SrAl2O4 ：Eu2+和SrAl2O4 ：Eu2+，Dy3+长余辉和热释光谱

对比研究了SrAl2O4:Eu2+和SrAl2O4:Eu2+,Dy3+的余辉特性和热释光谱,并探讨了Dy3+的掺杂对SrAl2O4:Eu2+陷阱能级的影响。XRD晶相分析表明: Eu2+和Dy3+的掺杂并没有改变SrAl2O4的晶体结构。发光分析表明：Dy3+的掺杂没有改变SrAl2O4:Eu2+的光致发光光谱和发光中心。热释光谱对比分析结果显示：Eu2+的掺杂在SrAl2O4的禁带中引入了两个深度不同的陷阱能级;Dy3+的掺杂并不改变原来陷阱能级的深度,却能够显著地增加原来浅陷阱能级的密度,从而改善了SrAl2O4:Eu2+的余辉特性。不同等待时间的热释光谱曲线显示：在室温下,不同陷阱能级衰减规律的差异以及陷阱能级间存在的电子转移,可能造成了SrAl2O4:Eu2+,Dy3+长余辉材料复杂的余辉衰减规律。     

红色长余辉材料CaTiO3:Pr3 中两种电子陷阱的研究

用高温固相法制得了钙钛矿结构的红色长余辉材料CaTiO3：Pr^3 。其发射光谱峰值为612．3nm和614．7nm，激发光谱的峰值为342nm和400nm；在温度110～400K内有4个热释峰，峰值温度基本在153K、242K、279K和327K附近。在不同掺杂下热释光曲线的变化表明，153K和242K的热释峰分别对应于O空位和Ti^4 形成的电子陷阱。从不同样品的热释光曲线和余辉曲线变化情况可看到，这两种电子陷阱是影响材料余辉性能的主要因素。Zn^2 的掺入改变了陷阱的分布状况，提高了材料的余辉性能。     

长余辉材料SrAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋的制备及发光性能研究

采用高温固相法，在碳粉还原条件下制备了发光亮度高、余辉时间长的SrAl2O4：Eu^2＋，Dy^3＋长余辉发光材料，对其发光性能进行了研究。发光粉体经碳粉还原后的发射光谱表明，其发射主峰位于509nm左右；余辉衰减曲线证明其余辉衰减过程存在快速衰减和慢衰减两个过程，该发光粉体的余辉时间能持续20h以上。此外还考察了烧结温度、稀土掺杂量和助熔剂含量对此发光粉体发光性能的影响。     

X射线存储材料Si4 掺杂BaFBr:Eu2 中电子陷阱的研究

在BaFBr：Eu^2 中掺人Si^4 合成了一种新的X射线影像板材料，其主要光激励发光(PSL)性能，如射线敏感度和长波可激发性都优于低价阳离子掺杂的BaFBr：Eu^2 。用喇曼和顺磁共振(EPR)等手段表征了掺Si^4 后BaFBr：Eu^2 中电子陷阱的结构，并根据此结构解释了其激发波长的红移量比其它低价阳离子掺杂都高的原因。     

纳米蓝粉CaAl2O4:Eu2+的制备与研究

将超声波运用于沉淀法合成了彩色PDP用纳米级蓝粉CaAl2O4：Eu^2 用X射线粉晶衍射(XRD)、透射电镜(TEM)、荧光分光光度仪及PDP真空紫外荧光光谱测试系统对样品的性能进行了表征。XRD显示在1350℃煅烧就能得到单相的CaAl2O4基质，相对于高温固相反应法烧结温度降低了150℃；分别用高温固相法、传统的沉淀法和运用了超声波的沉淀法制备出了CaAl2O4：Eu^2 产物，结果表明运用了超声波的沉淀法制备出的纳米CaAl2O4：Eu^2 未发生团聚，粒度达70nm，相对发光强度大大提高；同时研究了Eu^2 对CaAl2O4：Eu^2 的发光性能的影响，确定了Eu^2 的最佳掺杂浓度；并研究了在真空紫外条件147nm激发下纳米CaAl2O4：Eu^2 的发光性能，结果表明其余辉时间为2．51ms，相对发光强度为商用PDP蓝粉BaMgAl10O17：Eu^2 的92％，色坐标y值为0．0426，比：BaMgAl10O17：Eu^2 的色坐标，值小，说明纳米CaAl2O4：Eu^2 的色彩重现域更广，在PDP应用中会具有较好的前景。     

