CuO－SnO_2纳米晶粉料的Sol－Gel制备及表征

不用金属醇盐而以无机盐为起始物质，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｋ法得到了平均晶粒尺寸为２１～２２ｎｍ，ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ_２粉料；运用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、差热—失重分析（ＤＴＡ－ＴＧ）、透射电镜（ＴＥＭ）及ＢＥＴ比表面（ＳＡ）测定等分析手段对粉料进行了表征．实验表明，ＣｕＯ的掺杂抑制了ＳｎＯ_２晶粒的生长；以无机盐为原料，采用Ｓｏｌ－Ｇｅｌ法制取ＳｎＯ_２（ＣｕＯ）纳米级晶料是切实可行的，将有利于产业化．     

脉冲准分子激光CuO—SnO2薄膜沉积及其结构分析

采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高α轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜，Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉４００－５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高一６００－７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现。薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显，在玻璃基     

碘化亚铜微晶掺杂硼硅酸盐玻璃的制备及其电致二阶非线性光学效应

采用可分相的Ｎａ２－Ａｌ２Ｏ３－Ｂ２Ｏ３－ＳｉＯ２系为基础玻璃，以ＣｕＯ／ＳｎＯ、ＮａＩ为原料，分别引入Ｃｕ＾＋、Ｉ＾－，成功地制备出ＣｕＩ微晶掺杂硼硅酸盐玻璃。通过Ｘ射线粉末衍射（ＸＲＤ）和高分辨透射电镜（ＨＲＴＥＭ）分析观察到了玻璃中的晶相及其分布；由玻璃的室温透射光谱研究了玻璃的热处理条件下光吸收性的关系。首次报道了该半导体微昌掺杂玻璃中的电致二次谱波发生，并讨论了该效应的机理。     

超临界流体干燥法制备纳米级TiO2的研究

本文以廉价无机盐为原料,采用溶胶－凝胶法结合超临界流体干燥制备了纳米级ＴｉＯ２,并采用ＸＲＤ,ＤＴＡ－ＴＧ、ＴＥＭ技术研究了Ｓｏｌ－Ｇｅｌ过程中溶液的ＰＨ值、浓度、陈化时间及ＳＣＦＤ技术等条件对ＴｉＯ２粒径大小的影响。     

脉冲准分子激光CuO－SnO_2薄膜沉积及其结构分析

采用脉冲准分子激光沉积（ＰＬＤ）技术，分别在Ｓｉ（１１１）单晶及玻璃基片上外延沉积了具有高ａ轴（２００）取向的ＣｕＯ掺杂的ＳｎＯ２薄膜。Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）及透射电镜（ＴＥＭ扫描附件）分析表明：在Ｓｉ（１１１）片上沉积，４００～５００℃退火温度处理的薄膜，只有（２００）峰存在；当退火温度升高到６００～７００℃时，ＳｎＯ２的其余诸峰相应出现，薄膜呈多晶态，取向度降低，晶粒尺寸变大，晶粒分界明显．在玻璃基片上沉积的薄膜，经４００℃低温处理后，（２００）取向度很小；随着退火温度的升高，达到５００℃时薄膜呈高ａ轴（２００）取向生长，结晶度较好，晶粒分布均匀．     

NiMn2O4纳米粉体的制备

用溶胶－凝胶法（ｓｏｌ－ｇｅｌ）合成ＮｉＭｎ２Ｏ４纳米级粉体，利用差热分析（ＤＴＡ），热失重（ＴＧ），Ｘ射线衍射（ＸＲＤ），透射电子显微镜（ＴＥＭ）等广阔博征合成过程及纳米粉体的结构，研究结果表明，ＮｉＭｎ２Ｏ４纳米粉体相合成温度比传统固相反应方法合成温度低大约３００℃，粉体的形状呈多面体形。     

ZrO2掺杂对SnO2薄膜电性及气敏性的影响

本研究不用金属醇盐而以无机盐ＳｎＣｌ２．２Ｈ２Ｏ为主体原料，以Ｚｒ（ＯＣ３Ｈ７）４为掺杂剂，无水乙醇为溶剂，采用溶胶－疑胶Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺制备了不同ＺｒＯ２掺杂份量的ＳｎＯ２薄膜，发现ＺｒＯ２薄膜在常温下对Ｈ２Ｓ气体具有较好的气敏性能，同时本文研究了ＺｒＯ２掺杂份量对ＳｎＯ２薄膜导电率及气敏性能的影响。     

AMT保护青铜的研究

采用电化学方法和ＸＰＳ、ＡＥＳ法研究５－氨基－２－巯基－１、３、４－噻二唑（ＡＭＴ）在青铜表面形成的保护膜。结果表明，ＡＭＴ溶液处理后的青铜试片在ｐＨ值为７的０．５ｍｏｌ／ＬＮａ２ＳＯ４和５％ＮａＣｌ溶液中，其腐蚀过程受到了明显抑制，是由于ＡＭＴ在青铜表面形成Ｃｕ（Ｉ）ＡＭＴ络合物膜，其结构为Ｃｕ｜Ｃｕ２Ｏ｜Ｃｕ（Ｉ）ＡＭＴ。     

