抗蚀剂近年发展动态

前言自从聚乙烯醇肉桂酸酯、环化橡胶、邻叠氮醌类等光刻胶的相继问世,伴随着紫外光刻技术的发展,抗蚀剂的研制工作正日新月异。进入八十年代,超大规模集成电路、磁泡等器件要求分辨率达亚微米级,由此出现了 X-射线抗蚀剂、电子束抗蚀剂以及深紫外抗蚀剂。本文就它们的现状作些综述。     

微细加工用抗蚀剂

什么是抗蚀剂用于制造电子工业精密元器件的抗蚀剂叫微细加工用抗蚀剂。它是一种通过感应光和电子束等射线后改变对溶剂的溶解性的耐蚀刻性被膜材料。根据对溶剂的溶解性能,分正性(可溶)和负性(不溶)两种;对光敏感者称为光致抗蚀剂;对电子束敏感者称为电子束抗蚀剂;对X线敏感者称为X线抗蚀剂。     

聚硅烷—高分辨的光致抗蚀剂

概述了光致抗蚀剂在微电子工业中的作用,着重介绍了聚硅烷光致抗蚀剂的特点,以及聚硅烷紫外、深紫外、X射线、电子未等抗蚀剂的发展状况     

电子束正型抗蚀剂

电子束照相制版具有两大优点:1.可大幅度缩短大规模集成电路从设计到制作的周期;2.可形成1微米以下的微细图形。用于电子束制版的抗蚀剂重点是开发正型抗蚀剂。其原因是:正型抗蚀剂的分辨率比负型高,没有后聚合效应,易于处理。同时,当时东芝开发的电子束扫描装置,正负型两种抗蚀剂都能用,而当时加工部门需要的是高灵敏度、高分辨率的实用性抗蚀剂。高灵敏度正型电子束抗蚀剂的开发有两条途径。第一是,开发交联型抗蚀剂,即在电子束照射前使抗蚀剂交联,使之对显影液有足够的稳定性,然后在电子束扫描到的部     

感光性树脂市场动向(下)——抗蚀剂用聚合物,光固化用聚合物

一、抗蚀剂用聚合物用于一般半导体元件制造的抗蚀剂材料,其种类可根据曝光光源的波长而灵活使用。光刻照相用光源和对应抗蚀剂材料的种类见表1。     

新型抗蚀剂介绍

新型抗蚀剂介绍金林生（无锡市化工研究设计院）１．序言在制作集成电路、大规模集成电路等半导体器件时，其细微加工是通过将抗蚀剂作为保护膜来进行蚀剂（微图复印术）的。这里所谓抗蚀剂就是经过光和放射线的照射，其溶解性发生变化的涂膜材料，在硅晶基板进行蚀刻的时...     

亚硝酸钙阻锈剂对钢筋钝化膜的影响

为深入揭示亚硝酸盐阻锈剂提高钢筋混凝土结构耐久性的机理,采用动电位极化技术、X射线光电子能谱(XPS)和原子力显微镜(AFM)研究了亚硝酸钙阻锈剂对钢筋表面生成的钝化膜的影响。动电位极化研究结果表明:未添加阻锈剂时,钢筋发生点蚀的临界氯离子浓度在0.05~0.06 mol/L之间,添加亚硝酸钙阻锈剂后,钢筋发生点蚀的临界浓度增大至0.18~0.20 mol/L,表明亚硝酸钙阻锈剂提高了钢筋表面钝化膜的抗点蚀能力。X射线光电子能谱的研究结果表明:钢筋表面生成的钝化膜的成分均是由铁的氧化物(Fe_(ox))和铁的氢氧化物(Fe_(hydrox))组成,亚硝酸钙阻锈剂降低了钝化膜中Fe_(hydrox)的含量。原子力显微镜的研究结果表明:亚硝酸钙阻锈剂的添加使得钝化膜的表面更加光滑平整。     

用改进曝光模型模拟厚胶显影轮廓

考虑厚胶曝光过程中非线性因素的影响及其显影特点,用一套随抗蚀剂厚度发生变化的曝光参数改进的Dill曝光模型,仿真厚层抗蚀剂光刻过程,并比较新曝光模型与原有Dill模型模拟的结果差异。模拟显示,用新曝光模型获得的厚抗蚀剂显影轮廓与实验结果吻合较好;并对厚胶光刻成像机理进行了讨论。通过分析正性厚层抗蚀剂AZ4562的显影轮廓,给出其显影线宽及边墙陡度随显影时间的变化规律,提出应以获得最大边墙陡度作为优化显影时间的思想。对厚度5μm和15μm的抗蚀剂,经计算,可获得良好的抗蚀剂浮雕轮廓的优化显影时间分别为98s和208s。     

LCD专用抗蚀剂

日本杰昂公司已将LCD(液晶显示器件)生产专用抗蚀剂商品化。加工ITO(铟、锡、氧化物)膜、TFT(薄膜场效应晶体管)等时要用这种抗蚀剂,要求对各种底膜具有较高的附着力,以使蚀刻液对抗蚀剂膜与底膜的交接处     

高性能化工新材料及其应用(六) 几种电子化工材料(下)

３印制线路板工艺用材料在印制线路板制作工艺过程中需用不少化工材料，这类材料包括干膜抗蚀剂、丝网印料、显影剂、阻焊剂、去膜剂及镀覆化学品等。前二种均属有机高分子材料。３．１干膜抗蚀剂干膜抗蚀剂为三层结构的感光材料，上层为聚酯膜、下层为聚乙烯膜，中间层是...     

