求有效的功率转换。功率半导体将成为影响21世纪技术发展的关键技术之一。市场的驱动功率半导体的发展受到一系列因素的影响。比较重要的因素如：电力越来越广泛地接受作为燃料；从传统的集中发电和传输模型向分散化转移。此外，商业因素、对环境问题的关心以及对全球温室气体排放方面的法律规定，都推动了先进和高效的功率转换技术的发展，这一需求正与功率半导体技术的优势相适应。进一步，功率半导体技术的潜在应用也在不断增…     

半导体激光器稳功率脉冲电源设计

根据半导体激光器的温度-驱动电流-光功率特性,通过脉冲驱动技术、功率控制技术和抗浪涌技术的综合应用,设计、制作了一种实用的半导体激光器脉冲驱动电源,解决了半导体激光器应用中常见的浪涌冲击问题和宽温度范围内脉冲驱动时的发光功率同步控制难题.     

半导体器件及集成电路抗辐射研究进展

本文主要介绍半导体器件及集成电路在各种辐射环境下的损伤失效模式,分析其失效物理机理,提出相应对策,以提高器件及电路的抗辐射能力。     

Power Semiconductor Devices for Hybrid, Electric, and Fuel Cell Vehicles

Power semiconductor devices are key components in all power electronic systems, particularly in hybrid, electric, and fuel cell vehicles. This paper reviews the system requirement and latest development of power semiconductor devices including IGBTs, freewheeling diodes, and advanced power module technology in relating to electric vehicle applications. State-of-the-art silicon device technologies, their future trends, and theoretical limits are discussed. Emerging wide bandgap semiconductor devices such as SiC devices and their potential applications in electric vehicles are also reviewed     

光纤通信有源器件的发展现状

光纤通信技术的飞速发展使其成为当今信息社会的重要支柱。其发展的基石是有源和无源半导体光电子器件。综述了几种主要的有源光电子器件的研究现状及其发展趋势,包括高速调制DFB激光器及其集成芯片、EDFA泵浦源用980 nm半导体高功率激光器、化合物半导体光电探测器、硅基长波长光电探测器等。     

Power semiconductor devices for variable-frequency drives

Advances in power semiconductor technology are the driving force for enhancement of the performance of variable-frequency motor drives. The development of power semiconductor devices with MOS-gate structures has enabled the control of large amounts of energy with very little input power. An equally important advancement has taken place in the development of improved rectifiers with reduced losses for high-frequency operation. In addition, the advent of MOS-gated power switches has led to the creation of smart power technology which makes compact systems with built-in diagnostic and protection functions commercially feasible. Although the power semiconductor chips are all made from silicon today, recent analysis has indicated that devices fabricated from silicon carbide have the potential for completely displacing silicon devices in the long range     

硅功率集成技术发展动态

文章介绍了硅功率集成电路技术的一些发展劝态。单片中小功率智能集成电路发展迅速，以BCD为其主要工艺技术；基于SOI的智能功率集成电路也得到开发。单片集成式的功率管为电源管理小型化、高频、较高可靠性设计提供了新途径，它们在分布式电源、便携式设备仪表中得到广泛应用。     

现代科学的奇迹——半导体技术

文章简要回顾了半导体技术五十多年的发展历史,介绍了晶体管、集成电路、功率半导体器件以及半导体材料的研发过程和当前的水平,并展望21世纪初半导体技术的方向以及在信息社会中将起的作用。     

模拟集成电路的发展动态

本文介绍了Ａ／Ｄ与Ｄ／Ａ转换器、超高速ＳＯＩ器件及电路、超高速双极电路、ＧｅＳｉ／Ｓｉ异质结器件和电路、智能功率等模拟集成电路的发展概况。     

SiC电力电子器件研究现状及新进展

由于硅材料本身的限制,传统硅电力电子器件性能已经接近其极限,碳化硅(SiC)器件的高功率、高效率、耐高温、抗辐照等优势逐渐突显,成为电力电子器件一个新的发展方向.综述了SiC材料、SiC电力电子器件、SiC模块及关键工艺的研究现状,重点从材料、器件结构、制备工艺等方面阐述了SiC二极管、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、结晶型场效应晶体管(JFET)、双极结型晶体管(BJT)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)及模块的研究进展.概述了SiC材料、SiC电力电子器件及模块的商品化情况,最后对SiC材料及器件的发展趋势进行了展望.