一种Ka 波段固态功率合成器

：文章介绍了一种新型的Ka 波段固态空间功率合成器。在此功率合成器H 面中插入一个电阻片,可以极大地提 高功率合成器的隔离度和回波损耗,通过三维仿真软件HFSS 仿真计算证明了可行性,最后实现一个完全对称的两路功 率分配/合成器。仿真结果显示,此功率合成器在29-31GHz 内,插入损耗小于0.21dB,隔离度优于19dB,端口回波损耗 优于27dB。     

一种Ka波段微带-波导转换的设计

设计出了一种Ka波段微带-波导鳍线转换结构,实测结果表明频带内插入损耗小于0.3dB,回波损耗优于20dB,端口驻波优于1.20。     

一种平面魔T结构的研究

为在小体积范围内产生雷达和信号、差信号,介绍了一种宽带平面型魔T结构的实现方法。通过选取合适的电路结构,并借助微波EM分析软件,在微带线和槽线的基板上实现了平面型魔T结构电路功能,在较宽的频带内实现了良好的幅相特性,并给出了测试结果。同时表明作为一种传输线结构二槽线,有其独特的优点和应用价值。     

Ka波段单脉冲和差网络设计

和差网络是毫米波单脉冲雷达前端中的一个重要器件,设计了一种由四个阶梯型波导魔T组成的Ka波段和差网络。相比于传统的波导匹配魔T,该新型魔T由于采用了阶梯型过渡匹配结构,抗振动能力较好。四个魔T按一定方式排列和连接,以使和差端口成一直线分布,四个接收端口成"十"字型分布,易于系统集成。通过三维电磁仿真软件优化设计,在34 GHz~36 GHz范围内,和差器各端口回波损耗大于15 d B,当和端口激励时各输出端口的幅度一致性小于0.1d B、相位一致性小于5°。最后,给出和差网络的实物测试结果,并与仿真结果对比。     

高稳定Ka波段微带耿氏振荡器

报道了一种使用介质谐振器稳频的高性能和高稳定的Ka波段全微带GaAs Gunn振荡器。在33GHz下,输出功率高达170mW,频率稳定度为9.7ppm/℃。     

一种Ka 波段多通道收发组件设计

基于混合微波集成电路技术(Hybrid Microwave Integrated Circuit, HMIC)设计了一款Ka 波段多通道 收发组件。该收发组件由四路接收链路、两路发射链路、衰减控制模块、锁相介质振荡器(Phase-locked Dielectric Resonator Oscillator, PLDRO)和电源模块组成。测试表明,该组件发射功率可达36 dBm,接收增益最大可达70 dB,接 收链路可以实现0~62 dB 的增益调控,发射链路可以实现0~31 dB 的增益调控,通道间隔离度可以达到80 dBc,实 现了大功率、高增益、大动态增益范围的技术要求,具有较高的工程应用价值。     

Ka波段高功率放大器设计

微波单片集成电路(Microwave Monolithic Integrated Circuit,MMIC)以其体积小型紧凑、一致性好、可靠性高、成品率高、适用于批量生产等特点,在微波通信系统中得到广泛的应用。基于Ga As赝配高电子迁移率晶体管,采用功率合成技术和阻抗匹配技术设计了一款Ka波段功率放大器,对电路进行了仿真分析,并进行流片。实测结果表明电路工作频率从36~38 GHz频段范围,P1d B输出功率大于35 d Bm,增益大于18 d B,功率附加效率为16%。     

一种微带线高隔离度功分器的设计

在功分器设计中,随着频率的升高,输出端口的隔离度会变差,使系统性能下降。应某课题的需求,利用微 带传输线的特性,仿真设计了一种具有高隔离度的Ku 频段威尔金森功分器,设计原理是通过在输出臂适当增加微带线, 同时引入隔离电阻实现输出端口匹配。将此功分器应用到阵列天线的馈电系统,子天线间端口隔离度变大,仿真结果 能达到-40dB,能够满足应用需求,提升了阵列天线系统的性能。     

一种新型微带/槽线混合结构的宽带魔T

提出一种新型宽带平面魔T结构,该魔T基于传统的微带混合环的原理设计而成,为扩展工作频带,采用了微带-槽线混合结构,通过将槽线T接头功分器的反相输出特性与微带T接头功分器的同相输出特性相结合,从而实现两输出端口的宽带和/差输出。测量数据表明该魔T结构可实现超过25%的相对工作带宽(输入端口回波损耗低于-10dB),在工作频带(4.3~5.6GHz)内,其传输插损小于1dB,两对隔离端口的隔离度分别为-30dB和-20dB。     

