拉伸聚酰亚胺薄膜

本发明论述聚酰亚胺薄膜或聚酰亚胺母液薄膜的制备方法。按本发明,制备拉伸聚酰亚胺薄膜的方法是在20～550℃的温度范围内至少在一个方向进行拉伸使其平面尺寸至少增加5％,并防止任何平面尺寸有显著的收缩。这种聚酰亚胺或聚酰亚胺母液薄膜的特性粘度至少     

双轴定向聚酰亚胺薄膜研制成功

机械部桂林电器科学研究所承担的“聚酰亚胺薄膜制造工艺及提高性能研究”课题,在机械部电工局有关领导的大力支持下,在天津绝缘材料厂、机械部第七设计研究院的大力协作,密切配合下,已经取得了可喜的成果。该课题经多年努力,已经确定了一条制造双轴定向聚酰亚胺薄膜的工艺路线,研制了合乎新工艺要求的专用设备,制得的成卷薄膜样品,主要性能达到国外名牌产品Kapton H的实际水平。最近,顺利地通过了机械部电工局主持的技术鉴定。     

聚酰亚胺薄膜的形态学分析和拉伸薄膜的新工艺研究(摘要)

国产聚酰亚胺薄膜与目前国际权威产品美国杜邦公司H——薄膜相比,机械性能差。以0.05mm薄膜为例,H——薄膜的抗张强度和断裂延伸率均比国产薄膜高40％。鉴于聚酰亚胺薄膜极为广泛的用途,如何结合国内生产实际,开发浸胶法的工艺潜力,提高国产薄膜的性能,已是一个不容忽视的     

我国第一条双轴拉伸聚酰亚胺薄膜工业化生产线在深圳建成投产

由机械部桂林电器科学研究所与深圳市能源总公司、香港港深繁荣投资促进中心合资的深圳兴邦电工器材有限公司业已完成国内第一条双轴拉伸聚酷亚胶薄膜的生产线，年生产能力为60吨，薄膜宽度可达650－700mm。产品经机械部绝缘材料产品质量监督检测中心有关人员在美国UL公司进行测试，使用UL公司RTP试验室设备与UL试验室测试人员按UL746A方法共同对兴邦公司的聚酸亚胺薄膜进行安全、可靠性试验，试验结果与美国EIDuPoutDeNem。urs＆CoInc．同类同规格产品相比，除长期耐热性相比温度指数未经评定外，其中高压电弧引燃（HVAR）、相比…     

单轴拉伸聚酰亚胺薄膜的取向度研究

在没有取向的聚酰亚胺薄膜材料中,分子链是任意无规则地排列着,因而呈现出各向同性,在力场作用下,分子链沿着力场方向取向排列,材料呈现出各种性质上的各向异性,同时沿取向方向的力学强度也随之增     

常州绝缘材料厂双轴拉伸聚丙烯薄膜投产

本文介绍了该厂试制双轴拉伸聚丙烯薄膜过程中,在厚片急冷中应用了静电吸片技术以及在选择厚片截面、提高薄膜横向延伸率、降低收缩率、平整收卷等方面的经验。图3。     

聚酰亚胺/纳米二氧化硅复合薄膜的研究

采用溶胶-凝胶法制备了聚酰亚胺／纳米二氧化硅(SiO2)复合薄膜,研究了SiO2含量对复合膜性能的影响。结果表明,复合膜的密度随SiO2含量的增加而增大,与其SiO2含量基本上呈线性关系;与纯聚酰亚胺薄膜相比,复合膜中SiO2含量达到30～40％时,导热系数可提高1倍以上;表观分解温度随SiO2含量的增加先增大后减小,SiO2含量大约在10～20％时达到最大值;SiO2含量不大于10％时,拉伸强度变化不大或略有增加,随着SiO2含量的继续增加,拉伸强度则迅速下降;复合膜常态下的体积电阻率当SiO2含量不大于10％时变化不大,但体积电阻率受湿度影响较大。     

聚酰亚胺/纳米氧化铝复合薄膜的研究

采用溶胶-凝胶法制备了聚酰亚胺／A1203,纳米复合薄膜,通过测定胶液在贮存过程中粘度的变化研究了纳米复合胶液的贮存稳定性,采用热失重分析、拉伸强度和体积电阻率等测试方法研究了纳米复合薄膜的性能。结果表明,当A1K）,含量不大于14％时,纳米Alz03前驱体的存在对纳米复合胶液的贮存稳定性影响不大或基本上没有影响;与纯PI薄膜相比,Ah03含量不大于5％时,纳米复合薄膜的表观分解温度、拉伸强度以及常态下的体积电阻率均有明显提高：纳米A120,的存在有利于改善高温电性能。     

双轴拉伸聚丙烯薄膜内皱的原因分析

本文从接触辊直径和工艺参数两个方面分析了 BOPP薄膜分切重卷中产生内皱的原因 ,并以此为依据采取相应措施来解决膜卷内皱问题     

双轴拉伸聚丙烯薄膜内皱的原因分析

本文从接触辊直径和工艺参数两个方面分析了ＢＯＰＰ薄膜分切重卷中产生内皱的原因，并以此为依据采取相应措施来解决膜卷内皱问题。     

聚酰亚胺纳米复合薄膜耐电晕机理研究

聚酰亚胺(Polyimide,PI)因其具有良好的热稳定性和优异的耐电晕特性广泛应用于变频电机中,添加纳米粒子可以有效提高PI薄膜的绝缘性能。为了系统的研究PI纳米复合薄膜的耐电晕机理,利用原位聚合法制备了纯PI膜和纳米Al2O3掺杂的PI膜,测试两种薄膜的表面电导率、体积电导率、热失重(TGA)以及高频方波脉冲下的耐电晕时间,并用SEM观测两种薄膜击穿后的表面形貌。结果表明:添加纳米粒子使PI薄膜的电导率、热分解温度和耐电晕时间增加;电晕放电的侵蚀使得两种薄膜表面都出现微孔和沟壑,PI/Al2O3薄膜表面析出纳米粒子;在电晕侵蚀过程中,纳米PI薄膜强的表面电荷扩散能力和高的热稳定性,加上析出的纳米粒子对电子和光子的屏蔽阻挡作用,是PI薄膜耐电晕性能增强的主要原因。     

