定量会聚束电子衍射:Ⅱ.QCBED在镧钙锰氧中的应用

本文介绍了定量会聚束电子衍射术在镧钙锰氧材料中的应用.结合La2/3Ca1/3MnO3材料的特点,作者对定量会聚束电子衍射的实验方法和优化程序进行了改进,包括采用图像畸变校正、多起点聚簇全局优化算法等.在对该材料的晶格畸变研究工作的基础上,通过对电子零损失峰能量过滤的会聚束电子衍射图样的拟合测定了La2/3Ca1/3MnO3九个衍射的精细结构因子.     

在H—800电镜上实现会聚束电子衍射的方法

本文介绍在没有CBED附件的情况下,如何在H-800电镜上实现会聚束电子衍射(CBED)的几种方法,如成像模式法、衍射模式法、STEM模式法、Free模式法和大角度会聚束电子衍射(LA CBED)。给出详细的操作步骤和注意事项,并讨论了影响CBED花样的几个因素。     

Si1-xGex/Si界面区的会聚束电子衍射研究

会聚束电子衍射(CBED)技术是研究材料中纳米级微小区域结构特征的重要方法,在材料,物理,晶体学等学科有广泛的应用,特别是应变异质材料性能的一种极为重要的研究技术.采用Tanaka大角会聚束衍射(LACBED)方法时,由于入射束不聚焦在试样平面上,可同时得到LACBED衍射花样和被分析区的阴影像,很适用于研究界面及其附近的晶体结构变化.本文介绍在JEOL2000-FX透射电镜上应用Tanaka方法对硅/锗硅薄膜的界面及附近的晶体点阵变化进行LACBED分析的初步结果.     

SiC纳米线的孪晶机制的透射电子显微学研究

本文对溶胶-凝胶法制得的SiC微孪晶纳米线进行了微结构与孪晶机制的详细研究,利用会聚束电子衍射(CBED)及其动力学模拟技术间接证明了它是一种关于(111)面的60°旋转孪晶.并在此基础上对SiC微孪晶纳米线的生长机理进行了讨论.     

Ni3Al中位错的会聚束电子衍射研究

利用会聚束电子衍射技术研究晶体中的缺陷在实验和理论上都得到了重要的发展。本文研究了金属间化合物Ni_3Al中位错对HOLZ线的影响和相应的多束动力学模拟计算。     

应变硅PMOSFET中应变的LACBED研究

本文报道了应变硅p型金属氧化物半导体场效应晶体管(PMOSFET)沟道中的局部应变的大角度会聚束电子衍射表征.由于源和漏极区预非晶化锗离子注入工艺在源漏区引入了大量的缺陷,导致在截面电镜样品中存在切应变.利用大角度会聚束电子衍射(LACBED)测量了沟道区的压应变和切应变,并讨论了沟道区产生巨大压应变(2%以上)的原因.     

应变硅MOSFET沟道应变的有限元研究

本文报道了利用有限元计算和动力学大角度会聚束电子衍射模拟的方法研究了应变硅场效应晶体管沟道中的应变分布.沟道压应变是利用预非晶化源漏区锗离子注入应变诱导工艺技术引入的.有限元计算结果显示,器件的源漏区很低的锗注入剂量在沟道区的顶层造成了很大的压应变,而且在沟道和硅衬底中间形成一个应变过渡层.大角度会聚束电子衍射的动力学模拟结果与有限元计算结果符合很好.     

