CsCdF3:Cr3+晶格畸变及其Cd2+-空位研究

按照零场分裂（ＺＦＳ）的三阶微扰理论和叠加晶场模型,建立了ＺＦＳ参量Ｄ与ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶格结构之间的定量关系;同时考虑了晶格畸变和Ｃｄ^２＋空位对零场分裂参量Ｄ的贡献,计算了ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶体的零场分裂参量Ｄ,计算结果与实验符合甚好．证明了晶格畸变和Ｃｄ^２＋空位的存在;同时得到包围 Ｃｒ^３＋离子的 Ｆ^－离子向中心 Ｃｒ^３＋离子分别移动Ｘ_１＝０．００２９１ｎｍ,Ｘ_２＝０．００１ｎｍ,Ｘ_３＝０．００２６ｎｍ．ＣｓＣｄＦ_３：Ｃｒ^３＋晶体基态的ＺＦＳ主要来自Ｃｄ^２＋空位,但晶格畸变的贡献是不能忽略的．     

Nd0.67(Sr,Ca)0.33Mn(O,F)3磁电阻材料的结构与性能

通过掺ＣａＦ２制得了Ｎｄ０．６７（Ｓｒ,Ｃａ）０．３３Ｍｎ（Ｏ,Ｆ）３（ＮＳＭＯ）磁电阻材料,并对它们作了结构分析和磁性能测量。Ｘ射线衍射结果表明,ＮＳＭＯ化合物保持Ｎｄ０．６７Ｓｒ０．３３ＭｎＯ３的钙钛矿结构,空间群为Ｐｂｎｍ,Ｚ＝４,Ｆ＾离子占据８ｄ位置,随着ＣａＦ２掺和量的增加,晶格常数减小,居里温度降低,而磁电阻性质呈明显的递增趋势。     

CoxR1-xAl2O4(R=Zn,Mg)钴蓝颜料反射性能的研究

采用化学共沉淀法成功地制备出适用于彩电显象管内荧光体着色的ＣｏｘＲ１－ｘＡＩ２Ｏ４）Ｒ＝Ｚｎ,Ｍｇ,ｘ＝０．８～１．０）钴蓝颜料,４５０ｎｍ波长处反射率最大提高１８．２％,６００ｎｍ处反射率最大了和低５％,通过对该颜料反射率的影响因素,如掺杂离子类型、掺杂浓度和Ｃｏ＾２＋浓度的探讨,结论如下,Ｚｎ＾２、Ｍｇ＾２＋改变钴蓝颜料反射性能的作用机理为晶格畸变引起Ｃｏ＾２＋３ｄ轨道是 级分裂程度的变化,对     

PbF2：Gd,Eu晶体X射线激发的发射光谱

用脱氧剂非真空环境下、Ｓｔｏｃｋｂａｒｇｅｒ方法生长未掺和掺钆和铕的、浓度范围在０．１￣０．２ｗｔ％的ＰｂＦ２：β晶体。本文报导Ｘ射线激发ＰｂＦ２：Ｇｄ晶体的Ｇｄ＾３＋发射。揭示了分别来自＾６Ｐ和＾６Ｉ多重态３１２．５和２７７．４ｎｍ发射带，而＾６Ｄ→＾８Ｓ发射被点阵再吸收。＾６Ｉ的发射强度低于＾６Ｐ，说明＾６Ｐ能级优先占据。室温下以Ｘ射线激发在３６８．９和８１４．５ｎｍ之间观察到１４条Ｅｕ＾３＋     

Al—5Fe—2Ni合金析出相的Mossbauer谱

用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱学和ＸＲＤ方法研究了快速凝固Ａｌ－５Ｆｅ－２Ｎｉ（原子百分数）合金的析出相，结果表明，析出相为三元化合物Ａｌ９ＦｅｘＮｉ２－ｘ（０〈ｘ〈２）属于单斜晶系，晶格参数ａ＝０．８５８ｎｍ，ｂ＝０．６３１ｎｍ，ｃ＝０．６２１ｎｍ，β＝９４．８，它的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱为一套双线，同质异能移位ＩＳ＝０．１２ｍｍ．ｓ＾－１，四极分别ＱＳ＝０．３２ｍｍ．ｓ＾－１，线宽Г＝０．２６ｍｍ．ｓ＾     