聚酰亚胺纳米复合薄膜的低温电气强度研究

介绍了在77K的低温条件下复合薄膜电气强度的测试方法,研究了聚酰亚胺／蒙脱土、聚酰亚胺／云母、聚酰亚胺／SiO2 3个系列的低温电气强度,分析了填料含量等因素对薄膜电气强度的影响。研究结果表明：前两个系列填料对电气强度的影响趋势相同,均存在最佳填料含量,聚酰亚胺／蒙脱土系列电气强度最佳可达215．77MV／m;而聚酰亚胺／SiO2系列,电气强度比纯PI薄膜略有下降,且含量较高时下降明显,但仍然可以满足应用的要求。     

电容器用双轴拉伸聚丙烯薄膜的静电问题初探

本文介绍了电容器用双轴拉伸聚丙烯薄膜的制造要点 ,阐明了其表面易发生粘膜与静电问题的原因及应采取的措施     

电容器用双轴拉伸聚丙烯薄膜的静电问题初探

本文介绍了电容器用双轴拉伸聚丙烯薄膜的制造要点，阐明了其表面易发生粘膜与静电同题的原因及应采取的措施。     

聚酰亚胺/氧化铝复合薄膜耐电晕性能研究

采用逐层流延铺膜及热亚胺化法制备了掺杂层纳米氧化铝含量不同的聚酰亚胺/氧化铝(PI/Al_2O_3)三层复合薄膜。通过透射电子显微镜、X射线衍射仪对复合薄膜进行表征,并对复合薄膜的力学性能、热稳定性及耐电晕性能进行测试。结果表明:复合薄膜具有明显的三层结构,掺杂层中纳米Al_2O_3颗粒分散均匀,纳米Al_2O_3的加入会降低PI基体的排列有序度。加入纳米Al_2O_3颗粒后PI/Al_2O_3三层复合薄膜的拉伸强度和断裂伸长率降低,热稳定性和耐电晕性能提高。当掺杂层无机含量为16%时,PI/Al_2O_3三层复合薄膜的耐电晕时间比纯PI薄膜提高了48倍。     

聚酰亚胺薄膜挠性敷铜复合箔

亚胺薄膜挠性敷铜复合箔,是国际市场60年代以后新发展起来的电子工业线路用绝缘材料。是目前敷铜材料中发展最快的一种。每年以25%的速度递增。本文首先叙述了挠性敷铜复合箔的发展     

聚酰亚胺/纳米氧化钛复合薄膜的介电性能研究

采用原位分散聚合法制备了聚酰亚胺/纳米TiO2复合材料。通过透射电镜研究了纳米TiO2粒子在聚酰亚胺基体中的分散状态,并在此基础上研究了纳米TiO2填加量对该复合材料介电性能的影响。结果表明,随着纳米TiO2含量的增加,聚酰亚胺/纳米TiO2复合材料的体积电阻率和电气强度出现不同程度的劣化,并造成了介电常数和介质损耗因数的增加,但是材料的耐电晕性能显著增强,在12MV/m的电场强度下,纳米TiO2含量15%的PI薄膜的耐电晕寿命为纯PI薄膜的40多倍。     

聚酰亚胺/导电炭黑抗静电复合薄膜的性能研究

采用原位聚合法制备了聚酰亚胺/导电炭黑(PI/ECB)抗静电复合薄膜,并探讨了复合薄膜的结构、微观形貌以及导电炭黑用量对其表面电阻率、热性能和力学性能的影响。结果表明:复合薄膜亚胺化完全,热性能得到提高;炭黑的质量分数为4%时,复合薄膜表面电阻率的数量级为108,达到抗静电的最佳要求。     

双向拉伸聚酰亚胺薄膜制造过程异常分析与处理

从流涎液膜边部粘带、入夹褶皱、高温伤边、开夹破边等4个异常方面阐述了双向拉伸聚酰亚胺薄膜制造过程中造成产品收率较低的原因,分析了异常产生的主要原因,并提出了相应的解决措施,使聚酰亚胺薄膜制造过程中破膜现象降低,收卷顺利,从而保证了薄膜制造过程正常连续化。     

二氧化硅/聚酰亚胺纳米复合薄膜的制备与性能研究

采用溶胶-凝胶法,以苯基三乙氧基硅烷（PTES）为前驱体制备了氧化硅溶胶,并以均苯四甲酸二酐（PMDA）和4,4’-二氨基二苯醚（ODA）为原料,用原位生成法制备了一系列不同掺杂量（质量分数）的PI/SiO2复合薄膜。分别采用热失重分析仪（TGA）、扫描电镜（SEM）、耐电晕测试装置和耐击穿测试装置对薄膜的热性能、电性能进行了测试。结果表明,掺杂量为15%时纳米氧化硅粒子在PI基体中分散均匀,掺杂量为10%,热分解温度达到最大值,并且在工频50 Hz,场强为60 MV/m的室温条件下,掺杂量为15%时复合膜的耐电晕时间最长为55.73 h,电气强度为327 MV/m高于纯膜。