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《电子工业专用设备》2006,35(12):53-53
FSI国际有限公司日前宣布,推山全新的选择性氮化物蚀刻工艺。该工艺采用FSI国际的MAGELLAN浸泡式清洗系统,可以抑制氧化硅和硅的侵蚀并避免产生大量微粒。这些应用在FSI实验室中通过使用客户的晶圆得以开发和验证,并已成为先进的45nm工艺项目的一部分。此外,这些应用对前几代技术同样有效。 相似文献
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目前,FSI国际有限公司在上海宣布推出一项新的研发成果,这项新的镍铂去除工艺旨在帮助集成电路制造商在65nm技术节点实现自我对准金属硅化物的形成。FSI使用其ZETA喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStrip^TM工艺,并且与领先的集成电路制造商合作,在65nm试验线设备上对该工艺进行了验证。这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业环准的化学品实现。 相似文献
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<正>日前,FSI国际有限公司在上海宣布推出一项新的研发成果,这项新的镍铂去除工艺旨在帮助集成电路制造商在65nm技术节点实现自我对准金属硅化物的形成。FSI使用其ZETA喷雾式清洗系统开发出了这项PlatNiStripTM工艺, 并且与领先的集成电路制造商合作,在65nm试验线设备上 相似文献
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《电子工业专用设备》2008,37(8)
FSI国际有限公司日前宣布:在上月于以色列、意火利、法国和德国举办知识服务系列研讨会(KSS)上,公司多家客户的专题报告中肯定了FSI清洗技术在芯片制造中对成品率的提高起到了显著的作用。包括意法半导体(STMicroelectronics)、Numonyx B.V.、Tower半导体有限公司、奇梦达(Qimonda AG)、CEA Leti在内的FSI客户,都在其报告中对基于FSI创新型清洗产品的先进工艺进行描述,并提交了多种不同生产应用中的成品率提升数据记录。 相似文献
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[前言]3月14日,FSI国际有限公司在中国上海宣布推出一项新的研发成果,这项新的镍铂去除工艺旨在帮助集成电路制造商在65-nm技术节点实现自我对准金属硅化物(Salicide)的形成.FSI使用其ZETA 此次在喷雾式清洗系统开发了这项PlatNiStripTM工艺,并且与领先的集成电路制造商合作,在65-nm试验设备上对该工艺进行了验证.这项低成本的工艺可以在标准的ZETA系统上采用行业标准的化学品实现.此次在上海举办的SEMICON China 2005上进行的发布,表明了FSI愿意与中国领先集成电路制造商合作,把全球最先进的工艺技术介绍到中国.借此机会,我们采访了FSI国际有限公司CEO Don Mitchell先生,就大家关心的一些问题做了采访,以下是采访的摘录. 相似文献
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