Mg－PSZ中二种析出相的初步研究

本文采用了较简便的烧成工艺制度制备Ｍｇ－ＰＳＺ材料．用ＴＥＭ对这种Ｍｇ－ＰＳＺ材料中的析出相进行了观察，对析出相的结构进行了初步的研究，发现了其中的二种未知析出相Ｘ１相和Ｘ２相．Ｘ１相具有简单四方结构，点阵常数约为ａ＝１．４４８ｎｍｃ＝２．１００ｎｍ．Ｘ２相也具有简单四方结构，点阵常数约为ａ＝１．４４０ｎｍ，ｃ＝４．０７２ｎｍ．     

快速凝固Al—Li—Cu—Mg—Zr合金中H相的Z相的TEM研究

用ＨＲＴＥＭ、ＴＥＭ及ＥＤＡＸ分析研究了Ａｌ－Ｌｉ－Ｃｕ－Ｚｒ合金中的一种新相（暂名Ｈ相）和六角Ｚ相的结构，确定Ｈ相具有四方点阵，点阵参数为ａ＝２．８ｎｍ，ｃ＝２．４ｎｍ，ＥＤＡＸ分析表明Ｈ明和Ｚ相均含有Ａｌ，Ｍｇ，Ｃｕ。发现Ｈ相与Ｚ相的共存取向关系为［１００］ｈ｜｜［１１２０］ｚ，［０１０］｜｜［０００１］Ｚ。还观察到Ｚ相中一种特有有的旋转畴结构。     

快速凝固Al—Li─Cu—Mg—Zr合金中H相和Z相的TEM研究

用ＨＲＴＥＭ、ＴＥＭ及ＥＤＡＸ分析研究了Ａｌ─Ｌｉ—Ｃｕ—Ｍｇ—Ｚｒ合金中的一种新相（暂名Ｈ相）和六角Ｚ相的结构，确定Ｈ相具有四方点阵，点阵参数为α＝２．８ｎｍ，ｃ＝２．４ｎｍ，ＥＤＡＸ分析表明Ｈ相和Ｚ相均含Ａｌ、Ｍｇ、Ｃｕ发现Ｈ相与Ｚ相的共存取向关系为［１００］‖［１１２０］Ｚ，［１０１０］Ｈ‖［０００１］Ｚ。还观察到Ｚ相中一种特有的旋转畴结构     

Al—5Fe—2Ni合金析出相的Mossbauer谱

用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱学和ＸＲＤ方法研究了快速凝固Ａｌ－５Ｆｅ－２Ｎｉ（原子百分数）合金的析出相，结果表明，析出相为三元化合物Ａｌ９ＦｅｘＮｉ２－ｘ（０〈ｘ〈２）属于单斜晶系，晶格参数ａ＝０．８５８ｎｍ，ｂ＝０．６３１ｎｍ，ｃ＝０．６２１ｎｍ，β＝９４．８，它的Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ谱为一套双线，同质异能移位ＩＳ＝０．１２ｍｍ．ｓ＾－１，四极分别ＱＳ＝０．３２ｍｍ．ｓ＾－１，线宽Г＝０．２６ｍｍ．ｓ＾     

一个与准晶相关的新Al－Cu相

本文报道一个新Ａｌ－Ｃｕ相具有正交结构，空间群Ｆｄｄｄ．点阵常数为：ａ＝０．８１６６ｎｍ，ｂ＝０．９９９５ｎｍ，ｃ＝１．４１４９ｎｍ，表达式为Ａｌ４３．２Ｃｕ５６．８．该相与Ａｌ－Ｃｕ－Ｆｅ准晶的价电子浓度相同，是一个由ＣｓＣｌ结构衍生的类似相．     

一个与准晶相关的新Al—Cu相

本文报道一个新Ａｌ－Ｃｕ相，具有正交结构，空间群Ｆｄｄｄ，点阵常数为：ａ＝０．８１６６ｎｍ，ｂ＝０．９９９５ｎｍ，ｃ＝１．４１４９ｎｍ，表达式为Ａｌ４３．２Ｃｕ５６．８，该相与Ａｌ－Ｃｕ－Ｆｅ准晶的价电子浓度相同，是一个由ＣｓＣｌ结构衍生的类似相。     

Fe73.5Cu1Mo3Si13.5B9微晶软磁合金的结构及其对磁性的影响

对Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｍｏ３Ｓｉ１３．５Ｂ９微晶软磁合金的结构及其对合金磁性的影响了研究，结果表明，在最佳磁性能下，晶相点阵常数ａ＝０．２８４３ｎｍ，相当于Ｆｅ（Ｓｉ）固溶体中含Ｓｉ％（ｍｏｌ／ｍｏｌ）：１８－２０，体积百分数Ｖ＝７４．８％，晶粒尺寸Ｄ＝１４．６ｎｍ；残余非晶层厚度δ＝１．２３ｎｍ；当Ｔ退火≥５６０℃时明显有Ｆｅ－Ｂ化合物析出。Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｍｏ３Ｓｉ１３．５Ｂ９合金的磁性不仅与     

