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Dy203掺杂(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用单因素变量法研究了(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷中掺杂稀土氧化物Dy2O3对材料介电性能的影响,得到了Dy2O3影响其性能的规律,即随着Dy2O3加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减少,当W(Dy2O3)=0.5%时介电常数最大,而介质损耗逐渐减少.得到了介电常数为5245,介质损耗为0.0026,耐压为5.5kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料.利用SEM分析了不同Dy2O3加入量样品的表面形貌.结果表明Dy2O3有强烈的偏析晶界、抑制晶粒生长和细晶、形成固溶体等来影响BST性能.这些结果为Dy2O3掺杂改性(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷提供依据. 相似文献
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Dy2O3掺杂(Ba,Sr)TiO3基电容器陶瓷的研究 总被引:2,自引:0,他引:2
采用单因素变量法研究了(B a,S r)T iO3基电容器陶瓷中掺杂稀土氧化物D y2O3对材料介电性能的影响,得到了D y2O3影响其性能的规律,即随着D y2O3加入量的增加材料的介电常数开始增大随后减少,当W(D y2O3)=0.5%时介电常数最大,而介质损耗逐渐减少。得到了介电常数为5245,介质损耗为0.0026,耐压为5.5kV/mm的高压低损耗陶瓷电容器瓷料。利用SEM分析了不同D y2O3加入量样品的表面形貌。结果表明:D y2O3有强烈的偏析晶界、抑制晶粒生长和细晶、形成固溶体等来影响BST性能。这些结果为D y2O3掺杂改性(B a,S r)T iO3基电容器陶瓷提供依据。 相似文献
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工业化(Ba,Sr,Ca)(Ti,Zr)O3基电容器陶瓷的研究 总被引:5,自引:3,他引:5
采用正交设计试验研究了配方对(Ba,Sr,Ca)(Ti,Zr)O3(BSCTZ)基电容器陶瓷介电性能的影响,得到了影响BSCTZ基陶瓷介电性能的主次因素,各因素水平影响基性能的趋势,同时得到了介电常数最大的配方和介质损耗最小的配方,在实验过程中晶相料均是工业纯,这样极大降低电容器陶瓷制造成本,通过正交设计实验得到综合性能佳的BSCTZ基陶瓷,利用SEM研究了BSCTZ陶瓷的显微结构,探讨了各组分对BSCTZ基陶瓷介电性能影响机理,为研制高介,低损耗,高耐压电容器陶瓷提供了依据。 相似文献
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采用固相烧结法制备了Pb(1-2x/3)Lax(Ti0.99 Mn0.01)O3压电陶瓷,研究了镧掺杂量(x=0.005,0.045,0.075,0.150,物质的量分数)对压电陶瓷晶格常数、压电各向异性、介电常数、介电损耗、居里温度以及机械品质因数的影响.结果表明:随着镧掺杂量增加,压电陶瓷晶格的轴向比(c/a)减小,各向异性和四方相结构减弱,介电损耗减小,机械品质因数增大;镧的掺杂有利于压电性能的改善,但会造成压电各向异性减弱,居里温度降低,介电常数增大. 相似文献
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采用固相合成法制备了掺杂CuO的(1-x)Ca0.61Nd0.26TiO3+xNd(Mg1/2Ti1/2)O3微波介质复合陶瓷材料,研究了不同成分复合陶瓷烧结后的密度、微观结构以及介电性能的变化规律。结果表明:随着x值的增大,复合陶瓷的介电常数呈下降趋势,Q.f值逐渐升高,谐振频率温度系数由正变为负,且在0.3相似文献
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采用一种封闭式的圆柱形微波谐振腔,实现了微波介质陶瓷材料以及其他中低损耗材料介电常数的准确测量,通过模式匹配技术实现了介质加载条件下腔内电磁场问题的精确求解,得到了腔体谐振频率与材料介电性能之间的精确关系,对各类典型介质材料的测量结果以及多家比对数据表明,相比于传统方法,该方法的测量准确度更高,可达到0.1%;测量范围更宽,不仅能准确测量高介电常数的微波介质陶瓷,也适用于低介电常数的交联聚苯乙烯、聚四氟乙烯等材料,此外由于闭式腔不存在辐射损耗,金属表面电流损耗也较小,对低损耗材料的Q值测量更加准确,损耗角测量下限达10~(-6)以下。该方法适用于介电常数εr=1~100及以上,损耗角正切tanσ=1×10~(-3)~1×10~(-6)范围内各种材料介电性能的准确测量。 相似文献
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本文介绍了BaO-Nd2O3-PbO-TiO2微波介质陶瓷的研制结果,εr=90,Q=2000(2GHz),τf=0ppn/℃。此材料有一非常高的介电常数,它适用于频率小于1GHz的应用。另外,我们对此材料作了电镜和X衍射等结构分析,证明此材料生晶相为(Ba、Pb)Nd2Ti5O14。 相似文献
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《机械工程材料》2017,(4)
采用固相反应烧结工艺制备了(1-x)(0.94Bi_(0.5)Na_(0.5)TiO_3-0.06BaTiO_3)-xBiFeO_3(BNBT6-xBF,0.02≤x≤0.10,x为物质的量分数)无铅压电陶瓷,研究了BiFeO_3掺杂量(即x)对陶瓷晶体结构,介电、铁电和场致应变性能的影响。结果表明:制备得到的BNBT6-xBF陶瓷均为纯钙钛矿结构;当x0.08时,陶瓷晶体结构仍然处于准同型相界,当x=0.09时,陶瓷晶体结构开始向伪立方相转变;掺杂BiFeO_3有利于提高陶瓷的介电常数;随着BiFeO_3掺杂量的增加,陶瓷从铁电相向弛豫铁电相转变,铁电性能不断被削弱;陶瓷的场致应变先增大后减小,在x=0.09时达到最大,为0.28%,其等效压电常数为440pm·V~(-1)。 相似文献