La2／3Ca1／3Mn（O1—x,Fx）3的晶体结构和巨磁电阻特性

对钙钛矿结构锰酸盐巨磁电阻材料进行了阴离子掺杂的研究。Ｘ射线衍射结果表明,Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍ（Ｏ１－ｘＦｘ）３化合物的空间媾和为Ｐｂｎｍ,Ｚ＝４,Ｆ＾－离子占据８ｄ位置,随着ＣａＦ２掺入量的增加,晶格常数和晶胞体积呈递减趋势。     

金红石TiO2晶体中F和F+心电子结构及其吸收光谱研究

本文运用嵌入原子簇的电荷自洽离散变分方法（ＳＣＣ－ＤＶＭ－Ｘα方法）分别对ＴｉＯ２晶体中Ｆ和Ｆ＾＋心的能级结构进行计算,得到了Ｆ和Ｆ＾＋心的光学吸收跃迁模式,其跃迁能量分别是０．９８,１．７８ｅＶ,我们认为,经还原后的ＴｉＯ２晶体,在光吸收实验中测到的１．２μｍ（１．０２ｅＶ）,７６０ｎｍ（１．７５ｅＶ）两个峰分别是由于还原过程中形成的Ｆ和Ｆ＾＋心的吸收峰,并存在着Ｆ→Ｆ＾＋的转型过程。     

不同热化学还原LiNbO_3：Ti或Mn晶体杂质电荷态和点缺陷

采用光学吸收和电子顺磁共振（ＥＳＲ）技术表征不同热化学还原ＬＩＮｂＯ３：Ｔｉ，Ｍｌｉ（ＬＮ：Ｔｉ，Ｍｎ）和纯的Ｌｉ／Ｎｂ＝０．９４５一致熔化ＬｉＮｂＯ３（ＬＮ）晶体的热力学还原习性．将ＬＮ：Ｔｉ（厚度为１ｍｍ）样品放在Ｌｉ２ＣＯ３中、６００℃、保温７ｈ，产生６９０ｕｒｎ（～１．８ｅＶ，Ｔ＝６７％）和峰值靠近７８５ｎｍ（Ｔ＝７１％）的７７０￣８１０ｎｍ光学吸收带，它们分别对应于Ｔｉ（３＋）的２Ｔ→２Ｅ跃迁以及室温稳定Ｆ＋心滞有一个电子的氧空位）．经真空１．２Ｐａ，８００℃２ｈ还原后，存在峰值为６７５ｎｍ（Ｔ＝５２％）的４８０～７８０ｎｍ平滑吸收带，它们是Ｔｉ（３＋）、Ｆ心和Ｆ＋心重叠吸收，但是，在Ａｒ气氛下、９００℃、８ｈ处理后，仅能看到峰值在６７５ｎｍ（Ｔ＝５２％）的６００～７８０ｎｍＴｉ（３＋）的弱吸收．来自未处理ＬＮ：Ｔｉ晶体的室温和Ｘ带的ＥＳＲ＄观察到ｇ＝４．３４８，共振磁场０．１５２ＴＨ（ｐ－ｐ）＝０．０１６３Ｔ微波吸收峰，以及四组精细结构Ｂ线（每一ｆｓ线是由６条超精细结构ｈｆｓ组成），ｇ值从３．４６０～１．６７９吸收，它们分别归为于晶体杂质Ｆｅ（３＋）和Ｍｎ（２＋）离子．真空还原后，Ｆｅ（３＋）的     

Eu3+离子作为荧光探针研究TiO2凝胶的结构变化

利用Ｅｕ＾３＋离子的＾５Ｄ０→＾７Ｆ２超灵敏跃对环境的极度敏感性,将Ｅｕ＾３＋离子引入溶胶－凝胶法制备的ＴｉＯ２凝胶玻璃中,并对Ｅｕ＾３＋离子掺入后的光谱性质进行了研究,从而表征了ＴｉＯ２凝胶形成中的结构变化过程。结果发现,随处理温度的升高,＾５Ｄ０→＾７Ｆ２跃迁强度逐渐增强,说明水分子的不断挥发、缩聚反应进行的不断完全;同时将Ａｌ＾３＋离子掺入到溶胶中,研究了其在Ｅｕ＾３＋离了的聚集所导致的荧光     

