近代电信大事记(续)

1934年英国人H.H.布莱克(H.S.Black)借助负反馈原理改进了电话增音机的设计。美国人阿姆斯特朗(Armstrong)进行了调频广播试验。在苏联出生的美国人舍盖伊·苏柯诺夫(Serggi Schelkunoff)发表了论文,得出有关同轴传输线结构标准的结论。1935年西德和英国开放了正规的电视业务。在伦敦和伯明翰之间的4管同轴电缆上开通了高频载波系统。这里的电缆不仅用作电话电路,还用作传输电视。1936年     

H3O+(H2O)n(n=0～4)与甲醇、乙醇反应的实验研究

在流动余辉质谱装置上，利用He的空心阴极放电产物与H2O反应制备了反应物离子H3O (H2O)n(n=0～4)，并观察了H3O (H2O)n(n=0～4)与CH3OH、C2H5OH反应的产物离子，对它们进行了归属，分析了各种产物离子形成的离子-分子反应机制。     

a-Si:H/InP异质p-n结a-Si:H/In_(0.73)Ga_(0.27)As_(0.6)P_(0.4)/InP HBT的研究

本文用辉光放电(G·D)法在(100)晶向p型InP衬底上淀积n型a-Si:H,形成较为良好的异质p-n结。测试结果为:a-Si:H/InP异质p-n结的正向电流输运机理符合发射-复合模型,其理想因子η约为1.4～1.7,反向击穿为雪崩击穿。本文同时还研制了以a-Si:H作为宽禁带发射区的a-Si:H/In_(0.73)Ga_(0.27)As_(0.6)P_(0.4)/InP HBT,测试结果显示出其明显的调制和放大性能,HBT的共发射极电流放大倍数约为2。     

快速变换与数字滤波(续)

对应于刀二8,式(20))戈为刀‘(3);,‘。‘3,X‘3’(22)山式(15)知,可川H.(2)人示H.(3),一J:是式(22)可写成:︸一11.(2)一H.(2)H‘(2)一H.(2)-一X(0)X(1)X(2)X(3)X(4)X(5)X(6)一X(7)(23) l一8 一一 一﹁n︶‘.二,‘,J ij任︸﹄J内b行IB B BB一B B BB把式(23)矩阵按虚线分块,根据矩阵乘法规则,即前一分块的列数必须和后一分块的行数相X(4X(5X(6X(7)-)))-和 l一B·(。)一I{一丑二(4)一I”,则把】粼{】粼{ I一五:(3)一l,j一B二(7)一I一X(0)-X(1)X(2)一X(3)-分块矩阵的乘法运算可得:(24a)、,子、,尹、、Z、.j、,矛2.、了‘、了…     

Si_(3)N_(4)/WS_(2)/Al_(2)O_(3)三明治型纳米激光器结构参数优化EI北大核心CSCD

高性能的片上纳米激光器对通信、传感以及量子等领域的发展有着至关重要的意义。纳米激光器中高的光学限制因子可以保证更大的模式增益,实现更低的激光器阈值。首先阐明了借助物理气相沉积和原子层沉积制备Si_(3)N_(4)/WS_(2)/Al_(2)O_(3)三明治型纳米激光器阵列的工艺流程;构建了该纳米激光器的仿真模型,在仿真模型中对实际结构进行了简化并分析了Al_(2)O_(3)覆盖层厚度T、Si_(3)N_(4)微盘直径D和厚度H对光学限制因子的影响。光学限制因子随着Al_(2)O_(3)覆盖层T以及Si_(3)N_(4)微盘直径D的增加有先增加后减小的趋势,Si_(3)N_(4)微盘厚度H的减小也可以显著增加激光器的光学限制因子;最后展示了器件的荧光以及扫描电子显微镜的表征结果。该工作为集成光学芯片中可规模制备的高性能纳米激光器打下了良好基础。     

Tb配合物TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O的电致发光器件

合成了一类新型稀土配合物TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O,将其掺杂到导电聚合物聚乙稀咔唑(PVK)中获得了纯正、明亮的绿光发射.用这种掺杂体系分别制作了2类器件:1) ITO/PVK:TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O/LiF/Al;2) ITO/PVK:TbY(o-MOBA)6(phen)2·2H2O/BCP/AlQ/LiF/Al.器件1的起亮电压为13 V,在21 V时最大亮度为18.2 cd/m2;结构优化的器件2,在23 V 时最大亮度可达124.5 cd/m2.将这种材料的发光性能与另一种稀土配合物Tb(o-MOBA)3phen·H2O相比较,并分别讨论了其光致发光(PL)和电致发光(EL)机理.     