生物材料PCL的晶体结构

用ＷＡＸＤ方法测定了生物高分子材料ＰＣＬ的晶体结构。求出晶胞参数数ａ＝０．７４７２ｎｍ，ｂ＝０．４９９５ｎｍ，ｃ＝＝１．７０５０ｎｍ，Ｖ＝０．６３６３ｎｍ＾３及晶体密度Ｄｃ＝１．２０ｇ／ｃｍ＾３；ｚ＝４属正交晶系；对称性分离，属Ｐ２２２空间群，Ｎ＝２，分子链构橡为ＰＺ型，并给出了晶结构模型。     

三元系ZrO3固溶体的XPS和XRD研究

对ＣｅＯ２－ＭｇＯ－ＺｒＯ２系固溶体的ＸＰＳ和ＸＲＤ研究结果表明：在１７００℃烧结和随后的１２００℃处理过程中。Ｃｅ＾４＋被还原成Ｃ＾３＋，离子半径的差别使立方相的晶格常数增大，氧的的结合能增大，镁的结合能减小，热处理时，Ｃｅ离子在ＭｇＯ偏析后仍稳定存在于ＺｒＯ２晶格中，使立方ＺｒＯ２发生与会传统Ｍｇ－ＰＳＺ不同的分解反应：ｃ－ＺｒＯ２→ｃ′－ＺｒＯ２＋ｔ－ＺｒＯ２＋ＭｇＯ。     

BaClF：Eu^2＋的微波辐射合成

报道了用微波辐射法合ＢａＣｌＦ：Ｅｕ＾２＋荧光体，Ｘ－射线粉末衍射测定其相结构为四方晶系，晶胞参数为ａ＝０．４３８９３ｎｍ，ｃ＝０．７２２３ｎｍ测定了最大激发峰和最大发射峰；在２５４ｎｍ光激发下，测定了色坐标。     

微晶PSZ的显微结构

本文对ＺｒＯ２－ＭｇＯ－Ｙ２Ｏ３－Ａｌ２Ｏ３上元系微晶ＰＳＺ材料的显微结构特征进行了ＴＥＭ分析，认为１１００℃热处理后试样显微结构的变化与ＰＳＺ亚共析分解过程有关；处理后度样中ｔ－ＺｒＯ２析出体的形貌兼具有Ｍｇ－ＰＳＺ中梭形交叉及Ｙ－ＰＳＺ中平行“群集”的显微形貌特生。     

以Ba云母为主晶相的可切削玻璃陶瓷

基于Ｂａ０．５Ｍｇ３（Ｓｉ３ＡｌＯ１０）Ｆ２－Ｍｇ２Ａ１４Ｓｉ５Ｏ１８－Ｃａ３（ＰＯ４）２系统，制备出了以含Ｂａ碱士云母为主晶相的可切削玻璃陶瓷，弯曲强度σｂ＝２２９ＭＰａ，断裂韧性Ｋｌｃ＝２．４８ＭＰ·ｍ１／２；钻孔速度大于７ｍｍ／ｍｉｎ．优良性能的获得借助于Ｂａ云母玻璃陶瓷可控的显微组织，即相互交错的云母体和“卷心菜”的组织特征．观察到了两类类型的断口形貌：云母晶体层内断的层状花样和沿（００１）晶面层间断的小刻面花样．     

细晶（Mg,Y）—PSZ陶瓷在热蒸汽条件下的腐蚀行为

研究细晶（Ｍｇ，Ｙ）－ＰＳＺ陶瓷在１７５℃（１．２ＭＰａ）热蒸汽环境下的腐蚀行为。研究发现。细晶（Ｍｇ，Ｙ）－ＰＳＺ陶瓷不仅比３Ｙ－ＴＺＰ陶瓷具有良好的抗水热腐蚀能力，而且也比Ｍｇ－ＰＳＺ陶瓷具有更高的常温抗弯强度。相变激活能的计算结果表明，热蒸汽环境下，（Ｍｇ，Ｙ）－ＰＳＺ陶瓷具有与Ｙ－ＴＺＰ及Ｃｅ－ＡＺＰ陶瓷相近的相变激活能。进一步说明水分子与Ｚｒ－Ｏ－Ｚｒ键相互作用大幅度降低了材料的相变激活     