Y_3Al_5O_(12)-TR_1,TR_2晶体的复合荧光

本文研究了含两种稀土激活剂钇铝石榴石r照射晶体的热荧光和光受激荧光,其中一种激活剂形成电子的(Eu,Yb)陷阱,另一种形成空穴(Pr,Tb)陷阱。在这些晶体中大部分光子用r照射时贮存在激活能级上,并且加热时在与TR~(2+)电离有关的激活峰上发光。根据热发光曲线的计算,YAG中EU~(2+)和Yb~(2+)的电离电位相应为1.5和1.3电子伏。在TR~(2+)吸收带内激励出光受激荧光。在YAG-Yb,Tb和YAG-Yb,Pr晶体中从Yb~(2+)的基态上观察到了电子的隧道效应,造成r照射晶体的长时间余辉,这种余辉受温度的影响不大。     

Tb^3＋和Eu^3＋激活InBQ3的合成及其发光性质

本文报道Tb^3 及Eu^3 离子激活的InBQ3绿色，橙红色和琥珀色荧光粉的合成方法，亮度，光谱特性，余辉及电流饱和等阴极射线发光性质。由于具有中等余辉及良好的发光特性，这类荧光粉可用于抗闪烁的终端显示器CRT中。     

CsI:Tl余辉产生和抑制机理的第一性原理研究

CsI∶Tl晶体受其余辉特性的影响，限制了其在快速X射线成像领域的推广应用。为探索CsI∶Tl晶体的余辉产生机理和抑制方法，利用Material Studio软件建立了纯CsI晶体、CsI∶Tl晶体和CsI∶Tl,Eu晶体的超晶胞模型，基于密度泛函理论的第一性原理及广义梯度近似和超软赝势框架计算三个模型的总态密度和分态密度。结果表明，CsI∶Tl晶体发射余辉是由于Tl掺杂引入的浅杂质能级约束了少量电子跃迁过程，导致余辉光子的延迟发射。而Eu共掺杂将在CsI∶Tl晶体中引入更深的杂质能级，能够有效地清除受限于Tl引入的浅电子陷阱的电子，并防止电子受环境热扰动影响重新受激发射二次光子，从而有效抑制CsI∶Tl晶体中余辉光子发射。     

长余辉发光材料中掺杂中心参数的理论估算

采用复合体模型,探讨了长余辉晶体Y2O2S:Eu中碱土金属离子M2 和Ti4 离子对Y3 离子的取代,离子间价电子数的差异,会造成掺杂中心的净电荷效应,当掺杂中心的净电荷为正时,掺杂中心起电子陷阱作用;当掺杂中心的净电荷为负时,掺杂中心起空穴陷阱作用.利用量子力学变分原理获得了碱土金属离子M2 和Ti4 掺杂中心的势阱深度和捕获半径的对应关系,利用所得结论估算出共掺杂的空穴陷阱[MgY]和电子陷阱[TiY] 的有效捕获半径分别为0.117 nm和0.071 nm.     

还原气氛对Sr_(1.94-x)Ba_xMgSi_2O_7:Eu_(0.01)~(2+),Dy_(0.05)~(3+)长余辉材料发光性能的影响

用高温固相反应法,分别在H2和CO还原气氛中制备了Sr1.94-x Bax MgSi2O7:Eu2+0.01,Dy3+0.05长余辉材料;研究了不同还原气氛对该系列荧光粉发光及余辉性能的影响。研究结果表明,随着Ba2+浓度的增加,荧光粉的晶体结构发生了改变,从而导致发射光谱和余辉光谱的峰位也发生了变化;CO还原气氛下所制备荧光粉的纯度要高于H2还原气氛下制备的样品,CO还原气氛下所制备荧光粉的余辉的初始亮度和衰减都明显优于H2还原条件下所制备的样品,说明CO还原条件下更容易形成具有合适浓度和深度陷阱的纯相荧光粉,有助于提高样品的余辉性能。     

