薄膜太阳电池系列讲座(5) 碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(下)

图4碲化镉薄膜的生长条件除了氩气压强在2.5～50mTorr范围内变化外,其他沉积条件都保持一样。从图中可以看到:(1)所有薄膜在沉积初期(体层1～2nm厚)都有相对较厚的表面粗糙层。这时沉积下来的碲化镉容易聚成岛状而不是平     

碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(上)

介绍了碲化镉电池的基本结构,碲化镉及其相关材料的沉积方法和基本性质,尤其是多晶材料的光学性质与其能带结构、晶粒尺寸等其他物理性质的相关性.光学检测是研究薄膜太阳电池的重要工具.通过原位椭偏学观测到的碲化镉表面粗糙度的实时演变,碲原子和硫原子的扩散,以及碲化镉、硫化镉光学性质的深层分析证明了这一手段的独特作用.     

薄膜太阳电池系列讲座(3) 碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(上)

介绍了碲化镉电池的基本结构,碲化镉及其相关材料的沉积方法和基本性质,尤其是多晶材料的光学性质与其能带结构、晶粒尺寸等其他物理性质的相关性。光学检测是研究薄膜太阳电池的重要工具。通过原位椭偏学观测到的碲化镉表面粗糙度的实时演变,碲原子和硫原子的扩散,以及碲化镉、硫化镉光学性质的深层分析证明了这一手段的独特作用。     

碲化镉(CdTe)薄膜太阳电池及其光学检测(下)

图4碲化镉薄膜的生长条件除了氩气压强在2.5～50mTorr范围内变化外,其他沉积条件都保持一样.从图中可以看到:(1)所有薄膜在沉积初期(体层l～2nm厚)都有相对较厚的表面粗糙层.这时沉积下来的碲化镉容易聚成“岛”状而不是平铺成层状,“岛”的高度随氩气压强增加而单调增加;(2)体层厚度2～l0nm之间,上述分离的岛状沉积体扩大后相互接触,底部变成了连贯的体层,因此表面粗糙层厚度降低;(3)体层厚度10nm以上,表面粗糙层的厚度再次增加,而且增加的速率随氩气压强而明显不同.在2.5 ～ 14mTorr范围内,表面粗糙层厚度随氢气压强增加而单调增加(差别达10倍左右),而在14～50mTorr范围内,表面粗糙层厚度随氩气压强增加而单调减少.     

薄膜太阳电池系列讲座(8) CIGS薄膜太阳电池(下)

③柔性CIGS电池的卷-卷(Roll-to-Roll)制备工艺CIGS薄膜电池制备在柔性衬底上,使其可能采用卷绕式(Roll-to-Roll)生产工艺。几百米甚至上千米长的电池一次完成[9],卷对卷工艺可降低设备造价和占地面积,同时有效提高生产效率。卷对卷工艺设备局部示意图如图16所示。在CIGS薄膜电池工艺流程中,在分切成外联要求的单个电池     

薄膜太阳电池系列讲座(15) 硅基薄膜太阳电池(七)

(3)非晶硅氧(a-SiO:H)合金[34,35]以H稀释硅烷添加CO2作混合气源,控制衬底温度、沉积气压及CO2浓度比CO2/(CO2+SiH4)(其中硅烷用氢稀释浓度比SiH4/(SiH4+H2)表示),在等离子体放电作用下,CO2、SiH4、H2之间将产生以下反应:SiH4+CO2+H2→a-SiO:H,生成非(或微)晶硅氧合金薄膜。硅氧(SiO:H)合金可以是非晶态,也可以是含微晶相的。由Si的无规网络(图34a)与SiO2网络(图34b)之间融合状态的不同,硅氧合金的原子构     

太阳电池及其应用技术讲座(一)半导体基础知识

1 硅晶体 半导体的导电能力介于导体和绝缘体之间,电阻率大约为10-5～lO7ΩQ·cm,硅、锗、砷化镓和硫化镉等材料都是半导体.半导体材料的电阻率随着温度的升高和辐照强度的增大而减小;在半导体中加入微量的杂质(称为掺杂),对其导电性质有决定性的影响.这是半导体材料的重要特性.     

溅射Cu/In叠层预置膜再硒化法制备CuInSe2薄膜

采用Cu、In双靶,低功率直流磁控溅射的方法沉积Cu-In双层预置膜,然后采用固态源硒化法生成CuInSe2(CIS)薄膜.采用SEM和EDX观察和分析薄膜的表面形貌与成分,用XRD表征薄膜的组织结构.重点分析了不同衬底,不同铜、铟溅射顺序对Cu-In双层预置膜与CuInSe2半导体薄膜成分、形貌和相结构的影响,分析了不同溅射顺序下薄膜的生长机制.以镀Mo玻璃为衬底生长的薄膜具有更理想的形貌;在Cu-In膜制备过程中采用先溅射Cu后溅射In的沉积顺序,能有效地利用元素In润湿能力强的特点,使Cu、In充分结合形成均匀致密的Cu-In预置膜,经硒化处理得到了具有单一黄铜矿结构的CulnSe2半导体薄膜.