功率型发光二极管的寿命与失效分析

可靠性是影响发光二极管应用的一个重要因素。对1 W大功率发光二极管分批在不同电流及不同结温下进行试验,分析了电流和结温对功率型发光二极管寿命的影响,应用应力加速模型推测在不同电流或结温条件下发光二极管的寿命,同时研究了试验过程中发光二极管的光电性能的变化,探索其失效机理,为功率型发光二极管的应用提供参考。     

LED显示墙技术与市场分析

LED是light—emitting diode的缩写．在某些半导体材料的PN结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会把多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能直接转换为光能。PN结加反向电压,少数载流子难以注入,故不发光。这种利用注入式电致发光原理制作的二极管叫发光二极管,通称LED。     

ZnO同质pn结发光二极管研究进展

氧化锌是一种在短波长光电器件领域有巨大应用价值的Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体材料,制备性能优良的ZnO同质结是ZnO在光电器件领域获得应用的关键之一。文章综述了近几年ZnO同质结发光二极管研究进展,详细介绍了各种结构ZnO同质结发光二极管的最新研究成果和存在的问题,并对ZnO同质结发光二极管的发展趋势进行了展望。     

1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的研究

<正> 一、引言由于石英光纤在1.3μm处于零色散点附近而且损耗极小,因此长波长光纤通信越来越受到人们的重视。用波长1.3μm InGaAsP/InP双异质结发光二极管的光通信系统提供的数据容量为AlGaAs/GaAs双异质结发光二极管光通信系统的十倍,数据率可达2.5KMbit/s,在传输距离上可与AlGaAs/GaAs双异质结激光器相比,InGaAsP/InP双异质结发光二极管同时还具有稳定可靠、驱动简单、价格便宜等优点。因此长波长光纤通信系统的实用化,首先着眼于采用InGaAsP/InP双异质结发光二极管作为光源。本文着重介绍功率型发光二极管的研究。我们首先着眼于功率效率的提高,这就要求外     

延长高能LED产品使用寿命的绝缘金属基板简介

发光二极管在产生可见光的同时也产生大量的热量。如果使用不当,这些热量会导致电子产品过早地损坏。绝缘金属基板可以解决该问题,同时延长这些产品的使用寿命。     

用MOCVD法在Si衬底上生长GaAs_(0.6)P_(0.4)

GaAsP是制造发光二极管的重要材料,它的带隙能量可覆盖红、橙、黄、绿等范围,还可用作InGaP和InGaAsP的晶格匹配衬底.日本己利用GaAs_(0.6)P_(0.4)和GaAs_(0.7)P_(0.3)的衬底研制出InGaAsP可见光双重异质结激光器.     

隧道结AlGaInP发光二极管

报道了通过隧道结将衬底的导电类型从n型转变到p型,从而可以利用n型GaP作为以n型GaAs为衬底的AlGaInP发光二极管的电流扩展层.n型电流扩展层的电阻率低于p型电流扩展层的电阻率,这种结构改善了电流扩展层的作用,从而提高了发光二极管的光提取效率.对3μm GaP电流扩展层的发光二极管,实验结果表明,隧道结发光二极管的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极管相比,20mA时发光功率提高了50%,100mA时提高了66.7%.     

隧道结AlGaInP发光二极管

报道了通过隧道结将衬底的导电类型从n型转变到p型,从而可以利用n型GaP作为以n型GaAs为衬底的AlGaInP发光二极管的电流扩展层.n型电流扩展层的电阻率低于p型电流扩展层的电阻率,这种结构改善了电流扩展层的作用,从而提高了发光二极管的光提取效率.对3μm GaP电流扩展层的发光二极管,实验结果表明,隧道结发光二极管的发光功率与具有相同基本结构的传统发光二极管相比,20mA时发光功率提高了50%,100mA时提高了66.7%.     

居家光源的改造

LED简介 LED是英文UghtEmittingDiode（发光二极管）的缩写,它的早期技术构造是一块微小的电致发光半导体材料,置于一对引线的顶端,并用透明的环氧树脂封闭保护。虽然有着发光的特征,但是其工作原理与二极管的P—N结并无异样,只是在某些诸如磷化镓半导体材料的P—N结中,注入的少数载流子与多数载流子复合时会将多余的能量以光的形式释放出来,从而把电能转换成光能。     

质子对超辐射发光二极管的辐射损伤研究

介绍了空间辐射环境,利用SRIM程序来模拟计算10MeV氦离子在GaAs材料中的入射深度与非电离能损（NIEL）的关系,分析了不同能量质子在不同材料中的入射深度及不同能量质子对超辐射发光二极管的辐射损伤对比,计算结果证明了利用SRIM软件模拟不同能量质子对超辐射发光二极管辐射损伤的可能性。     