稀土络合催化二氧化碳和环氧化物的共聚反应

以稀土络合体系ＲＥ（２０４）３－Ａｌ「Ｃｈ３ＣＨ（ＣＨ３）２」３（ＲＥ＝Ｙ,Ｎｄ,Ｐｒ,ＳＡｍ,Ｄｙ,Ｅｕ）;Ｐ２０４＝（ＲＯ）２ＰＯＯ－,Ｒ＝ＣＨ３（ＣＨ２）３ＣＨ（Ｃ２Ｈ５）ＣＨ２－催化二氧化碳（ＣＯ２）与环氧氯丙烷（ＥＣＨ）无规共聚、合成高分子量的新型聚碳酸酯。同时利用此催化体系对ＣＯ２、ＥＣＨ、环氧树脂（ＥＰ（６１８））进行三元共聚,采用元素分析、红外光谱、广角Ｘ射线衍射及热重分析（ＴＧ）     

溶胶—凝胶法制备Al^3＋离子掺杂型ZnO薄膜与评价

采用溶胶－凝胶（Ｓｏｌ－Ｇｅｌ）工艺在普通Ｎａ－Ｃａ－Ｓｉ玻璃基体上成功地制备出高ｃ轴择优取向性、高可见光透光率以及高电导率的Ａｌ＾３＋离子掺杂型ＺｎＯ薄膜。利用ＳＥＭ、ＸＲＤ以及ＵＶＳ光谱仪等分析方法对不同工艺下制备的薄膜进行了研究，结果显示，所制备的薄膜为纤锌矿型结构，表面均匀、致密、薄膜材料晶粒尺寸大约为５０－２００ｎｍ左右，薄膜可见光透光率最大可达９９％；对薄膜的厚度以及电学性能进行了测定     

铜铬复合氧化物纳米粉的制备与表征

报道了自创铜氨铬合物溶液沉淀法（简称络合法）制备铜铬复合氧化物纳米粉的方法,并采用化学分析、ＢＥＴ比表面积测定、ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＳＥＭ和ＴＥＭ等对该纳米粉进行了表征。结果表明,采用铜氨络合物溶液沉淀法制备的铜铬复合氧化物钠米粉的比表面积高达９６．６ｍ＾２／ｇ;样品中权有ＣｕＯ和ＣｕＣｒＯ２微晶,无尖晶石型的ＣｕＣｒ２Ｏ４晶粒;Ｃｕ只以Ｃｕ＾＋和Ｃｕ＾２＋状态存在,Ｃｒ只以Ｃｒ＾３＋状态存在;样品的     

溶胶—凝胶工艺合成ZrO2超微粉末的研究

以自制Ｘｒ（ＯＣ３Ｈ７）４和Ｙ（ＣＨ３ＣＯＯ）３为原料，应用溶胶、凝胶法制备了组份为ＺｒＯ２９ｍｏｌ％Ｙ２Ｏ３超微粉末，实验表明：温度，湿度、溶液的浓度，介质和催化剂等是影响形成溶胶、凝胶的主要因素，通过ＴＧ－ＤＴＡ，ＸＲＤ、ＢＥＴ比表面积测量以及ＴＥＭ等分析手段研究了粉末的结构结果表明，钇稳定立方相二氧化锆（ＹＳＺ）超微粉末的合成温度在４７０℃左右，粉末经５００℃以上热处理后变为纯立方相结构。５     

Cu粉及纳米Cu粉填充聚甲醛的摩擦学性能研究

利用ＲＦＴ－Ⅲ往复摩擦磨损试验机测试了Ｃｕ粉（２００目）及纳米Ｃｕ粉填充聚甲醛所形成复合材料的摩擦磨损性能，并利用电镜、ＸＰＳ和ＡＥＳ研究了其磨损机理。研究发现，填加一定量Ｃｕ粉（２００目）及纳米Ｃｕ粉均可降低聚甲醛的磨损，但填加纳米Ｃｕ粉效果更好，，ＸＰＳ分析钢对偶面发现，Ｃｕ粉（２００目）在摩擦过程中生成Ｃｕ２Ｏ，而纳米Ｃｕ粉在摩擦过程中生成Ｃｕ（－ＣＨ２－Ｏ）。     