定量会聚束电子衍射金属间化合物中微量元素硼的偏聚特性的电子结构研究

本文简要介绍了定量会聚束电子衍射方法及其优化算法；采用此方法研究了微量元素硼在金属间化合物NiAl和Co3Ti中导致的电荷密度重新分布及原子键合的变化，据此解释了硼对Ni3Al和Co3Ti的晶界偏聚的特性和力学性能的不同影响。     

立方准晶的高阶劳厄带线和菊池线花样的计算机模拟

本文将晶体学中计算会聚束电子衍射(CBED)明场盘内HOLZ线的传统方法进一步发展到立方准晶的情况。本文应用计算机模拟立方准晶的沿几个主要带轴的CBED明场盘内的HOLZ线和在两个取向三角形内的菊池线的极射赤面投影图。     

界面残余应变场的会聚束电子衍射测定

用两种会聚束电子衍射(CBED)技术研究了复合材料界面残余应变场.常规正焦CBED方法中,用优化算法使计算的高阶Laue带(HOLZ)线图与实验图达到最佳拟合,进而确定残余应变.给出了一种减少优化计算中可调参数数目的方法.残余应变与表面弛豫引起的界面附近点阵平面面间距的变化、点阵平面的旋转与弯曲使得离焦的大角度会聚束电子衍射(LACBED)图中的衍射线移位、分裂与弯曲.表面弛豫引起的点阵平面的旋转也决定于本征应变.通过使动力学理论计算的LACBED图与实验图达最佳拟合,可以确定本征应变.用该方法研究了颗粒增强复合材料Al2O3/Al与晶须增强复合材料 (K2O@6TiO2) w/Al的界面残余应变场.     

Mg-Al-Zn-Sn合金时效析出的γ相颗粒数密度的测定

Mg-9.0wt.%Al-1.0wt.%Zn-4.0wt.%Sn合金样品在523 K温度下时效后,析出大量γ-Mg17Al12颗粒。利用会聚束电子衍射的方法测量样品的厚度,进而计算γ相颗粒的数密度Nv。结果表明在Mg-9.0wt.%Al-1.0wt.%Zn-0.2wt.%Mn合金中,添加一定量的Sn元素后促进了γ-Mg17Al12相颗粒的析出。     

Kossel-Möllenstedt衍射花样特征及薄晶体厚度测定

本文利用会聚束电子衍射(CBED)技术测定了晶体Si的局部厚度和消光距离ξ,讨论了关键参数n1取不同值时的数据特点及对分析结果的影响规律,明确了n1的确定方法,总结了Kossel-M?llenstedt(K-M)衍射花样特征及影响因素,给出了Si晶体(400)晶面K-M衍射花样的暗条纹位置预测图.结论如下:当n1<真值...     

热压Y-α/β-Sialon复相陶瓷的电镜分析

本文用ＴＥＭ，ＨＲＥＭ分析了热压Ｙ－α／β－Ｓｉａｌｏｎ复相陶瓷的组织结构，，结果表明长柱状β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒与等轴状α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒要互交叉结合在一起，在晶界上无晶间相分布，用会聚束电子衍射法可有效地区与α－Ｓｉａｌｏｎ相和β－Ｓｉａｌｏｎ相。电子能量损失谱（ＥＥＬＳ）分析表明在α－Ｓｉａｌｏｎ晶粒中有Ｏ，Ａｌ，Ｙ的固溶，在β－Ｓｉａｌｏｎ晶粒中有Ｏ，Ａｌ的固溶，Ｘ射线能谱（ＥＤＳ）分析表     

Pt／Si外延膜界面处Si基体中应力场的LACBED研究

我们利用大角度会聚束电子衍射(简称LACBED)的方法对Pt/Si外延膜界面处Si基体中的应力场进行了研究。Pt/Si外延膜试样是用蒸镀的方法在基体Si片上沿(111)面外延生成金属Pt而成。X-射线分析结果表明Pt沿Si(111)面外延生长很好。图1是Pt/Si界面的明场象。左面为衬底Si,右边为外延生长Pt层。图2是电子束照射在界面附近不同地方的LACBED花样。图中界面在LACBED花样中所处的位置可以清晰地看出。图2(a)可以看出,当界面远离     

