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在注射模设计中,浇口位置的确定是一个很重要的设计变量,它与塑件的尺寸形状、模具结构、注射工艺条件及塑件性能等因素有关。不当的浇口位置直接影响到塑件的质量和性能。介绍了注射模浇口位置选择时应注意的问题,结合具体的塑件,从质量要求方面论述了如何确定浇口位置,并提出了最佳浇口位置的建议,为注射模设计者提供了方便而实用的参考依据。 相似文献
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从注射模的浇口位置选择对塑件质量的影响着手,通过CAE软件对浇口的位置选择进行模流分析,总结了注射模浇口选择原则,为后续的注射模设计提供参考. 相似文献
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注射模设计时的浇口位置对塑件强度性能的影响至关重要,本以汽车起动机上的2种塑件的设计生产为例,阐述了设计中浇口位置的选择对产品性能及生产成本的影响。 相似文献
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基于MoldFlow的面板注射模浇口的优化设计 总被引:1,自引:2,他引:1
浇口位置在注射成型过程中起关键性作用。本文介绍了专业注射模分析软件MoldFlow在面板注射模浇口位置设计的应用,从产品的浇口最佳位置、填充时间等方面对不同的浇口设计方案进行对比。分析表明,方案2的浇口位置具有填充时间短、熔接痕少、气穴数量少的优点,是较佳的浇口位置方案。 相似文献
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充模流动计算机模拟在硬质合金MIM中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
预测了金属注射成形过程中常见缺陷的产生 :比较了选择不同浇口对注射拉伸试样质量的影响。结果表明 :通过充模流动量计算机模拟预测在某种注射工艺条件下部分常见注射缺陷的产生 ,能够更好地指导硬质合金注射工艺参数的选择 ;选择中心浇口可以降低注射压力 ,但是采用测面浇口的注射坯比采用中心浇口的注射坯件温度和压力分布都要均匀。因为注射时温度和压力分布的不够均匀是导致注射坯缺陷和降低最终产品质量的直接原因之一 ,所以为了进一步减少硬质合金注射坯的缺陷和提高最终产品的性能 ,注射时应该采用侧面浇口。 相似文献
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基于Moldflow的注射模浇口位置优化 总被引:2,自引:1,他引:1
针对浇口位置直接影响聚合物分子的取向和塑件成型的翘曲变形问题,运用Moldflow软件对塑件不同浇口位置的填充时间、熔接痕、气穴分布、注射压力及锁模力进行分析比较,得到了浇口位置的优化方案,从而有效降低了生产成本,缩短了产品开发周期,提高了模具设计效率。 相似文献
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将MoldFlow技术与DOE(正交实验设计)相结合,以一款手机面板成型为研究实例,采用正交实验设计方法进行实验分析,研究了模具浇注系统(浇口直径、浇口长度、流道尺寸等)和注射工艺参数(注射压力、注射时间、冷却时间等)的关系,详细分析了浇注系统各属性对注射工艺参数的影响程度。研究结果表明,浇口长度对注射压力的影响最大,流道尺寸和冷却时间密切相关,而浇注系统与注射时间关系不大。 相似文献
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"香蕉型"潜伏式浇口在注塑模中的应用 总被引:3,自引:0,他引:3
介绍了注塑模中一种象“香蕉”形状的曲线型潜伏式浇口的结构形式。通过对这一结构形式的具体应用,阐述了该结构形式在注塑模中的应用特点。为具有良好外观要求的塑件,在注塑成型模具中采用这种浇口形式提供了参考和依据。 相似文献
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以手机面板为研究实例,利用MPI建立了4种不同浇注系统结构的模型,并对整个注塑过程进行仿真模拟。通过仿真结果,详细分析了流道结构、浇口数目、浇口直径以及浇口长度对注塑工艺参数的影响,同时分析各结构属性影响注塑工艺参数变化的原因,说明了MPI在模具优化设计和注塑工艺参数应用中的实用性。 相似文献
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在分析大型检查井注塑工艺性能的基础上,以四通检查井注塑模浇注系统为例,采用Moldflow软件分析单浇口、轮辐式6浇口、轮辐式40浇口等浇注方式,并研究浇注系统的浇口位置、数量和尺寸对制品质量和锁模力、注塑压力、保压压力等工艺要素的影响。结果表明:在制品端口设置热流道轮辐式多浇口,可显著降低剪切速率、锁模力、注塑压力和保压压力,并减少或避免制品表面的熔接痕。 相似文献
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手机面框注射成形模具的浇口设计,不仅决定了制件的精度和外观,而且影响到产品二次加工的方便性.分析此类模具的设计,发现浇口采用侧浇口、搭肩进胶和牛角进胶形式,容易产生浇口去除痕迹、产品变形严重,以及二次加工工艺性不好等一系列缺陷.通过改进浇口形式,采用类似牛角进胶,但是浇口尺寸加大,进胶浇道从斜销的下面绕过进入制件.增设斜销出模机构,使模具开模时,斜销运动给浇口让出位置,确保浇道凝料脱模时能跟产品连在一起.满足了浇口痕迹小的外观要求,而且浇道凝料在产品二次加工中能够辅助定位和固定,起浇注和工艺二重作用. 相似文献
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针对选择合理的浇口位置及数量在塑料模具设计中的重要性,在注塑模具设计中利用专业模流分析软件MoldFlow对模具浇口进行了优化设计.以手机上盖为实例,介绍了MoldFlow对其浇口位置和数量进行计算机模拟分析的过程,优化了模具浇口设计,从而获得高预测质量的产品,降低了生产成本,缩短了产品开发周期. 相似文献
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主要研究了经不同温度退火后 HfO2 高k栅介质薄膜的电流电压特性,结果表明,在栅极入射下,漏电流与 Au/HfO2 界面处的陷阱密度密切相关,在高电场下,Au/HfO2/p-Si 结构的主要导电机制为 Schottky发射和 Poole-Frenkel 发射。研究了电压应力对栅介质薄膜稳定性的影响,由于局部导电通道的形成,经时电介质击穿(TDDB)现象被观察到 相似文献