外刊题录

1.半导体中离子注入杂质结构的计算机模拟模型S.S.Commun.,Vol.47,No.4,P.259,1983,72.具有SiO_2图形的硅衬底上无定形硅膜的横向固相外延Appl.Phys.Lett.,Vol.43,No.11,P.1028,1983,123.新MRS型负性抗蚀剂组分的最佳化IEEE Trans.ED,Vol.30,No.12,P.1780,1983,124.环境气体对未掺杂LEC GaAs晶体的影响Jap.J.Appl.Phys.Pt.1,Vol.22,No.11,p.1652,1983,115.InP中磷析出与时间和温度的关系J.Vac.Sci.Technol.B,Vol.1,No.3,P.825,1983,7～9     

外刊题录

1.半绝缘GaAs中表面电导的机理Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.9,P.869,19842.GaAs MOCVD中一种新的硅掺杂源——乙硅烷Appl.Phys.Lett.,Vol.44,No.10,P.986,19843.用超掺杂结构开发新半导体材料(制作超高速器件)Vol.29,No.8,P.7,19844.乳胶掩模材料电子材料,Vol.23,No.8,P.42,19845.光致抗蚀剂材料电子材料,Vol.23,No.8,P.51,19846.GaAs MESFET跨导和衬底特性之间的相互关系IEEE Electron Dev.Lett.,Vol.5,No.6,     

外刊题录

1.掺磷多晶硅膜中 1/f噪声的解释:品格散射的Hooge模型J.Appl.Phys,Vol.56,No.10,p.3022,1984.112.热生长SiO_2由固有氧化应力引起的致密作用J.Phys.D,Appl.Phys,Vol,17,No.11,p.2331,1984.113.半导体中杂质态的一种新研究法S.S.Commun,Vol.52,No.4,p.385,1984.104.带有欧姆接触的半导体中的双极热漂移ФТП,Vol.18,No.9,p.1507,1984.9     

外刊题录

1.SiO_2层中离子注入感生陷阱的俘获截面与电场的关系 Thin Solid Films.,Vol.99,No.4,P.331,1983.12.纯GaAs和掺杂GaAs中的空穴输运 J.AP-pl.,Phys.,Vol.54,No.8,P.4446,1983.83.掺磷多晶硅膜ac特性的说明:横过低势垒晶粒间界的传导 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4463,1983.84.氮化硅中的缺陷和杂质态 J.APPl.Phys.,Vol.54,No.8,P.4490,1983.85.具有亚微米分辨率和工艺稳定的自显影抗蚀剂 APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.1,P.74,1983.76.用于细条光刻的抗蚀剂 PIEEE.,Vol.71,No.5,P.570,1983.5     

外刊题录

1.GaAs-GaAlAs异质结构中电子迁移率与温度的关系Appl.Phys.Lett.、Vol.45,No.2,P.294,1984.72.半导体器件失效分析—理论、方法和实践Microelectron.J.,Vol.15,No.1,P.5,1984.1-23.双极功率器件(晶体管)Microelectron.Reliab,Vol.24,No.2,P.313,19844.新型硅微波功率晶体管可靠性大大提高Microw.RF,Vol.27,No.7,P.71,1984.75.大功率半导体器件采用ⅡA型金钢石作散热器提高了输出功率Microw.RF,Vol.27,No.7,P.74,1984.7     

外刊题录

1.砷化镓可透基区晶体管设计的改进IEEE Trans.ED,Vol.30,No.10,P.13481983,102.硅化物工艺对双极晶体管电流增益的影响IEEE Trans,ED,Vo.30.No,10,P.1406,1983,103.松下使用MBE成功地研制出新结构的GaAs FET(日)电子技术,Vol.25,No.12,P.13,1983,114.制作亚微米厚GaAs薄膜的一种新方法APPl.Phys.Lett.,Vol.43,No.5,P.488,1983,95.多晶硅中硼和磷的扩散特性Thin Solid Films,Vol.100,No.3,P.235,1983,2     