半导体制冷热端散热强度的研究

影响半导体制冷性能的一个重要因素为半导体热端散热强度。针对这一问题本文首先选取了风冷散热、热管散热以及水冷散热三种散热方式进行了实验研究,得出水冷散热方式下制冷效果最佳的结论。其次,在最佳散热方式即水冷散热方式下,通过改变热端散热水流量从而改变散热强度的方法,选取6组热端散热水流量,进行半导体热端散热强度的实验研究,得出热端散热强度对半导体制冷性能的影响规律。     

障板上矩形薄板在浅水环境中的振动及声辐射解析分析

通过推导得到浅水环境中矩形板声辐射阻抗矩阵的解析表达,进一步结合振动假设模态方法及辐射表面单元辐射器思想求解浅水环境中矩形板的振动响应,分析水深对矩形板模态附加质量的影响,给出矩形板模态附加质量随水深的变化情况,得到波导模态的激发对附加质量的影响,并通过对辐射抗矩阵的特征分析得到附加质量在板上分布的主要模式;进一步结合声辐射模态辐射效率,分析水深变化对矩形板振动响应峰值及远场声辐射的影响,分析结果表明:水深度变化对振动响应峰值及声辐射功率的影响与第1阶声辐射模态的辐射效率随深度的变化具有一致性。     

复杂结构的声辐射解耦及其声辐射效率分析

提出一种用边界元方法与声辐射理论求解复杂结构的声辐射模态与声辐射效率的理论方法。先将结构的声辐射功率表示为一个正定的厄米特二次型，运用广义特征值分解求解了复杂结构的声辐射模态，然后利用声辐射模态关于阻抗矩阵与均方速度耦合矩阵的正交性，求解了复杂结构的声辐射效率，最后用具有解析解的脉动球与辐射立方体验证了该方法的有效性。     

基于非协调边界元法的声辐射模态分析

利用非协调单元离散声学Helmholtz边界积分方程,采用极坐标变换法消除积分奇异性,通过CHIEF方法加Lagrange乘子法处理特征频率处解的不唯一性。在此基础上,应用非协调单元推导结构的声辐射功率和声辐射效率的表达式。以脉动球和辐射立方体为例,计算结构的声辐射功率、辐射效率、辐射模态、辐射模态效率等物理量,并与协调单元的计算结果做比较,取得较好的一致性。     

结构声辐射的源强声辐射模态分析方法

为了解决不易获取复杂结构振速声辐射模态和利用其计算复杂结构外辐射声场困难的问题,提出源强声辐射模态分析方法。该方法利用简单源积分公式将结构表面连续的源强分布等效为一组简单源源强分布,利用这组简单源源强分布构造了结构辐射声功率2次型表达式,其2次型系数定义一个辐射阻矩阵,辐射阻矩阵的特征向量就构成了源强声辐射模态,从而实现复杂结构总辐射声功率的解耦。只要获得声辐射模态的展开系数,声场中的声压、质点法向速度等声学量都可由源强声辐射模态叠加得到。球形声源和棱台体声源的分析表明：源强声辐射模态保留了传统的声辐射模态优点,更方便解决复杂结构声辐射问题。     

基于时域声辐射模态的结构噪声主动控制研究

以简支矩形板为例，提出了利用时域声辐射模态进行声辐射研究，并从物理和数学意义上对时域声辐射模态进行了解释。研究表明时域声辐射模态既与时间无关，也互相独立，使得计算和控制声功率得以简化。针对瞬时声功率主要由第一阶辐射模态的声功率所决定的特点，在时域里进行结构噪声的主动控制研究，通过抵消第一阶辐射模态的声功率使得总的声功率得以有效降低。在此基础上，建立基于最小二乘算法的自适应反馈控制系统，进行仿真计算，结果证明了主动控制策略是有效的。     

Spontaneously induced atom–radiation entanglement in an ensemble of trapped two-level atoms

Analysis of the effects of the spontaneously induced correlation on atom–radiation entanglement in an ensemble of two-level atoms initially prepared in the upper energy level and then trapped in a cavity containing a source of a squeezed radiation employing the method of evaluating the coherent-state propagator is presented. It is found that the cavity radiation exhibits squeezing which is directly attributed to the squeezed radiation initially present in the cavity. The intensity of the cavity radiation increases with the squeeze parameter and interaction time. It is also shown that a substantial degree of entanglement between the atomic state and radiation mode exits at a particular time which depends on the coupling constant and squeeze parameter. It is understood that although the squeezed radiation is directly accountable for the cavity squeezing, it significantly destroys the atom–radiation entanglement induced by the correlation between spontaneously emitted radiation and the atoms.     

对声辐射模态的讨论

提出利用声辐射模态结合结构模态研究声辐射问题,并且从物理和数学意义上对声辐射模型进行了解释。用声辐射模态研究外部声辐射的主要优点在于消除了结构模态中复杂的耦合项。本文以简支矩形板为例,通过瑞利积分公式计算了其在不同频率下的辐射效率,并比较了在结构模态下和声辐射模态下辐射效率的区别。     

实验测量声辐射模态

通过实验方法测量得到振动结构的声辐射模态及其辐射效率。首先通过辐射算子分析任意结构的声辐射模态,然后根据互换原理,在远场布置声源,通过测量结构表面声压,得到辐射算子。最后以一平面玻璃板为例进行实验研究,通过互换方法测量了前5阶声辐射模态和对应的辐射效率。实验结果表明通过互换方法测量声辐射模态是可行的。     

高分子辐射材料的研究进展

介绍了高分子辐射材料的开发研究现状,重点论述了高分子防辐射屏蔽材料、辐射聚 合材料、辐射交联材料和辐射接枝材料的研究发展。