GdSe涂层(CdSe/Ni)的烧结工艺对半导体隔膜电极(SnO_2·P/CdSe/Ni)性能的影响

通过Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）、扫描电子显微镜（ＳＥＭ）、透射电子显微镜（ＴＥＭ）和高能电子衍射（ＲＨＥＥＤ）等技术，研究了由蒸发冷凝法制备的ｎ型半导体材料ＧｄＳｅ超细微粒涂层（ＣｄＳｅ／Ｎｉ）的烧结工艺。实验指出，烧结后的ＧｄＳｅ粉体涂层的结晶形态、膜层的致密均匀性以及结晶粒度的尺寸等均与烧结的工艺条件密切相关。将涂在Ｎｉ箔上的ＧｄＳｅ粉体膜层置于氩气氛中，在缓慢升降温的条件下，于４５０～５００℃温度下恒温２ｈ的多次重复烧结，可以获得表面平整致密、在衬底Ｎｉ箔上附着力强的ＧｄＳｅ多晶膜层，以下称ＣｄＳｅ／Ｎｉ为烧结体。将烧结体应用于半导体隔膜电极（（ＳｎＯ２·Ｐ／ＣｄＳｅ／Ｎｉ）中，可有效地改善半导体隔膜电化学伏打电池（ＳＣ－ＳＥＰ电池）的光电化学特性。     

流态化CVD制备TiO2—Al2O3复合粒子

本文探讨了流态化ＣＶＤ反应器中Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４水解制备ＴｉＯ２－Ａｌ２Ｏ３复合粒子新工艺，借助于ＳＥＭ、ＴＥＭ、ＢＥＴ、ＸＲＦ和ＥＰＭＡ等现代测试手段研究了复合粒子结构和包覆过程特征。结果表明，在流态化ＣＶＤ反应器中Ａｌ２Ｏ３超细颗粒以团聚体形式存在，ＴｉＯ２包覆量随Ｔｉ（ＯＣ４Ｈ９）４进料浓度升高而增加，但反应温度影响不大；在包覆过程中，同时存在成核和成膜，成核包覆使复合粒子比表面积增加，成     

聚碳硅烷／二乙烯基苯的高温裂解

采用ＴＧ－ＤＴＡ、ＩＲ、ＸＲＤ、ＸＰＳ、ＳＥＭ等手段研究了聚碳硅烷（ＰＣＳ）／二乙烯基苯（ＤＶＢ）的高温裂解行为及其裂解产物的结构与性能。结果表明，ＰＣＳ／ＤＶＢ的裂解过程可分成５个阶段，其裂解产物主要由ＳｉＣ、ＳｉＯ２和Ｓｉ－Ｏ－Ｃ非晶网络及游离Ｃ组成，其中游离Ｃ的含量随ＤＶＢ的增加而增加，且对β－ＳｉＣ的结晶有一定的抑制作用，裂解产物的形貌为不发泡的致密结构。     

（Y—ZrO2）—SiCw—Al2O3陶瓷复合材料的摩擦磨损

本文对Ａｌ２Ｏ３基陶瓷复合材料Ａｌ２Ｏ３－ＺｒＯ２－ＳｉＣｗ进行了干摩擦磨损试验，并运用了ＳＥＭ，ＴＥＭ和ＸＲＤ等手段对其显微结构、力学性能及它们与ＧＣｒ１５钢对摩时的摩擦磨损行为进行了系统分析，在此基础上深入探讨了ＳｉＣ面增韧补强作用对复俣材料的摩擦磨损性能的影响。     

REPORT ON ELECTROMAGNETIC METROLOGY IN CHINA DURING 1990-1992

ＲＥＰＯＲＴＯＮＥＬＥＣＴＲＯＭＡＧＮＥＴＩＣＭＥＴＲＯＬＯＧＹＩＮＣＨＩＮＡＤＵＲＩＮＧ１９９０－１９９２￥ＹａｎｇＸｉａｏｒｅｎ；ＲｅｎＤｉａｎｑｉｎｇ；ＬｉＺｉｚｈｏｎｇ（ＣｏｍｍｉｓｓｉｏｎＡ，ＣｏｍｍｉｔｔｅｅｆｏｒＣｈｉｎｅｓｅＵＲＳＩ）...     

Sol—Gel法制备ZrO2—SnO2薄膜的常温气敏机理

根据Ｓｏｌ－Ｇｅｌ工艺制备的ＺｒＯ２－ＳｎＯ２薄膜的气敏性能数据，提出了常温下ＳｎＯ２（ＺｒＯ２）薄膜对Ｈ２Ｓ的气敏机理模型。根据此模型所得定量分析结果与实验结果一致。     

EFFECT OF DOPING METHODS ON THE GAS-SENSING PROPERTIES OF α-Fe_2O_3

用化学沉淀法和升温水解法合成了纯α－Ｆｅ２Ｏ３和ＳｎＯ２掺杂的α－Ｆｅ２Ｏ３。用ＸＲＤ和ＴＥＭ研究了参杂方式对α－Ｆｅ２Ｏ３微观结构的影响。用静态气敏测试方法研究了掺杂方式对α－Ｆｅ２Ｏ３气体灵敏度和电阻的影响。结果表明：水解法α－Ｆｅ２Ｏ３颗粒微细（～４０ｎｍ），阻值适中（数百ｋΩ），而且气体灵敏度高。