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相似文献
 共查询到20条相似文献,搜索用时 31 毫秒
1.
新产品速递     
《集成电路应用》2013,(1):42-43
士兰微电子推出内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器士兰微电子近日推出应用于开关电源的内置高压MOSFET电流模式PWM+PFM的AC/DC控制器SD6835。该产品符合能源之星2.0标准,具有低功耗、低启动电流和较低EMI,输出电压和极限输出功率均可调节等特点。目前该芯片可以提供的功率范围  相似文献   

2.
《集成电路应用》2011,(4):45-45
士兰微电子近期推出了新一代高压MOSFET产品F-CellTM系列。这是陔公司自主研发的第四代平面结构高压MOSFET产品,工作电压可以覆盖400~900V,工作电流在1~18A,兼容多品稳压管结构以提高ESD特性,并且具有高可靠性、高效率、高EAS能力。  相似文献   

3.
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《集成电路应用》2012,(2):44-45
士兰微电子推出内置高压启动和高压MOSFET电流模式PWM+PFM控制器杭州士兰微电子近日推出应用于开关电源的内置高压启动和高压MOSFET电流模式PWM+PFM的SDH682X系列AC/DC控制器。该系列芯片具有低功耗、低启动电流和较低的EMI等特点,最高效率可达到84%以上,  相似文献   

4.
杭州士兰微电子推出了应用于开关电源的内置高压启动和高压MOSFET电流模式PWM+PFM的SDH682X系列AC/DC控制器。  相似文献   

5.
杭州士兰微电子推出了SD686X系列产品的升级版,应用于开关电源的内置高压启动和高压MOSFET电流模式PWM+PFM的SDH682X系列AC/DC控制器。  相似文献   

6.
《中国集成电路》2009,18(5):6-6
杭州士兰微电子公司最近成功推出了一款应用于开关电源l稳压器的内置高压MOSFET、电流模式PWM控制器——SD484X系列。该系列电路具有低功耗、低启动电流和较低的EMI;最高效率可以达到80%以上,启动电压和输出电压均可调节,目前电路可以提供的功率范围为:宽电压范围7-21W,窄电压范围5~18W。可广泛应用于机顶盒、DVD播放机、电源适配器等整机产品中。  相似文献   

7.
杭州士兰微电子近期推出了满足能源之星6级能效标准的SD696X系列芯片,该系列芯片内置650V高压功率MOSFET及QR(准谐振)+PWM+PFM控制回路,具有多种高效的工作模式,在不同负载条件下均可实现最优效率,拥有集成度高、占板面积小、便于整机调试等突出特点。SD696X系列芯片覆盖8~18W输出功率,可广泛应用于机顶盒、DVD播放机、电源适配器等整机产品。  相似文献   

8.
杭州士兰微电子近期推出了满足能源之星6级能效标准的SD696X系列芯片,该系列芯片内置高压MOSFET及QR(准谐振)+PWM+PFM控制回路,具有多种高效的工作模式,在不同负载条件下均可实现最优效率,满足能源之星LEVEL6(EPS2.0)的效率要求。SD696X系列芯片覆盖8-18W输出功率,可广泛应用于机顶盒、DVD播放机、电源适配器等整机产品。  相似文献   

9.
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《集成电路应用》2013,(6):43-45
士兰微电子推出高性能非隔离LED照明驱动SD690XS系列芯片士兰微电子日前推出了针对高性能非隔离LED照明驱动应用的SD690XS系列产品。该系列芯片是内置高压MOS管的驱动电路,能够实时逐周期检测、控制真实的输出电流,在输入电压、输出电压及外围电感发生变化时输出电流变化很小。SD690XS基于士兰微电子自主研发的BiCMOS工艺制造,采用了多项专利技术,性能优异,具有高PFC、高恒流精度和高转换效率等特点,可广泛应用于球泡灯、T5/T8LED灯具等各式LED照明应用场合。  相似文献   

