Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响

Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关.     

Si4+离子对Y3+:PbWO4晶体闪烁性能及辐照硬度的影响

Y³⁺离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na⁺、K⁺和Si⁴⁺等杂质在顶端的富集.本文研究了Si⁴⁺掺杂的Y³⁺:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si⁴⁺离子杂质对Y³⁺:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y³⁺:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si⁴⁺离子含量无关.     

Er~(3+)掺杂ZnWO_4的合成及光催化活性研究（英文）

通过水热法合成了不同浓度Er3+掺杂Zn WO4纳米棒,并通过XRD、TEM和DRS等对其进行了表征。通过在模拟太阳光照射下光降解Rh B的速度来检测Zn WO4样品的光催化活性,研究了Er3+掺杂浓度对Zn WO4催化活性的影响。实验结果表明,当Er3+掺杂浓度为2mol%时,其光催化性能最好,因为引进Er3+后,Er3+加快了电荷分离效率。     

TiO2掺杂WO3粉体的制备及其性能研究

以Na2WO4和HCl为原料通过液相沉淀法制备了WO3粉体，再用钛酸四丁酯和制备的W03粉体通过钛酸胶体浸渍法制备了TiO2掺杂的WO3粉体，并利用傅里叶红外光谱仪和紫外-可见分光光度计对产品的性能进行了表征。结果表明，当煅烧温度为550℃、Ti02掺杂量为5％、催化剂最佳用量为0．04g时，TiOz掺杂的WO3粉体的...     

TiO2掺杂WO3粉体的制备及其性能研究

以Na2WO4和HCl为原料通过液相沉淀法制备了WO3粉体,再用钛酸四丁酯和制备的WO3粉体通过钛酸胶体浸渍法制备了TiO2掺杂的WO3粉体,并利用傅里叶红外光谱仪和紫外-可见分光光度计对产品的性能进行了表征。结果表明,当煅烧温度为550℃、TiO2掺杂量为5%、催化剂最佳用量为0.04g时,TiO2掺杂的WO3粉体的催化降解性能最好,对甲基紫的降解率可达88.56%。     

Ce掺杂纳米WO_3的制备及其气敏性能研究

在乙醇和水溶液体系中,以钨酸铵和硝酸铈为原料采用溶胶-凝胶法制得纳米级Ce掺杂的WO3粉体。用XRD测试了纳米颗粒的晶相和晶体结构,发现掺杂少量Ce的WO3粉体晶型单一,结晶度增强。用扫描电镜和比表面测试仪表征了WO3基纳米粉体。用TG-DTA测试5%Ce+WO3干凝胶,结果表明所制备的含吸附水和有机物的5%Ce+WO3纳米颗粒在450℃下反应完全。纯WO3和Ce掺杂的WO3厚膜元件对H2S有很好的灵敏度和选择性。与纯WO3元件相比,掺杂Ce的WO3元件在相对湿度RH=20%～70%有好的抗湿能力,稳定性增强。     

钨酸铅晶体的生长及其闪烁性的研究

采用提拉法生长出直径２０－２５ｍｍ,长２５－３０ｍｍ优质ＰｂＷＯ４及Ｌａ＾３＋、Ｍｇ＾２＋、Ｍｏ＾６＋和Ｂｉ＾３＋掺杂ＰｂＷＯ４晶体。测试了晶体的Ｘ射线衍谢谱、透射光谱、激发发射光谱、光产额、抗辐照性能和发光衰减时间。总结并解释了掺杂对ＰｂＷＯ４晶体性能的影响以及氧退火对晶体抗辐照性能的影响,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。     