First Evidence of Electron Trapped Ln2+ Promoting Afterglow on Eu2+, Ln3+ Activated Persistent Phosphor-Example of BaZrSi3O9:Eu2+, Sm3+

BaZrSi₃O₉:Eu²⁺, Sm³⁺ (Em:525 nm) is prepared. The role played by the trivalent co-doping ion Sm³⁺ in the afterglow and the type of trap are clarified. BaZrSi₃O₉:Eu²⁺, Sm³⁺ is found to produce Sm²⁺ during the excitation by X-ray absorption near-edge structure (XANES), etc., and it is thus proved that Sm³⁺ exists as an electron trap in the afterglow process. In the field of persistent phosphors activated by Eu²⁺ and Re³⁺ such as Sm³⁺ or Dy³⁺ having been widely utilized as emergency guide lights, clock faces, etc. for > 25 years, for the first time it is successfully observed that after excitation Re²⁺ is formed, transferring its electron to 5d band of Eu²⁺, returning to Re³⁺ by itself, where the decrease in Sm²⁺ coincides with the increase in Sm³⁺, and the two decay time τ₁ and τ₂ of PL (⁵D₀→⁷F₀) of Sm²⁺ coincides with the two evolution time of PL (5d→4f) of Eu²⁺. The behavior of electron transfer from Sm²⁺ to Eu²⁺ as a key of afterglow is detected. The detailed afterglow mechanism is proposed by analysis of thermoluminescence and defect reaction, which is very important for the in-depth investigation of the long afterglow material and the further improvement of the mechanism.     

掺硅对二氧化钛压敏电阻性能的影响

采取通用的陶瓷工艺,按配方(摩尔分数)TiO2+0.3%(BaCO3+Bi2O3)+0.075%Ta2O5+x%SiO2,其中x=0.1,0.2,0.3,0.4,0.5,制备试样。经过R-f,C-f和I-V测量,研究了SiO2对(Ba,Bi,Si,Ta)掺杂的TiO2基压敏陶瓷的压敏特性、电容特性及晶粒半导化的影响。结果表明:当x=0.3时,压敏电压最低(E10mA为8V.mm–1),电容量最大(C为30pF,1kHz)及晶粒电阻最小(1.4?)。     

长余辉蓝色荧光粉SrSiO3:Eu2+,Dy3+的制备与发光性能研究

采用高温固相法,在碳粉还原条件下制备了SrSiO<,3>:Eu<'2+>,Dy<'3+>长余辉蓝光发光材料.研究了Eu<'2+>的掺杂浓度对样品发光性质的影响.用X射线衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)和荧光光谱等手段对样品进行物相、形貌和光谱等性能的表征.研究结果表明,样品为单斜晶体,样品颗粒呈花束形;该荧光粉激发...     

In2Ge2O7薄膜制备及其紫外光敏特性研究

以In2O3和GeO2为原料,采用碳还原法制备了In2Ge2O7多晶薄膜,利用XRD和SEM对薄膜的结构和形貌进行了表征。对基于In2Ge2O7薄膜的金属-半导体-金属(MSM)紫外探测器进行了紫外光电导特性测量,结果显示:在波长为250nm的紫外光照射下,在5V偏压下,器件的光电流为727μA(暗电流为12μA),光响应度达到262.9A.W-1,光响应上升时间约为67s,下降时间约为15s。分析认为较长的响应时间是由于内部的缺陷与位错造成的。初步研究结果表明:In2Ge2O7薄膜可以作为一种良好的日盲紫外探测材料。     

Pulsed N2O molecular laser studies

The afterglow pulse-gain technique was used to measure the relaxation of the 00°1 upper laser level in N2O from 300 to 700°K. The rate constantk_{N_{2}O}(torr^-1s^-1) varies with temperature aslog10k_{N_{2}O} = 4.53 - 10.9T^{-1/3}. Measurements of the relaxation time at 300°K agree with the fluorescence technique results of Yardley [1]. Gain studies were also made with gas mixtures in a nonflowing system. Single-pulsed N2O + CO + He mixtures at 300°K showed considerable peak gain. However, subsequent pulses of these mixtures show that the gain is reduced because of the chemical reaction forming CO2. Measurements of this transformation from one molecular laser mixture to another are discussed.     