二价离子替代的Nasicon及其应用研究

含二价阳离子的Ｎａｓｉｃｏｎ，Ｍ￣（２＋）Ｎａｓｉｃｏｎ（Ｍ＝Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｚｎ）可由母体Ｎａ＿３Ｚｒ＿２Ｓｉ＿２ＰＯ＿（１２）（Ｎａｓｉｃｏｎ）为起始原料与相应的二价离子的盐浓液或熔盐进行离子交换而制得。Ｘ射线衍射分析结果表明离子交换后的产物Ｍ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ大多保持原母体的Ｃ＿（２／ｃ）结构。交流阻抗技术测定的电导率数据显示含不同的二价替代离子的Ｎａｓｉｃｏｎ的电导率相差甚大。其中最好的是Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ，其电导率在４００℃时可达到１．４８×１０￣（－２）Ｓ／ｃｍ。Ｍｇ￣（２＋）－Ｎａｓｉｃｏｎ用作微功率固态电池Ｍｇ／ＣｕＣｌ的电解质，该电池的开路电压为２．０７Ｖ，短路电流为１ｍＡ。平均放电电压为１．６Ｖ，电池的放电容量是３．４ｍＡＨ。     

聚醚酮酮及其低聚物晶体的晶型结构

利用ＷＡＸＤ研究ＰＥＫＫ的晶型，得到两种晶型，其点阵常数为：Ⅰ型ａ＝０．７７５ ｂ＝０．６０９，ｃ＝１．０１及Ⅱ型ａ＝０．４１８，ｂ＝１．１３，ｃ＝１．００７；表明多晶型不仅与结晶条件也与分子结构有关。     

La2／3Ca1／3Mn（O1—x,Fx）3的晶体结构和巨磁电阻特性

对钙钛矿结构锰酸盐巨磁电阻材料进行了阴离子掺杂的研究。Ｘ射线衍射结果表明,Ｌａ２／３Ｃａ１／３Ｍ（Ｏ１－ｘＦｘ）３化合物的空间媾和为Ｐｂｎｍ,Ｚ＝４,Ｆ＾－离子占据８ｄ位置,随着ＣａＦ２掺入量的增加,晶格常数和晶胞体积呈递减趋势。     

Bi2O3—PbO二元系相图

本文用差热分析（ＤＴＡ）和Ｘ射线衍射（ＸＲＤ０技术研究了Ｂｉ２Ｏ３－ＰｂＯ二元相平衡；在该二元系中存在一个结构为体心立方，点阵常数ａ＝０．４３５０ｎｍ的新化合物，化合物的组成来２Ｂｉ２Ｏ３，３ＰｂＯ，该化合物是６Ｂｉ２Ｏ３－ＰｂＯ和ａ固溶体在５９０℃包晶反庆形成的，温度为６１５℃，组成为Ｂｉ２Ｏ３：ＰｂＯ＝３：７发生共晶反应Ｌ＝６Ｂｉ２ｏ３．ＰＢＯ＋α６１５℃时Ｂｉ２Ｏ３在α相中的最大固溶度大约是     

超低膨胀陶瓷K_（2x）Ba_（1－x）Zr_4（PO_4）_6系统的X射线衍射

用高温Ｘ射线衍射方法对磷酸锆钡钾系统陶瓷材料的各向异性热膨胀作了研究．对七个组份试样的７７套高温Ｘ射线衍射图作了仔细的指标化和精密点阵常数测定．点阵常数随温度作非线性变化·对Ｋ_２ｘＢａ_１－ｘＺｒ_４（ＰＯ_４）_６的不同组份不同温度（３００～１３００Ｋ）的热膨胀系数。α_ａ、α_ｃ、　作了测定·该系统零膨胀陶瓷的组份为Ｋ_１．１６Ｂａ_０．４２Ｚｒ_４（ＰＯ_４）_６（ｘ＝０．５８）     

La_(0.9)Sr_(0.1)Ga_(0.8)Mg_(0.2)O_(3-α)的柠檬酸盐法制备和表征

采用柠檬酸盐法制备了　Ｌａ０．９Ｓｒ０．１Ｇａ０．８Ｍｇ０．２Ｏ３－α（ＬＳＧＭ）粉体材料．ＴＧ和　ＤＴＡ分析表明,凝胶在２６５～３０９℃下分解为相应的氧化物．ＸＲＤ测试表明,凝胶在１３００℃以上煅烧时,转变为简单立方钙钛矿结构的纯相产物．１４５０℃下烧结体的相对密度为８８％,其复阻抗特性表明产物中没有明显的晶界过程,且在８００℃下的电导率为 ２.１×１０－２Ｓｃｍ－１,活化能为０．９８ｅＶ．     

高氢稀释硅烷加乙烯法制备纳米硅碳薄膜

在等离子体化学气相沉积系统（ＰＥＣＶＤ）中，使用高氢稀释硅烷（ＳｉＨ４）加乙烯（Ｃ２Ｈ４）为反应气氛制备了纳米硅碳（ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜，随着（Ｃ２Ｈ４＋ＳｉＨ４）／Ｈ２（Ｘｇ）从５％时，由于Ｈ蚀刻效应的减弱，薄膜的晶态率从４８％下降到８％，平均晶粒尺寸在３．５－１０ｎｍ。当Ｘｇ≥６％时，生成薄膜为非晶硅碳（ａ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ）薄膜。ｎｃ－ＳｉＣｘ＾２Ｈ薄膜的电学性质具有与薄膜的晶态率紧密相