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介绍近年来在钨酸铅闪烁晶体结构研究方面所取得的进展,表明钨酸铅晶体结构具有结构多型性和非化学计量配比的特征,说明了晶体结构这一因素在钨酸铅晶体研究中的重要性. 相似文献
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钨酸铅(PbWO4)闪烁晶体的结构研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
介绍近年来在钨酸铅闪烁晶体结构研究方面所取得的进展,表明钨酸铅晶体结构具有结构多型性和非化学计量配比的特征,说明了晶体结构这一因素在钨酸铅晶体研究中的重要性. 相似文献
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钨酸铅PbWO4闪烁晶体缺陷研究进展 总被引:10,自引:0,他引:10
本文介绍了近年来钨酸铅晶体缺陷研究方面的进展,这些结果表明了在钨酸铅晶体闪烁性能研究中考虑晶体缺陷影响的重要性。根据钨酸铅晶体的特点,就闪烁性能与非化学计量配比、晶体结构/多型性、杂质效应以及氧组份等因素的关系进行了简略的讨论。 相似文献
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采用提拉法生长出直径20-25mm,长25-30mm优质PbWO4及La^3+、Mg^2+、Mo^6+和Bi^3+掺杂PbWO4晶体。测试了晶体的X射线衍谢谱、透射光谱、激发发射光谱、光产额、抗辐照性能和发光衰减时间。总结并解释了掺杂对PbWO4晶体性能的影响以及氧退火对晶体抗辐照性能的影响,探讨了掺杂改善晶体闪烁性能的可能性。 相似文献
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钆掺杂钨酸铅闪烁晶体的介电双弛豫峰研究 总被引:1,自引:0,他引:1
完成了钆离子(Gd3++)掺杂钨酸铅晶体在40~600℃、1~106Hz范围内介电性能的测量.在升温过程中观察的典型的介电弛豫峰,记为α峰,其激活能为050±0,01eV,频率因子v=1.44×109.而在降温过程中,除α峰外还出现了另一介电弛豫峰,记为β峰,其激活能为 0.51±0.2eV,频率因子V=2.44×106.α峰和 β 峰均可用 Debye方程来描述,而其相对强度呈此消彼长的趋势.分析了Gd:PWO中两种介电弛豫峰的起因及其相互关系,并讨论了它们与PWO晶体闪烁性能变化之间的关系. 相似文献
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Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关. 相似文献
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掺Yb3+闪烁晶体是新近发展起来的一类闪烁体,有可能用于探测太阳中微子.本文简要介绍了掺Yb3+闪烁晶体的电荷迁移发光的机理以及基质晶体对温度猝灭与浓度猝灭的影响.综述了具有石榴石结构和钙钛矿结构的两类掺Yb3+闪烁晶体的研究进展,特别是Yb:YAG和Yb:YAP晶体的生长、闪烁性能以及应用前景.最后,对掺Yb3+闪烁晶体的未来研究方向做了展望. 相似文献
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Y3+离子掺杂钨酸铅晶体特殊的低剂量率辐照行为一般在晶体顶端表现更为明显,以往研究认为该现象起因于晶体中有效分凝系数<1的Na+、K+和Si4+等杂质在顶端的富集.本文研究了Si4+掺杂的Y3+:PWO晶体,对晶体顶端和晶种端的分段晶体测试了退火温度对晶体透过率和辐照硬度的影响,结果发现:在实验所涉及的掺杂浓度范围内,Si4+离子杂质对Y3+:PWO晶体的辐照硬度及透过率无影响,可以认为Y3+:PWO晶体特殊的低剂量率辐照行为和晶体中的Si4+离子含量无关. 相似文献