应变和成份调制超晶格的CBED研究

由A晶格和B晶格超薄层构成一维周期性结构称为超晶格。根据超晶格中应变量的大小可对超晶格进行分类,当应变量很小,各层的原子散射振幅相差甚远时,则为成份调制的超晶格,如AlAs/GaAs超晶格:若应变量显著,而各层的原子散射振幅相差不大时,则为也变调制的超晶恪,如In_xGa_(1-x)As/GaAs超晶格。最近我们用会聚束电子衍射(CBED)研究了成份调制的超晶格AlAs/GaAs和应变调制的超晶格In、Ga_(1-x)As/GaAs的运动学和动力学衍射效应。     

快速凝固Al-8.8 Fe-3Ti中亚稳相空间群的会聚束(CBED)确定

用会聚束电子衍射(CBED)对快速凝固(RS)Al-8.8wt％Fe-3wt％Ti合金中成分为85.6Ti-11.5Al-2.9Fe(wt％)的块状亚稳相的分析表明:它属于面心立方晶系,空间群为Fm3m,点阵常数α=0.426nm。作者认为这种块状相是在快凝合金中产生的一种新的三元亚稳相。     

十次对称准晶中位错对的会聚束电子衍射研究

自准晶体发现以来,对准晶体中的缺陷的研究一直是人们感兴趣的课题,在准晶体中人们发现了位错、层错、小角晶界、位错圈和公度错等缺陷。这里,介绍我们利用离焦会聚束电子衍射(简称CBED)对Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中位错对的研究结果。图1是在Al_(70)Co_(15)Ni_(15)十次准晶中观察到的位错对的双束明场像。衍射分析表明,构成这些位错对的位错的柏格矢方向都沿着十次轴。在位错对的终端,两位错头部的黑白衬度振荡一样,说明两位错具有相同符号的柏格矢。这说明这些平行排的位错构成位错对。利用+g的弱束象分析结果也说明它们是位错对。图2(a),(b),     

ZnSe复合孪晶纳米带的TEM表征

通过热蒸发的方法在镀金的硅衬底上得到了硒化锌(ZnSe)复合孪晶纳米带.利用透射电镜选区电子衍射(SAED)方法并结合明场像确定了ZnSe复合孪晶纳米带的结构及生长方向,发现ZnSe复合孪晶纳米带由取向互为{113}镜面孪晶的两个纳米子带组成,单个纳米子带又由纳米量级的<111>旋转孪晶片层构成.采用会聚束电子衍射(CBED)技术确定了ZnSe复合孪晶纳米带沿<111>方向的极性.根据CBED结果并结合实验过程的设定,对ZnSe复合孪晶纳米带的形成机制进行了讨论.     

用六维团簇模型和定量会聚束电子衍射优化i-AlPdMn准晶的结构因子

基于二十面体AlPdMn准晶的六维团簇模型,用定量会聚束电子衍射法优化了二十面体AlPdMn准晶的8个独立的强反射结构因子。将优化得到的结构因子替换X射线衍射实验得到的结构因子,并与其它的X射线衍射实验得到的结构因子相结合,用Fourier合成的方法得到二十面体AlPdMn准晶的电荷密度分布和差值电荷密度分布。所得差值电荷密度表明,当Al原子的最近邻原子为Mn时,Al原子失去较多的电子,Mn原子得到电子,说明发生了Al的外层电子向Mn原子转移,Mn显示负的化合价。这一结果与他人的理论计算结果相符。     

SiCf/Ti-6Al-4V基复合材料界面晶格常数变化的CBED研究

本实验采用会聚束电子衍射(CBED)方法,研究3种不同状态SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面附近α-Ti晶粒的晶格常数变化.结果表明:在纤维-基体界面区域,靠近界面处晶格常数变化较大,随距界面反应层距离增大,晶格常数的变化趋近缓慢.有C涂层SiC纤维制成的复合材料中晶格常数变化比无C涂层复合材料晶格常数变化小.相比制备态复合材料,热暴露无C涂层SiCf/Ti-6Al-4V复合材料界面处,晶格常数变化较为缓和.