少量氧化锡掺杂提高三氧化钨探测H2S气体的气敏性能

为改善WO3基敏感材料的气敏性能,先采用液相还原法制备得到WO3粉体,再通过微波辅助液相法制备了SnO2掺杂量为0.5%、1%、3%、5%、10%(质量分数,下同)的SnO2-WO3复合材料。采用XRD和SEM对材料的物相、形貌进行了表征,并研究了掺杂SnO2对WO3气敏性能的影响。结果表明,掺杂3%的SnO2可显著提高WO3对H2S的灵敏度和选择性,在工作温度为160℃时,元件对体积浓度为10×10-6 H2S的灵敏度达65,对体积浓度为50×10-6 H2S的灵敏度高达169,且灵敏度与气体浓度呈现良好的线性关系。此外,纯WO3和SnO2(3%)-WO3材料在相对湿度RH=22%～64%时有良好的抗湿性。     

溶胶-凝胶法制备Ag~+掺杂Bi_2WO_6及其可见光光催化性能研究

以硝酸铋[Bi(NO3)3·5H2O]和偏钨酸铵[(NH4)6H2W12O40·XH2O]为原料,采用溶胶-凝胶法制备了Bi2WO6及系列Ag+掺杂Bi2WO6新型光催化剂,通过降解罗丹明B发现当Ag掺杂为0.8%时,催化效果最好;并通过X射线衍射仪、扫描电镜、透射电镜、比表面积测试仪和红外光谱仪等技术对其进行了表征。结果表明:Ag+掺杂前后Bi2WO6均为斜方晶系,无其他杂质相生成。Ag+掺杂Bi2WO6光吸收性能发生红移,改善了其晶粒的分散性且其表面积也有所增加。Ag+掺杂有效提高了Bi2WO6的可见光催化活性,当掺杂量为0.8%(摩尔分数),罗丹明B溶液呈酸性时,135min内对罗丹明B的降解率达到95.40%。     

稀土金属掺杂WO3的气敏性能研究

采用H2O2氧化-水热结晶法制备掺杂La（NO3）3（La（NO3）3与WO3的摩尔比为1％、3％、5％、7％、9％）的WO3粉体,测试了不同比例掺杂La所得元件的气敏性能,得出结论：掺杂量为5％的时候气敏性能最佳。采用同样的方法制得掺杂量为5％La、Ce、md、Sm、Eu和Gd的WO。气敏元件,并测试了其气敏性能,掺杂5％Gd的WO3气敏元件相比其他稀土金属元素掺杂的WO3气敏元件对50ppmNO2和Cl2的灵敏度是最好的,分别为305．667和416．233。     

钨酸铅(PbWO_4)晶体的研究进展

钨酸铅(PWO)晶体由于自身特点:高密度(8.28g/cm~3)、短辐射长度(0.87cm)和Moliere半径(2.12cm)、快的闪烁衰减时间((?)<50ns)以及较强的抗辐照损伤能力,已经成为了最具发展潜力的闪烁晶体之一,作为一种良好的闪烁晶体,PWO晶体在高能物理、核医学等领域有着广泛的应用。主要综述了PWO晶体的结构、发光机制、自身缺陷、晶体生长的研究现状,着重阐述了生长工艺改善和离子掺杂改性对钨酸铅晶体性能的影响,分析了PWO晶体的发展前景。     

Cherenkov辐射材料的研究历史和现状

追溯了Cherenkov效应和Cherenkov辐射材料的研究历史,重点介绍了曾成功用作Cherenkov辐射探测器的铅玻璃和立方氟化铅晶体的性能特点,并对目前正在研究的钨酸铋钠和重掺杂钨酸铅晶体进行了评述和讨论.     

过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能的研究

本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi₄Si₃O₁₂及Fe、Cr掺杂Bi₄Si₃O₁₂晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi₄Si₃O₁₂晶体闪烁性能的规律．     

新型闪烁晶体Ln2SiO5的研究进展

作为新型无机闪烁晶体材料，稀土硅酸盐系列晶体Ln2SiO5(Ln-Gd^3 ,Y^3 ,Lu^3 )近年来受到广泛关注。本文综述了Ln2SiO5系列晶体的结构，Ce^3 荧光机制及晶体生长研究的进展，总结了它们的闪烁性能，应用和有待深入研究的问题。     