外刊题录

1.等离子体化学处理对单晶硅热氧化时缺陷形成的影响ИAH HeopιaнMamep.,Vol.21,No.1,P.5,1985,12.用MOCVD法生长GaAs外延层的形态J.Cryst.Growth,Vol.69,No.1,p.23,1984,113.聚酰亚胺膜的热特性、物理特性和腐蚀特性J.Electrochem.Soc.,Vol.132,No.1,P.155,1985,14.用于VLSI的改进型磷硅玻璃     

红外器件与材料专题题录介绍(二)

一、红外器件研究1 .Monolithie optieally immersed HgCdTe IR deteetor,Infrarcd Phys.Vol.294,No.2一4, May 1989,P.251 单块光学沉没蹄福汞红外探测器2.High temPerature 10.6户m HgZnTc Photo一 deteetors,Infrared Phys.Vol.129,No.2一4, May 1989,P.267 高温10.6产m磅锌汞光电探测器3 .System implementation of a serial array of SPRITE infrared deteetors,Infrared Phys. Vol.129,No.5,July 1989,P.907 扫积型红外探测器中联阵列的系统实现法4 .Long wavelength infrared deteetors bascd on strained InAs一Ga…     

外刊题录

1.多品膜中载流子输运的扩散模型S.S.Electron.,Vol.27,No.7,p.633,1984.72.在有少量水的情况下硅外延层生长时引入的硼J.Electrochem.Soc.,Vol.131No.8,P.1900,1984.83.利用新的直拉法生长无缺陷GaAs晶体电子技术[日],Vol.26,NO.14,P.40,1984.124.光外延法和分子层外延法生长砷化镓外延层的技术     

红外技术

708 用射频多阴极溅射Pb_xSn_(1-x)Te外延层 Pb_xSn_(1-x)Te epitaxial layers by rf multicathode sputtering,C.Corsi,J.Alfieri,et al.,Appl.Phys.Lett.,May 15 1974,Vol.24,№910,p.484～485. 在BaF_2、NaCl和(111)Ge基片上溅射的外延单晶Pb_xSn_(1-x)Te薄膜,其载流子浓度和迁移率值接近于块状单晶。     

红外技术

器件 071 离子注入Cd_λHg_(1-x)Te红外光伏探测器 Infrared photovoltaic detectors from ionimplanted Cd_λHg_(1-x)Te,J.Marine,Appl.Phys.Lett.,15 Oct.1973,Vol.23,No.8,pp.450-452. 已用Al离子注入技术产生n-型区制成了Cd_xHg_(1-λ)Ten-p结光伏探测器。用这种料材制成的注入式二极管,组分x=0.18,相应的禁带宽为0.1电子伏,灵敏面积为200×250微米的元件在77°K     

资料简介索引

红外技术 3001 Hg(1-x)Cd_xTe合金的低温热膨胀 The low-tempera ture thermal expansion of Hg_(1-x)Cd_xTe alloys,O.Caporaletti,Canada,Appl.Phys.Left.,1981,Vol.39,No.4,pp.338-339. 测定了对红外探测器技术有关的合金组分x=0.20和0.30的半导体Hg(1-x)Cd_xTe的热膨胀线性系数。温度关系与其他锌闪锌矿结构的化合物类似。热膨胀系数在64K时变为负值。除了温度低于30K时它不受组分影响,而这时富HgTe的合金则具有更深的最小负值。     

专利与文献

一激光器件10001 紫色连续钕升频转换激光器Violet cw neodymium upconversion laser,R.M.Mecfarlane,Appl.Phys.Lett.,1988,Vol.52,No.16/17,pp.1300-1302.本文作者已观察到由Nd~(3+):LaF_3晶体的新跃迁(~4D_(3/2) →~4I_(11/2))产生的连续激光作用,其波长在380nm(紫色)。泵浦光源为连续染料激光器,在20K时单模连续工作,其功率为12mw,输出耦合为1％,在77K时其最大功率降低到4mW。(义)10002 具有辐射色心氟化锂产生绿色辐射的光谱和能量特性研究Investigation of spectral and energy characte-ristics of green radiaton generated in lithium flu-     

光导碲镉汞专题文献索引

概述 001 光电导一百年 Photocondaetivity-A centennial,F.Stokmann,Phys.Status Solidi(a),1973,Vol.15,No.2,pp.381-390. 002 现代红外探测器 Modern infrared drectors,E.H.Putley,Phys.Technl 1973,Vol.4,no.3,pp.202-22.     