10.
借助于芯片设计、制造、封装与测试高度整合的IDM发展模式,士兰微电子取得快速增长。该公司利用自有的BCD工艺平台,在电源及功率驱动产品的开发上正在往高压高功率密度方向发展。成立于1997年的杭州士兰微电子经过十多年的发展,已成为国内规模最大的集成电路芯片设计与制造一体(IDM)的企业之一。  相似文献   

11.
《中国集成电路》2011,20(11):3-3
杭州士兰微电子股份有限公司(简称士兰微)于近日收到“高速低功耗600v以上多芯片高压模块”项目的第一笔项目经费1199万元。  相似文献   

12.
新闻     
杭州士兰微电子获ARM926EJ-S处理器授权杭州士兰微电子和ARM共同宣布,士兰微电子通过ARM代工厂计划获得A R M926E J-S处理器授权。高性能、低功耗的ARM926EJ-S处理器将使士兰微电子有能力为便携式娱乐设备等高端消费电子产品开发先进的SoC。士兰微电子第一款基于ARM技术的产品预期将于2007年第一季度上市。ARM926EJ-S处理器拥有16位定点DSP指令集,并支持ARMJazelleJava加速技术,可帮助工程师大大降低芯片面积、设计复杂度和功耗,并加速了产品上市时间。www.arm.com./chinese飞思卡尔嵌入式闪存阵列加快汽车电子创新飞思卡…  相似文献   

13.
《光机电信息》2011,(10):84-85
杭州士兰微电子股份有限公司(以下简称士兰微电子)是一家成立于1997年专业从事集成电路以及半导体微电子相关产品的设计、生产与销售的高新技术企业。"DVD激光头用PDIC研发及产业化”项目是“十一五”期间士兰微电子承担的电子信息产业发展基金项目之一。  相似文献   

14.
意法半导体(STMicroelec!ronics,简称ST)近日推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。该晶体管的推出将重要的能效指标提高23%以上,对于以热量形式损耗电能的系统功率转换电路,如电子照明控制器、消费电子电源和太阳能光电转换器,新产品的成功推出在节能技术领域是一次巨大飞跃。  相似文献   

15.
《国外电子元器件》2012,(2):192-192
中国,2011年12月27日——横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicroelectronics,简称ST;纽约证券交易所代码:STM)推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmesh V功率MOSFET晶体管。  相似文献   

16.
杭州士兰微电子推出了应用于LED日光灯的高功率因数反激式PWM控制器SD7529。芯片具有高效率(高于86%)、高功率因素(大于0.98)等特点,可广泛应用于LED日光灯等LED照明产品中。  相似文献   

17.
正横跨多重电子应用领域、全球领先的半导体供应商意法半导体(STMicro electronics,简称ST;推出打破高压功率MOSFET晶体管世界记录的MDmeshV功率MOSFET晶体管。MDmesh V系列已是市场上性能最高的功率MOSFET晶体管,拥有最低的单位面积通态电阻,在650 V额定电压应用中可实现  相似文献   

18.
士兰微电子推出了三轴加速度传感器SC7A30和三轴磁传感器SC7M30。  相似文献   

19.
最近杭州士兰微电子推出了全新的绿色照明驱动解决方案——高性能、高可靠性、大功率的白光LED驱动系列电路。  相似文献   

20.
毛兴武 《电子世界》2010,(11):12-15
<正> UBA2028是恩智浦半导体推出的紧凑型荧光灯电子镇流器控制与驱动高压功率IC。这种新型芯片集成了与UBA2014相同的CFL电子镇流器控制电路和半桥MOSFET栅极驱动器及两个半桥功率MOSFET(即UBA2014+半桥功率MOSFET二合一IC)。U-BA2028为CFL提供预热、引燃和调光等控制功能,并为系统提供保护功能,为目前设计5~25W的可调光CFL电子  相似文献   

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