Ka频段高功率超窄带带通滤波器设计

本文针对某型号设备需要,设计了一种Ka频段高功率、超窄带滤波器,采用圆波导高次模结构,利用耦合矩阵系数法,结合三维电磁场仿真对滤波器进行了分析, 优化出结构尺寸,给出了该滤波器的仿真结果,并对该滤波器在常压和真空环境下所能承受的功率进行了近似分析,最终设计了一款相对带宽约0.1%的Ka频段高功率超窄带带通滤波器,经过调试、测试,整个通带插入损耗小于0.4dB,带内驻波小于1. 25:,带内平坦度小于0. 2dB,与仿真计算结果基本一致。     

Ka波段低噪声放大器的设计

利用pHEMT工艺设计了一个Ka波段微波单片低噪声放大器电路。电路采用四级放大的结构形式。利用微带电路实现射频输入、输出和级间匹配。采用多目标优化方法对电路增益、噪声系数、驻波比、稳定系数和输出1dB压缩点等特性进行了研究。设计出一个增益大于20dB,噪声系数小于1．0dB,1dB压缩点的输出功率在10dBm以上,性能优异的LNA。     

Ka波段低噪声放大器的研制

毫米波低噪声放大器是毫米波接收系统的关键部件,本文设计的毫米波低噪声放大器采用BJ320波导口输入输出和微带探针过渡结构实现波导结构到微带平面电路的过渡,使用MMIC芯片微组装工艺实现电路的制作,在工作频带内,测得该低噪声放大器的增益大于16 dB,噪声系数小于2.7 dB,达到了工程使用的要求。     

Ka波段低噪声放大器的研制

本文介绍了Ka波段低噪声放大器的设计和实验结果。     

低电压、高脉冲输出功率Ka波段行波管研制

应用于毫米波系统的行波管电压低、效率高,本文简要分析了低电压、高脉冲输出功率Ka波段行波管关键技术,介绍了设计方案和制管结果。行波管在17 kV工作电压脉冲输出功率600 W。     

小型化Ka波段行波管研制

小型化毫米波平台要求行波管体积小,行波管各主要部件结构上要进行小型化设计,本文简要介绍了Ka波段行波管小型化的关键和设计方案及制管结果。行波管长度减小了73mm(从230~167 mm)。     

Ka波段介质谐振器的研究

介质谐振器由于具有体积小、损耗低等优点,得到了越来越广泛的应用.设计了一款Ka波段介质稳频振荡器,振荡器中集成了介质谐振器用于选频.通过采用合适的介质振荡子及适当尺寸的金属屏蔽腔,使介质谐振器谐振在Ku波段,再通过单片进行倍频放大,从而得到Ka波段信号.介绍了介质振荡子的选取及参数计算.并以此为根据作为介质谐振器的设计原则,最后得到的Ka波段信号输出频率(fo)为38.22 GHz,输出功率(Po)为7.38 dBm,相位噪声为-80 dBc/Hz@100 kHz.     

一种Ka/EHF频段分波器(OMJ)的设计

针对传统分波器影响高频方向图的问题,提出了一种新型的Ka/EHF频段分波器设计方法。与传统分波器相比,该分波器具有低损耗、低驻波、高频段隔离的优点,其通过使用皱褶波纹滤波器和sin²曲线过渡,实现了Ka、EHF频段信号的低损耗分离,分布式参数综合设计的波纹滤波器对高频信号产生了极佳短路面,sin²函数曲线过渡较好地抑制了高次模。设计、加工和测试了样机,接收频段的回波损耗小于-22 dB,发射频段的回波损耗小于-25.2 dB,仿真结果与测试结果基本吻合,验证了方法的正确性和有效性。     

Ka波段GaN HEMT栅结构仿真研究

为了研究适合Ka波段GaN HEMT的栅结构尺寸,借助二维器件仿真软件Silvaco Atlas,在完善仿真模型的基础上研究了T型栅各部分对GaN HEMT特性的影响,包括栅长与短沟道效应的关系、栅与沟道距离对短沟道效应和饱和漏电流的影响,以及栅金属厚度对最大震荡频率,栅场板对截止频率、最大震荡频率和内部电场的影响。根据典型器件结构和材料参数的仿真表明,为了提高频率并减轻短沟道效应,栅长应取0.15~0.25um;减小栅与沟道的距离可略微改善短沟道效应,但会明显降低器件的饱和漏电流,综合考虑栅调制能力、饱和漏电流、短沟道效应三个方面,栅与沟道距离应取10~20nm;为了提高最大振荡频率,栅金属厚度应大于0.4um;缩小栅场板长度可有效提高器件的频率,兼顾Ka波段应用和提高击穿电压,栅场板长度应在0.3~0.4um左右。仿真得出的器件性能随结构参数的变化趋势以及尺寸数据对于Ka波段GaN HEMT的研究具有参考意义。