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并联双三角机构精度分析 总被引:2,自引:0,他引:2
并联双三角机构是Stewart平台的一种特殊型式。由于其结构的特点 ,直接精确测量该机构的结构误差有一定困难。文中采用一种有效的误差正解分析方法 ,分析包含球铰、驱动杆长在内的全部结构参数误差以及平台半径的变化对主轴端位姿误差的影响。应用这种误差正解方法可定量地确定结构参数设计精度 ,并能找出特定位姿下的敏感结构参数。为这类并联机器人的设计、制造及装配提供了一种有效的途径 相似文献
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3Cr3Mo3VNb钢热锻模失效的特征分析及提高模具使用寿命的措施 总被引:1,自引:0,他引:1
通过对模具早期失效的特征分析 ,找出影响模具使用寿命的主要因素 ,并在设计、机械加工、热处理及使用过程中采取相应预防措施 ,提高模具使用寿命 ,达到降低成本、提高产品质量和获得良好经济效益的目的 相似文献
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Coating of 0.65Pb(Mg(1/3)Nb(2/3))O(3)-0.35PbTiO(3) (PMN-PT) relaxor ferroelectrics by a sol-gel method is followed by growth of epitaxial SrRuO(3) (SRO) metallic oxide electrodes on SrTiO(3) (STO) single-crystal substrate by pulsed laser deposition. High-quality PMN-PT films on SRO with preferred growth orientation were successfully fabricated by controlling the operation parameters. Structural properties of relaxor ferroelectric PMN-PT thin films on SRO/STO substrates have been studied by X-ray diffraction (XRD), transmission electron microscopy (TEM) and atomic force microscopy (AFM). In-plane and out-of-plane alignments of the heterostructure are confirmed and the structural twinning of the materials are also revealed. 相似文献
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3自由度球面并联机构3-RRR静力全解 总被引:9,自引:1,他引:8
采用传统的拆杆法建立机构的静力学平衡方程,考虑构件弹性,利用小变形叠加原理建立机构的变形协调补充方程,进而完成3自由度球面并联机构的静力学分析.求得包括机构输入与输出载荷关系的每个构件上的全部力、力矩.通过计算,得到在三种外载荷下构件上的全部(各)力、输入转矩与机构运动位姿的关系图.结果表明,当作用在机构的外力(仅)F通过球心时,机构的输入力矩恒等于零,而构件上的力在全空间内随着机构位姿的变化比较平缓,机构等价一般结构架体而与机构的特性无关.仅在外力矩M作用下,机构的输入力矩、构件上的作用力随着机构位姿的变化与机构的特性相关(与雅可比矩阵的奇异性一致),力与力矩在构件上所产生的两部分力是独立的,并可以分离.研究为该机构在工程中的结构设计与应用提供静力学理论基础和依据. 相似文献
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3-RRR 3自由度球面并联机构静刚度分析 总被引:6,自引:0,他引:6
3自由度球面并联机构是重要的少自由度机构之一,各支链的构件为球面上的弧杆,其刚度计算十分复杂.基于此,采用计算杆件变形的方法,利用小变形叠加原理,推得机构动平台的角位移、球心点线位移与各支链两构件上力的关系.利用机构静力学分析的结果,即支链两构件上的力与动平台上的外力关系,建立机构动平台、球心点位移与外力的关系.进而得到机构的整体柔度、刚度矩阵.采用正交变换方法,得到机构的6个主刚度指标,最大、最小刚度及所在的方向.研究结果表明,机构的主刚度及主方向随着机构运动位姿的变化而变化,远离零点逐渐增大,其中3个主刚度(即扭转刚度)较大,另3个主刚度(线位移刚度)较小,两者差距巨大.研究成果为该机构的工程设计和应用提供了理论基础. 相似文献
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Triton-extracted, freeze-fractured 3T3 cells have been examined in the Hitachi S-900 field-emission SEM, after light platinum coating, at low beam voltage to evaluate the performance of the microscope under these conditions. For unstained material fixed in glutaraldehyde alone, high-resolution images can be obtained, at accelerating voltages of 1.5-5kV, after rotary deposition of platinum to an average thickness of 1.5-3nm. Comparisons are made between these results and those of studies by TEM of deep-etch replicas of similar material previously published. 相似文献