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1.
微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:I.直流烧毁
袁泽亮
范垂祯
《真空与低温》
1994,13(3):128-132
相似文献
2.
微波GaAs功率场效应晶体管烧毁机理的研究:Ⅱ.射频烧毁
袁泽亮
范垂祯
《真空与低温》
1994,13(4):187-190
采用扫描电镜(SEM)和扫描俄歇微探针(SAM)对国内研制开发的微波GaAs功率FET芯片在射频测试中的烧毁进行了分析研究。探讨其烧毁机理及物理过程。
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3.
微波GaAs功率场效应晶体管稳态温度场的数值模拟
袁泽亮
范垂祯
《真空与低温》
1994,(3)
根据微波功率GaAs功率场效应晶体管芯片结构特点建立热模型,用有限元法对模型数值求解得到芯片稳态温度分布。分析了影响芯片表面沟道温度的诸因素:功耗、芯片周围环境温度、GaAs材热导率、芯片厚度、芯片热源分布及其跨导。
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