稀土含氮黄长石固溶体R2Si3-xAlxO3+xN4-x的X射线衍射研究

用热压和无压烧结工艺，在１７００～１８００℃制备了含氮稀土黄长石固溶体Ｒ２Ｓｉ３－ｘＡｌｘＯ３＋ｘＮ４－ｘ（Ｒ＝Ｎｄ，Ｓｍ，ｘ＝０，０．３，０．６，１．０，１．２；Ｒ＝Ｄｙ，Ｙ，Ｘ＝０，０．３，０．６，１．０；Ｒ＝Ｙｂ，Ｘ＝０，０．３）利用Ｇｕｉｎｉｅｒ－Ｈａｅｇｇ照相法，光密度计在ＬＳ－１８和相应的程序系统（ＳＣＡＮ，ＳＣＡＮＰＩ和ＰＩＲＵＭ）给出了稀土黄长石的Ｘ射线衍射图谱，精密测定了具有不同     

溶胶-凝胶法合成Y3Al5O12:Ce3+,Tb3+稀土荧光粉的研究

采用溶胶-凝胶法在低温下合成了Y3Al5O12:0.08Ce^3 ,0.12Tb^3 稀土荧光粉。通过X射线衍射（XRD）分析及激发、发射光谱测试结果表明：合成的粉末为YAG晶体结构,粉体的最大激发峰为273nm,最大发射峰为545nm,色坐标为：x=0.331,y=0.558,在273nm的紫外光激发下发出明亮的绿光。     

Lu2O3:Yb3+, Ho3+纳米粉体的发光性能研究

采用共沉淀工艺合成了Yb3 离子和Ho3 离子共掺杂的Lu2O3纳米粉体,研究了粉体的斯托克斯(Stokes)和反斯托克斯(Anti-Stokes)发光特性以及煅烧温度对粉体发光性能的影响.在氙灯447.5nm和半导体激光器980nm激发下样品均发射出明亮的绿光,观察到了不同Ho3 离子浓度掺杂的纳米粉体的浓度淬灭现象.发射强度与激发功率的关系表明Anti-Stokes发光是双光子过程,能量转移是主要的上转换机制.Ho3 离子的5F4,5S2能级在不同波长激发下的衰减时间也证实了浓度淬灭及能量转移现象.     

SiO2气凝胶薄膜中Eu3+离子的跃迁

利用溶胶-凝胶法制得了Eu3+掺杂SiO2气凝胶薄膜,并对其发光及跃迁性质进行了研究.使用原子力显微镜对样品的型貌结构做了观测,采用XRD和IR对所得样品的结构进行了研究,测量了样品的激发—发射光谱、吸收光谱和时间分辨光谱.通过Judd--Ofelt理论计算了Eu3+的5D0的辐射跃迁几率,并根据时间分辨光谱研究了5D1的无辐射跃迁几率及弛豫性质.虽然结果与掺Eu3+的体硅玻璃没有很大差别,但可通过此简易低温的方法制得掺稀土离子的良好薄膜,这对得到具有轻质玻璃性质的发光薄膜展示了广阔应用前景.     

金红石TiO2基质中[MoO4]2-基团的上转换发光

在978nm激光二极管的激发下，Mo掺杂的TiO2材料表现出很强的宽带上转换发光，该发光来源于[MoO4]^2-基团的激发态3T1，3T2能级到基态1Al能级的电子跃迁．X射线衍射表明样品为金红石单一相，红外吸收光谱证实了[MoO4]2-的存在．由光电子能谱推测体系中还含有低价态的Mo离子，它们提供了上转换得以进行的中间态．高温下的氧化还原处理会改变低价Mo的数量，从而严重影响样品的发光行为。     

等离子喷涂Cr3C2-NiCr及其表面化学镀Ni涂层的摩擦学特性

考察了等离子喷涂Ｃr3C2-NiCr及其表面化学镀Ni涂层通过不同配副组成摩擦副的摩擦学特性,并应用ＳＥＭ、ＸＲＤ和ＸＰＳ对磨痕进行了分析,结果发现,等离子喷涂Ｃr3C2-NiCr涂层及其表面化学镀Ni镀层自配副组成摩擦副,均表现出较大的摩擦系数和磨损系数,但是,Ｃr3C2-NiCr涂层表面化学镀Ｎi镀层与Ｃr3C2-NiCr涂层配副组成摩擦副,在干摩擦条件下,能达到０．１２的摩擦系数和接近１０^6mm^3(Nm)^-1的磨损系数,上述结果是由于Ｃr3C2-NiCr涂层的磨损机理从强烈的层状颗粒剥落转变为沿气孔和微裂纹等处的颗粒断裂。     