稀土离子掺杂对钨酸盐荧光粉发光性能的研究(英文)

红色荧光粉的在制备荧光转换型白光LED时是不可或缺的,因为红色荧光粉在制备高显色指数白光LED中发挥着重要的作用。LiEuW2O8是最近几年最新发展起来的一种很有潜力的红色荧光粉。主要研究了稀土离子掺杂对LiEuW2O8发光性能的影响。采用高温固相法制备钨酸锂铕系列红色荧光粉。La3+和Sm3+取代LiEuW2O8中的Eu3+,La3+和Sm3+通过再吸收的方式将能量传递给Eu3+,实现对Eu3+的敏化作用。La3+和Sm3+的掺杂并没有改变样品的激发和发射峰,也没有改变晶体结构,但是掺入后能显著提高样品的发射强度。La3+的最佳掺杂量(物质的量分数)为3%,Sm3+的最佳掺杂量为4%。     

H3O+(H2O)n(n=0～4)与甲醇、乙醇反应的实验研究

在流动余辉质谱装置上，利用He的空心阴极放电产物与H2O反应制备了反应物离子H3O (H2O)n(n=0～4)，并观察了H3O (H2O)n(n=0～4)与CH3OH、C2H5OH反应的产物离子，对它们进行了归属，分析了各种产物离子形成的离子-分子反应机制。     

Facile Fabrication of Luminescent Eu(III) Functionalized HOF Hydrogel Film with Multifunctionailities: Quinolones Fluorescent Sensor and Anticounterfeiting Platform

The luminescent hydrogen-bonded organic framework (HOF) based films have become one of the most remarkable materials for optical application, thus, developing facile synthesis methods and establishing multifunctional applications for HOF-based luminescent materials are essential. Herein, a dual-emitting Eu³⁺-functionalized HOF hydrogel film ( 1 ) is fabricated successfully. 1 emits a blue-green long afterglow when turning off the UV lamp, and the long afterglow lifetime gets to 1.99 s. 1 performs great selectivity, high sensitivity, and low detection limit toward ofloxacin and flumequine, and the sensing toward ofloxacin and flumequine is in accord with the chroma and ratio modes. The fluorescent response mechanisms of 1  toward ofloxacin and flumequine are investigated in depth, which are further utilized to build an anticounterfeiting platform with high-level security. The film-based anticounterfeiting platform can conduct information encryption on demand inline with different fluorescent responses and can also fetch specific information by controlling the long afterglow intensity and excited light. This study not only provides a representative case of the fabrication of dual-emitting Eu³⁺-functionalized HOF-based hydrogel film but also opens the possibility of HOF-based film as intelligent luminescent materials with multifunctionalities.     

Yb3+: GdGaGe2O7制备、结构及光谱性能

采用固相法制备了10at.% Yb3+: GdGaGe2O7多晶粉体，通过X射线粉末衍射用Rietveld全谱拟合给出了其空间群为P21/c,晶格常数a、b、c和β、Gd/Yb和Ga的原子坐标为。Ge1、Ge2、O1～O7的原子坐标。通过吸收谱、激发谱、光致发光谱和Raman光谱确定Yb3+的晶场能级分裂；1003nm发光在低温8K和室温(300K)时上能级荧光寿命为0.493ms和0.774ms。在室温下测量荧光寿命变长主要由再吸收所引起。Yb3+:GdGaGe2O7的吸收和发射光谱均很宽，荧光寿命长，是潜在的全固态激光工作物质。