最新的功率计技术

一个热电堆由一列按次序互相联结的热电偶构成，由此增加电压输出使测量更为方便（百万伏到毫伏）。它既可由异质金属结组成，又可由半导体结组成。在使用上，吸收的激光束能量在功率探针的接收区产生热。激光束的功率水平决定热量的大小，从而决定接收器的温度上升。热量流到由空气或水冷却的散热器，即热沉，几乎处在恒温环境中（除非探针的功率标称值被大大超过）。散热器称作热沉。热电堆的热结处于或靠近激光接收器，而冷结位于热沉。由于吸收激光能量，在热结和冷结之间产生温差，从而导致探针的电压输出。目前所用的两种热电堆探针，…     

大功率发光二极管的热管理及其散热设计

对大功率发光二极管的散热路径及其相应的热阻进行了分析和计算。利用商业计算流体力学软件对大功率发光二极管进行热流分析及散热优化设计。理论计算结果表明,PN结到环境之间的总热阻为28.67℃/W;当LED耗散功率为1 W、环境温度为25℃时,结温为53.67℃。模拟结果显示,在同样工作条件下,大功率发光二极管的结温为54.85℃,与理论计算结果相吻合。当散热面积达到一定值时,散热效果基本不变。因此,从降低产品成本出发,散热器的面积有一限值范围。当散热器的鳍片垂直向左时,空气流体流向上无阻碍,其散热效果最好,结温最低。     

MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管

设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个AlGaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接.双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd.     

改进模拟系统光发射器线性化的相移调制技术

本文描述改进光纠传输系统中光源线性的相移调制技术。特制的GaAIAs双异质结发光二极管的第二次谐波失真电平比普通的发光二极管减少了25分贝。     

高亮度和超高亮度LED方兴未艾

普通发光二极管(LED)早已成为大众化的产品,但高亮度和超高亮度LED方兴未艾。 早在1922年,O.W洛赛夫就发现碳化硅(SiC)的PN结会产生发光现象。1968年,美国孟山都公司率先推出了磷砷红色发光二极管,这是光电子领域中的一项重大突破。发光二极管(LED)的心脏是芯片中的半导体PN结。LED是一种半导体PN结施加正向电压通过电流时能够发光的电子显示器件。进入80年代以后,LED以惊人的速度向前发展。自90年代以来,LED器件的总发展趋势是向低成本和高亮度化、全色化发展。其     

功率发光二极管的寿命预测

针对功率发光二极管(LED)的使用寿命问题,提出了利用阿仑尼斯模型预测功率发光二极管器件寿命的方法,以器件输出光功率P下降到初始值P0的50%为失效判据,通过对功率蓝光GaN LED芯片两个结温点的高温恒定应力加速寿命实验结果进行分析计算,求出了功率蓝光GaN LED器件在正常应力条件下的期望寿命,确定阿仑尼斯模型在功率发光二极管寿命实验过程中的适用性,为预测功率发光二极管寿命提供理论依据.     

发光二极管负电容与角频率的关系

利用正向交流(AC)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象.提出了测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容.分析可变电容对交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使电流的相位移相π,使得在测量中表现为负电容;得到了发光二极管负电容与角频率的关系表达式.     

发光二极管负电容与角频率的关系

利用正向交流(AC)小信号方法对发光二极管(LED)的电容-电压特性进行测量,可以观察到发光二极管中的负电容现象.提出了测量到的负电容现象是表象,不存在负电容;发光二极管p-n结的结电容在特定的正向电压范围内等效于可变电容.分析可变电容对交流小信号响应得到:特定参数的可变电容使电流的相位移相π,使得在测量中表现为负电容;得到了发光二极管负电容与角频率的关系表达式.     

GaAs_(0.6)p_(0.4)发光二极管中的电子陷阱

陷阱的存在对发光二极管的发光效率和其他性能有决定性的影响。检测发光二极管中的陷井能级并研究其性质,一直是发光二极管的重要研究课题之一。近年来,许多作者曾应用各种方法如TSC法(热激电流法)、PCT法(光电容瞬态法)等对目前最广泛使用的GilAs_(0.6)P_(0.4)红色发光二极管中的电子陷阱能级进行测量,但不同作者所报导的结     

AIGaAs 异质结高效发光二极管的研究

本文报导了窄带有源区位于两个宽带外延层之间的 Al Ga As 异质结发光二极管的研究结果。研究了发光二极管的几何结构,组分分布以及有源区的掺杂对外量子效率的影响。阐明了光从晶体输出前的反射效应和再发光作用。得到了创纪录的外量子效率(ηe)的发光二极管:无涂层的发光二极管,ηe 为34%;半涂层的发光二极管,在直流时测得的ηe为34%,在脉冲电流下的ηe 为45%。