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制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。用2V电压幅度可以得到15dB的开关比。光电导谱的测量表明,偏压从+0.5V变到-7V时吸收边的红移为600A,即量子阱中室温激子的共振吸收峰移动了96meV。单阱高场条件下首次观察到了导带第二能级电子和价带第一能级空穴间激子的共振吸收线的出现,增强和移动。 相似文献
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我们首次完全采用MBE技术成功地制作了内含吸收型光栅的GaAlAs/GaAs量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器,激光器在室温下的激射波长为860nm,单模单端输出光脉冲峰值功率超过20mW。器件在至少0-80℃的范围内始终保持单纵模激射,作为初步结果,条宽为5-6μm的氧化物条件形结构器件的脉冲工作阈值电流约为700mA。 相似文献
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报道了高亮度GaAlAs/GaAs双异质结红色发光二极管的制作和实验结果。该器件在20mA工作电流下,最大发光强度约500mcd。 相似文献
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报道了一种大功率无衬底N-GaAlAs/P-GaAs:Si单异质结红外发光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器件在50mA工作电流下,输出功率典型值7.5mW,最大功率11mW。 相似文献
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报道了一种大功率无衬底N-GaAlAs/P-GaAs:Si单异质结红光二极管的制造工艺和主要光电特性。该器在50mA工作电流下,输出功率典型值7.5mW,最大功率11mW。 相似文献
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我们在国际上率先提出将增益耦合分布反馈式(GC-DFB)半导体激光器作为激光器/调制器单片集成器件的光源,为了简化制作工艺,进一步提出激光器的有源层与调制器波动共用同一组分和同一结构,本理论上分析了新型器件的可行性,优化设计了器件结构,在此基础上,采用金属有机化合物化学汽相外延技术(MOCVD)在国际上首次研制成功了该种增益耦合型DFB激光器/电吸收型调制器单片光子集成器件,器件电流为35mA。 相似文献
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提出一种新型GaAs/GaAlAs子带间光吸收的红外光电导探测机理,利用MOCVD系统进行器件材料的生长,研制了200μm×200μm的台面形式单管,测到了明显的红外光电流信号及阱间共振遂穿效应造成的负阻震荡现象,对器件的性能测试结果表明,器件的光电流响应和信噪比随着阱数增加而增加,器件噪声比常规GaAs/GaAlAs量子阱红外探测器低一个数量级. 相似文献