钠米晶LaCo_(0.2)Fe_(0.8)O_3的制备及湿敏特性研究

以La(NO3)3×6H2O,Fe(NO3)3×9H2O和Co(NO3)2×6H2O为原料,采用柠檬酸盐法合成LaCo0.2Fe0.8O3纳米晶,用DTA,TGA对原粉形成纳米晶过程进行分析,用XRD,SEM对纳米晶进行表征,并对其湿敏特性进行研究。结果表明,在600℃下焙烧使原粉形成了稳定的钙钛矿纳米晶。此材料在相对湿度大于54%RH时对湿度的变化有较高的灵敏度,掺杂适量无机盐可以改善材料的湿敏特性,使它在全程湿度范围内对湿度都有很好的响应。     

a-Si_(1-x)C_x:H/pn~(-in)结构的蓝白色电致发光

本文介绍了一种新的p~+μc-Si:H/pn~-in a-Si_(1-x)C_x:H/n~+μc-Si:H多层结构电注入发光器件.首次在室温下用肉眼直接观察到了蓝白色的电注入发光(EL).EL光谱的分布和峰值位置可以通过改变n~-ia-Si_(1-x)C_x:H层的碳原子含量来调整.EL总强度与正向注入电流之间遵从幂函数规律:L∝I~n;电流电压特性具有空间电荷限制电流关系:I∝V~p. 在室温下测得:n～1.5,P>2.当正向注入电流等于50mA时,器件的发光亮度接近1fL.     

电子节能灯用电路IR53H(D)420

美国国际整流器公司生产的IR53H420与IR53HD420[(以下写为IR53H(D)420)]自振荡半桥厚膜电路,仅需要很少量的外部元件,即可组成电子镇流器,用作驱动双U型、3U型和螺旋型等紧凑型荧光灯。封装、内部结构和性能IR53H(D)420采用7引脚(实际上是9引脚结构,没有5引脚和8引脚)SIP封装,外形及引脚排列如图1所示。IR53H(D)420内置一个高压高速自振荡半桥(M O S栅极)驱动器芯片IR2153C、两只半桥功率M O S F E T芯片。其中,IR53HD420还内置了一只快速恢复(自举)二极管。图2为IR53H(D)420的内部结构框图。图1IR53H(D)420各引脚的功…     

(Hg_0.6Cd_0.4)_(1-y)Te_y的缺陷分析

金属饱和Hg_(0.8)Cd_(0.4)Te的(p-n)值和P_(H(?))值可用一简单的非简并半导体模型来适配,这种半导体包含有双离子化的固有施主和受主,以及浓度为1～4×10~(15)cm~(-3)的外来施主。所得到的参数与室温的禁带宽度和本征载流子浓度的现有值相一致,也与考虑了计算的电离杂质散射后所需要的高度补偿相符合。这些参数是: log_(10)n_i=-1118/T 13.76 1.5logT logP_(H(?))(本征)=-4850/T 7.926 logk_2~(1/2)=-4032/T 21.52     

GD a-Si:(Cl,H)薄膜的ESR研究

报道了对a-Si:(Cl,H)与a-Si:H薄膜的ESR比较研究的结果.在a-Si:(Cl,H)中除g=2.005信号外未发现新的自旋信号,说明Cl原子上没有未配对电子;也没有发现在g=2.005附近有超精细结构,峰宽也无显著变化,说明Cl原子不在悬键附近.     

(Ba_(1-x)Sr_x)TiO_3薄膜的制备及性能的研究

选用 Ba(C2 H3O2 ) 2 、Sr(C2 H3O2 ) 2 · 1/ 2 H2 O和 Ti(OC4H9) 4为原材料 ,冰醋酸为催化剂 ,乙二醇乙醚为溶剂。用改进的溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Ti/ Si O2 / Si基片上成功地制备出钙钛矿型结构的 (Ba1 - x Srx) Ti O3薄膜。该薄膜是制备铁电动态随机存取存储器、微波电容和非致冷红外焦平面阵列的优选材料 ;分析了薄膜的结构 ;测试了薄膜的介电和铁电性能。在室温 10 k Hz下 ,(Ba0 .73Sr0 .2 7) Ti O3薄膜介电系数和损耗分别为 30 0和 0 .0 3。在室温 1k Hz下 ,(Ba0 .95 Sr0 .0 5 ) Ti O3薄膜剩余极化强度和矫顽场分别为 3μC/ cm2和 5 0 k V/ c     

K(4P)原子与H2分子高转动态间的碰撞转移

研究了K(4P)与H2的电子-高转动态能级间的碰撞转移.利用CARS(相干反斯托克斯拉曼散射)探测H2的高转动态分布,扫描和激活CARS谱证实了在的H2(0.9),(0,10),(0,11)和(1,7)能级上有布居.由扫描和激活CARS谱的峰值得到转动态布居数之比.通过速率方程分析,由时间分辨CARS轮廊得到(0,9),(0,10),(1,7)的自弛豫速率及H2(0,11)→H2(1,7)的碰撞转移速率系数为(2.2±0.6)× 10-12cm3s-1.     

