陶瓷敏感元件的发展趋势

敏感元件不仅在工业设备中得到了应用,而且在消费品中也得到了应用。在实际应用中,敏感元件所需要的条件越来越严苛,而且必须进一步降低成本。在本文中主要讨论陶瓷气敏元件和湿敏元件。一、气敏元件气敏元件是直接以电信号输出的敏感元件,可粗分为半导体型和接触燃烧型,很适于探测气体漏泄。半导体型敏感元件按下列方式进行工作。由加热器加热到高温的半导体(通常为 SnO_2、Fe_2O_3和ZnO 等 n 型氧化物半导体)与可燃气体接触时,其     

半导体气敏元件的选择性研究

全面介绍了半导体气敏元件的选择性研究在国内外的发展状况，并重点论述了选择性研究中出现的一系列新方法、新材料及新技术等；在半导体气敏材料中加入催化剂和添加剂、控制气敏传感器的工作温度、使用气体过滤膜、使气敏材料纳米化等是提高半导体气体传感器的选择性的一个主要途径。在气敏元件选择性研究的新进展等方面也作了较详细的论述。对提高气敏元件选择性的研究具有重要的参考价值。     

日本松下公司制成新型气体敏感元件

日本松下电气公司已经制成一种新型高灵敏气体敏感元件,它不仅对丙烷、丁烷和氢气敏感,而且对于过去普通气敏元件来探测都很困难的甲烷也敏感。因此,它适用于包括天然甲烷气体在内的各种类型的城市的气体的探测。这种新型的陶瓷半导体气敏元件采用烧结铁复合氧化物(α-型氧化铁:α-Fe_2O_3)作为敏感元件,从而不再需要贵金属催化剂)。松下新型高性能和高可靠性的气体敏感元件可望在漏气报警装置和防止漏气爆炸用的自动气体阀门装置中找到更广泛的应用。普通气敏元件现有两种型式:①“半导体型”气敏元件可通过探测诸如氧化锡(SnO_2)和氧化锌(ZnO)等半导体材料中电阻突然降低来感知易燃气体。当这些材料     

厚膜半导体工艺在气敏元件生产中的应用

文中讲述了将厚膜半导体工艺应用于气敏元件的生产制作,综合运用精密丝网印刷、激光分割、激光调阻、平面绑定等先进技术,达到了高质量、高效率生产气敏元件的效果.应用半导体工艺制作的气敏元件相比传统工艺制作的产品具有体积小、功耗低、机械性能好、批次一致性好等优点.     

低功耗烧结气敏元件制备和气敏特性研究

未经掺杂的金属氧化物半导体气敏传感器通常灵敏度很高，但选择性较差。为提高选择性和一致性，设计了一种特殊结构的低功耗SnO2烧结气敏元件的制备方法，测试了SnO2烧结气敏元件的气敏特性。制备的SnO2烧结气敏元件在40mW的加热功率条件下，100ppm的CO气氛中灵敏度达到3，响应时间仅为4s；在180mW的加热功率条件下，对氢和碳氢化合物（如CH4和LPG）敏感。这类低功耗烧结气敏元件选择性和一致性好，有望用于室内煤气泄漏检测等场合。     

新型半导体n—n结构高选择性乙醇气敏元件

】报道了一种基于气敏元件互补反馈和互补增强原理的新型半导体ｎ－ｎ结构高选择性乙醇气敏元件,该新型气敏元件具有高的选择性,同时还有好的热稳定性、高的灵敏度和抗湿度干扰能力。     

气敏半导体元件

武汉市半导体器件二厂广大革命职工,发扬独立自主,自力更生的精神,高举“鞍钢宪法”的旗帜,经过反复试验,试制成功气敏半导体元件和用它装成的气体报警器。气敏元件是一种其电导率随所吸收的气体面变化的新型半导体元件,它是依靠分子吸附来工作的。制造这种元件的主要材料是一些金属氧化物半导体(如氧化锡、氧化锌、三氧化     

半导体气敏元件应用中的几个问题

本文总结了半导体气敏元件在实际应用中要注意的几个问题，并给出了相应的常用解决方法     

气敏传感器及其应用

主要介绍了半导体气敏传感器和电化学固体电解质气敏传感器的工作原理和应用技术,重点阐述了气敏传感器的性能改善方式和输出电压获取方式。通过几种应用实例表明:这两种类型的气敏传感器具有测量精度高、所需试样少、响应快等特点,有广泛的应用领域。     

RPCVD SnO_2薄膜气敏元件初探

本文介绍用等离子体激活化学气相淀积(RPCVD)方法在平板陶瓷基片上淀积纯SnO_2,得到稳定性好,工作温度低及灵敏度高的薄膜气敏元件。研究了该元件对H_2、C_2H_5OH,LPG 及CO 等气体的气敏效应,以及元件的稳定性和湿敏特性。提出了采用分子筛选膜的多层结构来改善选择性的设想。与烧结型元件相比,肯定了薄膜型元件是一种很有希望的气敏元件。     