Luminescence and scintillation properties of Ce-doped Cs2ZnCl4 crystals

In this study, we have synthesized scintillation materials based on Ce-doped Cs₂ZnCl₄ crystals. The light yield was enhanced by up to 20% by doping Cs₂ZnCl₄ with Ce³⁺ ions. In the scintillation time profiles, fast components exhibited decay time constants on the order of nanoseconds, which was ascribed to Auger-free luminescence (AFL). The light yield of the AFL component decreased at 10 mol% Ce³⁺ concentration, which is mainly attributed to the reabsorption of AFL photons inside the crystals by Ce³⁺ ions, as seen in the scintillation spectra. Long components had decay time constants of approximately 30 ns. In addition, at 10 mol% Ce³⁺ concentration, a prominent band appeared at approximately 500 nm in the scintillation spectrum, which was not observed in the photoluminescence spectra. The long components in the scintillation time profiles and the 500 nm band in the scintillation spectra were tentatively attributed to self-trapped excitons perturbed by Ce³⁺ ions.     

退火处理对PbWO4晶体闪烁性能的影响

本文报道了用改进的坩埚下降技术生长ＰｂＷＯ４晶体经退火处理后,对Ｘ射线激发发射谱,透过谱以及抗辐照损伤能力的影响,指出ＰｂＷＯ４晶体在适合的富氧气氛环境和温度制度下经退火处理后,闪烁性能及抗辐照能力明显得到改善。     

退火处理对PbWO4晶体闪烁性能的影响

本文报道了用改进的坩埚下降技术生长PbWO     

过渡金属元素(Fe与Cr)掺杂Bi4Si3O12晶体闪烁性能的研究

本文采用坩埚下降法生长出20mm×20mm×100mm优质Bi₄Si₃O₁₂及Fe、Cr掺杂Bi₄Si₃O₁₂晶体．测试了晶体的透射光谱、能谱及光产额、FWHM能量分辨率和激发一发射光谱．总结并解释了掺杂影响Bi₄Si₃O₁₂晶体闪烁性能的规律．     

Ce^3+/Yb^3+共掺LiLuF4单晶的紫外和近红外发光研究

采用改进的坩埚下降法成功生长了Ce^3+/Yb^3+离子双掺杂LiLuF4单晶, Ce^3+的初始离子掺杂浓度为0.1mol%,Yb^3+离子浓度从0变化到2.0mol%。在波长291 nm激发时观察到Yb^3+在1020 nm(2F5/2→2F7/2)附近的强近红外发射以及Ce^3+在300~350 nm(5d→4f)的紫外发射。通过吸收光谱、荧光光谱研究了Yb^3+离子掺杂浓度对Ce^3+/Yb^3+共掺杂LiLuF4单晶光谱性质的影响及Ce^3+到Yb^3+离子的能量转移机理。通过变温光谱的研究发现,当环境温度从298 K增加到443K时,其荧光发射强度不断降低。Ce^3+/Yb^3+共掺杂LiLuF4单晶发光波长主要位于紫外和近红外,这种独特的发光属性可望用于防伪技术和公共安全事务中。     

Growth and characterization of strontium metaborate scintillators

The undoped and 0.5% Ce³⁺-doped strontium metaborate SrB₂O₄ single crystals has been grown successfully by micro-pulling down method with radio frequency (RF) heating system, and scintillation characteristics including optical properties and radiation response were studied for these crystals. The Ce³⁺-doped SrB₂O₄ crystal showed absorption band around 240–320 nm, which is corresponding to the 4f-5d transition of Ce³⁺. Intense emission band at 375 nm due to the Ce³⁺ 5d–4f transition was observed under ²⁴¹Am 5.5 MeV α-ray excitation. The scintillation decay time showed fast (50 ns) and slow (1430 ns) components ascribed to the Ce³⁺ 5d–4f transition and lattice defect in the crystal, respectively. The scintillation light yield of Ce³⁺-doped SrB₂O₄ was calculated to be about 1000 ph/n under ²⁵²Cf irradiation.