2003年IEEE国际可靠性物理年会论文集论文摘要(4)

59.200 G H z SiG e 异质结双极晶体管中雪崩电流引起的热载流子退化 (A valanche Current Induced H otCarrier D egradation in 200 G H z SiG e H eterojunctionBipolar Transistors)-- 2003 International R eliabilityPhysics Sym posium pp.339-343. 介绍了在加速雪崩应力条件下对 SiG e 异质结双极晶体管 H B T 的研究 试验中 基极-发射 ( ) , ,极结是正向偏压 收集极-基极结是反向偏压 处 , ,于雪崩条件下 高能雪崩载流子 热载流子 给 。 …     

通用软盘扇区地址(ID)阅读程序

我们知道,一个扇区的结构如下图所示,其中扇区地址标志字段ID(磁道号C,磁头号H,扇区号R,扇区大小N)起着标识该扇区的重要作用,这就如同给该扇区起了一个名字。在标准格式的软盘中,扇区编号是按标准格式排列的,例如5寸低密软盘第20H道0面的ID参数排列如下:20H,00,01,02;20H,00,02,02;20H,00,03,02;20H,00,04,02;20H,00,05,02;20H,00,06,02;20H,00,07,02;20H,00,08,02;     

传感器讲座 第五讲 磁电式传感器(上)

磁电式传感器,范围很广。本文仅介绍对自动控制及检测仪器关系比较大的磁致伸缩换能器、霍尔效应和磁阻效应传感器、变μ式传感器以及磁进动式传感器四类,对涡流式传感器限于篇辐,暂不介绍。在介绍具体的传感器前,简单介绍一些磁学基本原理。设μ_0为真空的导磁率(4π×10~(-7)亨/米),B为磁感应强度(韦伯/米~2),H为磁场强度(安/米),J为磁化强度(韦伯/米~2),k为磁化系数,则对真空 B=μ_0H; (4-1)在铁磁物质中,由于它的磁化,产生一个附加的磁感应强度μ_0J,J=kH,大大地加强了总磁感应强度,其公式如下: B=μ_)(H+J)=μ_0(1+x)H=μ_0μ_rH; (4-2)μ_r称为相对导磁率,与k一样无量纲,其值与铁磁材     

H原子在Si(111)-7×7表面吸附的STM研究

利用超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM),在液氮(78K)及液氦(4.2K)低温条件下研究了H/Si(111)-7×7吸附体系.H原子易于吸附在表面增原子(adatom)以及剩余原子(rest atom)的位置,导致表面局域电子态密度(LDOS)和STM图像发生明显的变化.利用扫描隧道谱技术(STS)测量获得了H吸...     

数码相机中英文对照表(二)

(接上期)Glare眩光GN(GuideNu汕er)闪光指数GPD(G alli伽Photo Diode)惊光电二极管Graduated渐变Half Frame半幅Halfway半程Hand Grip手柄High Eye Point远视点High Key高调Highlight Control高光控制HoneyComb Meteri:19蜂巢式测光HybridC~ra混合相机H扣er Manual超手动H即er progr叨超程序1llu功ination Angle照明角度Illuminator照明器Image control影像控制Ilnage Slze Loek影像放大倍率锁定Infinity无穷远Infr犷red(IR)红外线Instant Return瞬回式Integrated集成Intelligenee智能化Intelli,nt Power Zoom智能化电…     

透明导电氧化膜的功函数对 μc-Si:H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能影响的数值模拟

用AFORS-HET软件分析了透明导电氧化膜(Transparent Conductive Oxide,TCO)的功函数对μc-Si∶H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池性能的影响.模拟结果表明,透明导电氧化膜的功函数会强烈影响太阳能电池的性能如Voc和FF.当透明导电氧化膜的功函数在TCO/μc-Si∶H(n)界面小于4.4 eV、μc-Si∶H(n)发射层的厚度为6 nm,透明导电氧化膜的功函数在μc-Si∶H(p+)/TCO界面大于5.2 eV且透明导电氧化膜为ZnO时,模拟的具有纹理结构的TCO/μc-Si∶H(n)/a-Si∶H(i)/c-Si(p)/a-Si∶H(i)/μc-Si∶H (p+)/TCO太阳能电池的转换效率达到了23.78％(Voc:758.6 mV,Jsc:40.94mA/cm2,FF:76.58％).这表明μc-Si∶H(n)/c-Si(p)异质结太阳能电池的性能与透明导电氧化膜的功函数紧密相关,通过透明导电氧化膜的功函数可以提高太阳能电池的效率.     

第六讲 磁电式传感器(下)

三、霍尔效应传感器 (一)霍尔效应(如图4-13)。在磁场H(安培/米)中以速度v运动的电荷将受到一个机械力这是一个矢量方程,(vH)为矢量积,其大小为vH sin H,其方向垂直于v及H组成的平面,且按右螺旋规则。如果单位体积有n个电荷,则电流I=nqvad安,由于力则得:(a,d′、l为片子尺寸,q为电荷的电量) 式中R=μ_0/nq称为霍尔系数,其单位为亨利·米~2/库仑。另外我们令M为迁移率M=v/E(米~2/伏秒)(E为电场强度,E=v/l)。代入得 即