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在"2016工业压力传感器高峰会议"上,部分企业及机构介绍了工业压力传感器的技术市场、设计、制造、工艺及产品动向. 相似文献
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随着智能化技术及物联网的不断发展,柔性压力传感器作为可穿戴电子设备和电子皮肤的核心器件,拥有了越来越广阔的市场。经过了十余年的发展,压阻式柔性压力传感器的相关研究已经从探究具有压敏效应的导电高分子复合材料发展到了对高性能传感器的制备研究。为了获得高性能的柔性压力传感器,研究者们在传感器的材料、结构及器件设计等方面进行一系列的创新型研究工作。目前已经研制出了一些基于新型材料与结构的高性能、低成本的柔性压力传感器,并且在可穿戴传感器、电子皮肤等应用领域已经获得了一定程度的发展。本文综述了近年来压阻式柔性压力传感器在材料、结构及应用方向的创新及发展,并对该类传感器的发展进行了展望。 相似文献
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<正> 一、引言 硅压力传感器已被广泛用于汽车、控制及生物测量等领域。由于工艺难度大,压力传感器的应变膜尺寸通常大于1×1mm。膜主要用各向异性腐蚀技术形成,需从硅片背面减薄,这样就需要双面光刻。为提高精度,必须增加特殊设备。而这一工艺有明显的不足,与IC工艺兼容性差,硅片利用率低,对制造大规模集成压力传感器,高密度的压力传感器阵列有一定困难。 相似文献
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MEMS传感器现状及应用 总被引:3,自引:0,他引:3
MEMS传感器种类繁多,发展迅猛,应用广泛。首先,简单介绍了MEMS传感器的分类和典型应用。其次,对MEMS压力传感器、加速度计和陀螺仪三种最典型的MEMS传感器进行了详细阐述,包括类别、技术现状和性能指标、最新研究进展、产品,及应用情况。介绍MEMS压力传感器时,给出了国内外采用新型材料制作用于极端环境下压力传感器的研究情况。最后,从新材料、加工和组装技术方面对MEMS传感器的发展趋势进行了展望。 相似文献
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《电子技术与软件工程》2017,(6)
现阶段,硅微机械谐振压力传感器应该是稳定性最好及精确度最高的传感器,在航空航天及工业等领域内广泛应用。按照硅微机械谐振压力传感器目前研究成果,对硅微机械谐振压力传感器工作原理进行阐述,分析不同类别硅微机械谐振压力传感器芯体结构,对硅微机械谐振压力传感器未来发展方向进行分析,希望能够增加对硅微机械谐振压力传感器技术的了解。 相似文献
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硅具有显著的压阻效应,是制造硅压阻压力传感器的理想材料.用硅制成的压力传感器具有灵敏度高、动态响应快、测量精度高、稳定性好、工作温度范围宽、易于小型化和进行批量生产、使用方便等特点.本文综述硅压阻压力传感器的最近发展,产品制造用的新技术、性能特点、发展水平;概述硅压阻压力传感器的应用,并对我国硅压阻压力传感器的发展提出了一些看法. 相似文献
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镱压力传感器在0─3GPa范围内,与锰铜传感器和碳阻传感器相比,更适合于冲击波的动态测量。用微细加工技术制造的薄膜镱传感器,兼有镱材材和薄膜器件的优异特点。本文叙述了镱传感器的特性与制造。 相似文献
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一种新型MEMS压阻式SiC高温压力传感器 总被引:1,自引:0,他引:1
提出采用SiC材料来构造特殊环境下使用的MEMS压阻式高温压力传感器。分析了国际上特种高温压力传感器发展的主流趋势和技术途径,根据该领域应用需求、SiC材料特点和成本的多方权衡,开发了压阻式SiC高温压力传感器。通过理论模型结合ANSYS软件进行敏感结构的仿真和设计,解决了SiC压力传感器加工工艺中材料刻蚀、耐高温金属化、敏感电阻制备等关键技术难点,最终加工形成SiC高温压力传感器芯片。经过高温带电测试,加工的SiC压力传感器能够在550℃的环境温度下、700 kPa压力范围内输出压力敏感信号,传感器非线性指标达到1.054%,芯片灵敏度为0.005 03 mV/kPa/V,证明了整套技术的有效性。 相似文献
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压力传感器技术是传感器技术中最早建立及发展起来的领域之一,但依然不能适应当前飞速发展的现实需要。主要问题是价格昂贵、输入-输出特性非线性严重以及难以敏感微小的压力。 美国Silicon Microstructures Inc(SMI)(EXAR公司的一个全资子公司)开发了一系列低价位、线性度在0.1%及 相似文献
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MOCVD系统中压力和压差控制技术研究 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍了压力和压差控制在MOCVD系统眼1演中的作用,比较了两种不同的压力和压差控制技术的优缺点,解析了国际上此类设备中压力和压差控制有关技术特点,以及用国产质量流量控制器和压力、压差传感器为主要部件研制的压力、压差控制器,在ZnO生长的MOCVD设备中良好的效果。 相似文献
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为了满足工业、航天、国防等领域对微型化压力传感器的需求,提出了基于微机电系统(MEMS,Micro electromechanical System)技术制作的非本征型光纤法布里-珀罗(F-P)压力传感器,该传感器传感头由全玻璃材料构成。主要研究了MEMS 技术制作全玻璃结构式压力传感器工艺,结合溅射、光刻、腐蚀等工艺在7 740 wafer 基底上制作出F-P 腔体,利用低压化学气相沉积(LPCVD)的方法在基底上沉积一层40 nm 的非晶硅作为中间层。通过阳极键合技术在温度400℃下完成玻璃与玻璃的键合,并搭建了该传感器的压力测量平台。实验结果表明:在压力线性范围0~400 kPa 内传感器具有很高的重复性,达到0.3%。灵敏度达到1.764 nm/kPa;在传感器使用范围0~80℃内,热敏感系数为 0.15 nm/℃。该传感器的研究对设计制作改善了该类传感器的热膨胀失配问题,对低温漂型压力传感器的研究有一定参考价值。 相似文献
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