国外资料索引

一、红外技术红外器件 158碲镉汞中的异常霍尔效应 Anomalous Hall Effect in Hg_(1-x)Cd_x Te, Osamu Ohtsuki, Ryuichi Ueda, Japan J. Appl. Phys., Sept. 1971, Vol. 10, No. 9, pp. 1288-89. 本文报导了对在一定温度范围内的异常霍尔效应的研究情况。叙述了在9～400°K温度范围内对退火单晶Hg_(1-x)Cd_x Te(0.17相似文献   

文献简介索引

一、激光器件2001单块Nd:vAG纤维激光器 Monolithie Nd:YAG fiber laser,J.L.Nightinga一 工e,Opties Lett.,1986,Vol.11,No7,pp.437一439 一种具有抛光镀膜端面的单晶Nd:YAG光纤起着单决波导激光振荡器的作用。直径为47卜m、长度为7。;的光纤振荡器的工作,其阂值功率为3.7ow、斜率为10.5%。〔义〕 2002室温下Y辐照v3八一50,:晶体的色心研究 Investigation of eolour eentresiny一irradiated Y3A15O一:erystals at room temperature,A F Ra- !、ov,Phys.Stat.501.(a),1986,Vol.96,No.2, I〕P .K169一K173. 本文作者用二种生长…     

用激光分离同位素

利用有选择的激光感生化学反应成功地将氢同位素加以分离这个结果一经宣布以后(参看S. W. Mayer等的文章,Appl. Phys. Lett.,17,516; 1970),激光对于实际上所有物理化学问题所起的重大作用得到了进一步的重视。     

国外资料索引

红外技术器件674 PbS-PbO结晶膜的特性:Ⅰ.制备和物理结构Properties of PbS-PbO crystalline films IPreparation and physical structure,M.S.Said,JAppl.phys.,Mar.1976,Vol.47,No.3,866-72.研究在加热的NaCl衬底上气相共淀积的PbO-PbS物理特性。PbO不和PbS合金化,而是从PbS单晶晶格中分馏出来。电子衍射表明,有少量PbSO_4和SiO_2β亦沉积下来。随PbO增加,PbS晶格常数并不变化,说明PbS的氧溶解度很低,这和PbS-PbO的热动力数据一致。675 PbS-PbO结晶膜特性:Ⅱ.电气和电光特性Properties of PbS-PbO crystalline films Ⅱelectrical and photo-electronic properties,M.SSorid,J.Appl phys.,Mar.1976,Vol.47,No.3,871-8.研究了其电学,光学和光导特性。分馏的PbO微晶对性能有很大影响。PbS单晶中有少量过剩氧。PbO晶粒中     

激光损伤

001滋光摸结构对石英损伤的影晌 V G.Draggoo et al,Effeets of laser modestructure on damage in Quartz,IEEE J.Of Qu-ant.Eleetron.,Vol.QE一8,Feb.1972.Portl,pp.54一57. 002增退膜的激光感应损伤 R .R.Austin et al.,Laser indueed damage ofantirefleetion eoatings,Appl.Opties,Vol.12,Ma-reh 1972,pp.695一59了。 003滋光辐射对透明介质的破坏程度 1 .A Fersman et al.,Stages of surfaee fraetu-re of a transparent dieleetrie during laser irra-diation,KVANTOVAIA ELEKTRONIKA,No.3,1971sPP.61一66. 00…     

外刊题录

1.GaAs材料技术的现状和将来展望Semiconductor World,Vol3.No.4,p.108,19842.短垂直沟道N~+-N~--N~+GaAs MES-FET的数值分析IEEE Electron DeV.Lett.,Vol.5,No.2,p.43,19843.具有负微分电阻的场效应晶体管(AlGaAs/GaAs异质结构)IEEE Electron Dev.Lett,Vol.5,No.2,p.5 7,19844.高耐压(850V)高速功率晶体管NEC技报,Vol.36,No.8,p.177,1983