用电抗标定方法改善SnO2气敏元件的选择性

本文采用复阻抗谱方法测试SnO2气敏元件,用元件在接触可燃性气体前后电抗值的变化,即电抗-频率关系曲线中电抗峰随可燃性气体浓度增加,峰高降低以及峰频位置向高频移动的特性,来标定元件的气体灵敏度和选择性,简称电抗标定。结果表明,与传统的直流电阻标定方法相比较,元件的灵敏度显著提高,更有意义的是元件的选择性得到很大改善。因此,,电抗标定方法是一种显著改善SnO2气敏元件灵敏度和选择性的新方法。     

气敏元件及其标准化问题的探讨

本文概述了我国半导体气敏元件的现状,并阐明了制订其国家标准的必要性。     

采用富集方法提高气敏元件对甲醛的响应

用纳米SnO_2制作了旁热式甲醛气敏元件,测试了气敏元件对甲醛的响应,为了提高气敏元件对低浓度甲醛的响应,组装了一套富集装置.甲醛气体通过测试腔之前,先通过富集腔对其浓缩富集一段时间,然后加热活性炭使甲醛解吸出来,送入测试腔进行测试.测试了活性炭的最佳解吸温度为160 ℃.比较了富集前后气敏元件对甲醛的响应,富集前后气敏元件对20 ppm(1 ppm=10-6)甲醛的响应为分别为1.2和13.6.结果表明:富集后气敏元件对甲醛的响应明显提高.     

半导体气敏元件

首先介绍半导体气敏元件的工作原理,然后从制备工艺、基材现状、测量方法三方面进行了综述。     

烧结温度及掺杂TiO2对ZnO气敏性能的影响

通过溶胶-凝胶法制备ZnO凝胶,在300℃预烧结.为了得到不同尺寸的ZnO粉体,并对ZnO粉体进一步纯化,将预烧粉体在不同温度,500℃、700℃、900℃下缓慢烧结,最后将所得粉体涂附在陶瓷管上,在450℃下烧结制备成气敏元件.测试所得的气敏元件对丙酮、乙醇、甲苯这些VOC气体的灵敏性.实验结果表明,500℃下烧结的粉体所作成的器件,对气体具有最大的灵敏度,其原因为随着烧结温度的增加,ZnO的颗粒变大,从而限制了固体与气体的反应面积.再以TiO2材料为掺杂剂,研究掺杂后元件的气敏特性.乙醇和甲苯的最佳工作电流得到了降低,这一现象,将有助于降低器件的工作温度,这也是目前研究ZnO气体传感器主要需要解决的问题.     

气敏元件技术参数及其测试方法的探讨

本文阐述了气敏元件技术参数特点,指出了现有产品说明书之不足,分析了电流电压法测试气敏元件特性所存在的问题,提出了用恒流法测试的设想。     

国外半导体传感器的发展趋势

引言半导体传感器是随着半导体技术的发展而兴起的。由于它灵敏度高、响应速度快、可靠性强、具有小型化等重要特点,正以惊人的速度渗透到各种实际的测量和控制系统中去。仅仅十多年的时间,国外的半导体传感器已经发展到六大类,共有几百种类型的传感元件。随着新的半导体传感元件的出现和性能的提高,半导体传感器日益广泛地应用于宇宙探     

微加工气敏元件的结构设计与模拟分析

提出了一种基于MEMS工艺的薄膜型气敏元件结构，对其工艺进行了阐述。该气敏元件结构主要包括5层。采用ANSYS对气敏元件结构进行热模拟分析，得到了该结构的温度场和中心点响应的较优结果：响应时间3s，达到稳态时间28s，薄膜中心点稳态温度359．013℃。     

基于MEMS工艺的半导体电阻式气敏元件的研究

介绍了半导体电阻式气敏元件工作原理,设计了一种基于MEMS工艺的薄膜气敏元件结构,此结构以Si3N4/SiO2/Si3N4复合薄膜作为支撑隔热层,蜿蜒状多晶硅作为加热层,梳状Ag电极作为气敏薄膜信号电极,SiO2作为加热层与Ag电极的绝缘层,并在SiO2绝缘层上刻蚀通孔形成加热层与金属互连。该结构具有通用性,对不同气敏特性的材料均适用,且易于改进为组合结构或阵列结构。最后,对其工艺进行了阐述。     

纳米氧化钨气敏传感器研究进展

在对各种有害气体检测的研究领域内,纳米半导体金属氧化物气敏传感器有着十分重要的地位。作为一种n型半导体金属氧化物,氧化钨因其独有的结构和性能特点,成为近年来气敏材料的研究重点和热点。本文简单介绍氧化钨系气敏材料的气敏响应机理,总结近年来改良和提高纳米氧化钨材料气敏性能的主要工艺和方向,最后指出其自身的不足及未来的研究发展方向。