Nb掺杂Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷的电行为特性研究

采用固相烧结工艺制备了Nb5+掺杂的Bi4Ti3O12层状结构铁电陶瓷.运用XRD和AFM对Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料的微观结构进行表征,发现所制备的陶瓷均具有单一的正交相结构,抛光热腐蚀表面晶粒的显微形貌表现为随机排列的棒状结构.通过对材料直流电导率与温度关系的Arrhenius拟合,分析了Bi4Ti3-xNbxO12+x/2的导电机理.Nb5+掺杂提高了材料的介电常数,但居里温度随掺杂含量的增加呈线性下降趋势.DSC结果显示Bi4Ti3-xNbxO12+x/2材料在居里温度处经历了一级铁电相变.样品的铁电性能测试结果表明,Nb5+掺杂Bi4Ti3O12提高了材料的剩余极化Pr,这主要是由于Nb5+取代Ti4+大大降低了材料中氧空位的浓度,使得氧空位对畴的钉扎作用减弱的缘故.     

新型非线性光学晶体Ca4RO(BO3)3的研究进展

作为新型非线性光学材料,钙－稀土硼酸盐晶体Ｃａ４ＲＯ（ＢＯ３）３（Ｒ－Ｌａ＾３＋、Ｎｄ＾３＋、Ｓｍ＾３＋、Ｇｄ＾３＋、Ｙ＾３＋、Ｅｒ＾３＋、Ｔｂ＾３＋、Ｌｕ＾３＋）近来引起了广泛的重视,该系列晶体属非中心对称的单斜晶系,空间群Ｃｍ。本文综术字上述晶体的结构和生长研究的进展,总结了晶体的线性光学／非线性光学性能以及要晶体的激光自倍频性能,指出这些晶体在非线性光学领域潜在的应用前景。     

溶胶-冷冻法制备纳米Gd2O3:Eu3+发光材料

采用溶胶-冷冻法合成了粒径为20nm左右的近似于球形的Gd2O3：Eu^3＋发光材料.XRD和FTIR分析表明：所合成的前驱体样品为带有结晶水的晶态氢氧化物,经过热处理后得到了立方相的Gd2O3.荧光光谱测试表明：所合成的样品具有良好的Eu^3＋特征红光发射,Gd^3＋到Eu^3＋之间具有有效的能量传递过程.随着灼烧温度的升高,发射峰和激发峰的强度有所增强,荧光寿命变长,这是由于热处理温度升高,晶体生长变好,表面缺陷减少,使表面的猝灭中心减少,从而提高了荧光强度和荧光寿命.     

BaTiO3基PTCR陶瓷中B2O3蒸汽掺杂的异常行为

钛酸钡基半导化陶瓷中的PTCR效应通常与材料中的施受主掺杂密切相关。在高温下B2O3具有较高的蒸汽压,通过B2O3蒸汽掺杂的研究表明,含主族元素B的氧化物蒸汽掺杂,钛酸钡基半导化陶瓷样品的升阻比同样得到了大幅度提高,同时室温电阻率也有所增加。B2O3蒸汽掺杂BaTiO3基材料的PTCR效应的提升可能得益于硼填隙和钡缺位相关的复合缺陷在晶界上的形成。     

Nd:GdxY1-xCa4O(BO3)3晶体的生长及其光谱性能研究

利用熔体提拉法生长了大尺寸,高质量的新型激光自倍频晶体Nd:GdxY1-x(Ca4O(BO3)3(简称Nd:GdYCOB),对Nd:GdYCOB晶体的XRD衍射图进行指标化,得到它的晶胞参数为a=8.080A;b=16.016A;c=3.538A,β＝101．18,μ＝491．1A3,对取自不同部位的晶体粉末进行ICP原子发射光 分析表明晶体整体组份均匀一致,根据熔体和晶体粉末的ICP数据计算,Nd:GdYCOB晶体中Nd3 的分凝系数为0．63,首次报道了Nd:GdYCOB晶体200－3000nm室温透过光谱和室温荧光光谱及荧光寿命,室温透过光谱表明Nd:GdYCOB晶体的紫外吸收边在－220nm,具有很宽的透光波段（－220－2700nm);Nd:GdYCOB晶体在800nm附近存在很强的吸收,适合于LD泵汪,为光光谱表明Nd:GdYCOB晶体是一种很有潜力的RGB（red,green,blue)激光自倍频晶体,掺杂4％,5％ Nd:GdYCOB晶体的荧光寿命分别为105us和100us。