TiO_2压敏电阻陶瓷元件等静压成型试验研究

采用干压及干压加等静压两种成型方法,通过对不同样品的电性能和焊接性能的比较,并通过SEM微观形貌的观察,研究了等静压成型对TiO2压敏电阻陶瓷元件的微观结构及电性能的影响。结果表明,经等静压成型的TiO2压敏电阻陶瓷的微观结构比较致密,气孔减少,元件的电压一致性和焊接性能得到较大的改善。     

成型工艺和烧结温度对CaTiO3-LaAlO3微波介质陶瓷结构与性能的影响

采用传统固相反应法制备了CaTiO_3-LaAlO_3(CTLA)陶瓷,借助XRD、SEM和电性能测试手段,系统研究了干压、注塑两种成型工艺和烧结温度对CTLA陶瓷结构与性能的影响。结果表明,成型工艺和烧结温度不会改变CTLA陶瓷材料的主晶相,与干压成型相比,注塑成型的试样密度均匀性更好,其烧结密度、收缩率和相对介电常数略高,Q·f值下降,综合性能一般。相同成型工艺下,致密性、晶粒尺寸和相对介电常数均随烧结温度的增加而增加。烧结温度为1380℃时,干压成型试样具有最佳的性能:径向收缩率为15.02%,ε_r=44.01,Q·f(5 GHz)=41648 GHz,τ_f=1.24×10~(-6)℃~(-1)。     

轧膜成型对BaTiO_3片式PTCR性能的影响

为制备片式BaTiO3陶瓷PTCR元件,采用轧膜成型的方法。通过研究材料性能与成型因素的关系,并通过与干压成型工艺对比,研究了轧膜成型工艺对陶瓷PTCR性能的影响。 通过调整影响轧膜成型的条件,可以制得具有良好可塑性、均匀度、致密度、光洁度的薄膜。     

成型工艺对PTC陶瓷电性能的影响

本文根据实验数据分析了不同成型工艺对PTC陶瓷电性能的影响,干压成型和静水压成型过程中混入的铁杂质较少,均能制得半导化良好的PTC陶瓷;而轧膜成型混入铁杂质较多,产品不易半导化。文中提出了干压成型小型瓷件时应予注意的事项。     

Nd:YAG透明陶瓷的制备与性能研究

以Al2O3、Y2O3和Nd2O3为主要原料,采用固相反应法制备出了Nd:YAG(掺钕钇铝石榴石)透明陶瓷,研究了烧结温度、保温时间、升温速率以及成型方法对陶瓷样品性能的影响。结果表明:当烧结温度为1 730℃左右,保温时间为20 h时,所制陶瓷样品晶粒大小分布均匀,致密度高,气孔率低,平均晶粒大小为15μm左右;降低升温速率可以降低陶瓷的气孔率;采用等静压成型方法制备的样品的透过率高于干压成型方法制备的。     

凝胶注模成型在高压陶瓷电容器的应用

高压陶瓷电容器传统成型方法存在诸多缺点,新的凝胶注模成型技术是传统陶瓷和高分子化学结合的产物,通过此种方法可以成型出素坯致密度高、密度均匀以及形状复杂近净尺寸的高压陶瓷电容器瓷片,有广阔的应用前景。重点阐述了凝胶注模成型用于制造高压陶瓷电容器的基本原理、目前研究状况及所要解决的问题。     

微波陶瓷凝胶注模成型工艺研究

研究了微波陶瓷凝胶注模成型工艺，包括浆料制备，成型工艺及用微波介质陶瓷制备成介质柱谐振器，观察了介质陶瓷的微观形貌，用Hakki-colernan开式腔圆柱介质谐振法对其性能参数进行测量，并与用干压成翌壬艺制备的样品进行比较分析，得出用凝胶注模法用于制备微波陶瓷（Ba6-3x（Sm1-y Ndy）8＋2x Ti18 O54），与干压法制备的样品有相当的介电常数，而无载品质因数值略高，且样品致密、缺陷少，组分更为均匀。     

注射成型制备0.94NBT 0.06BT无铅压电陶瓷研究

为了研究压电陶瓷注射成型技术,设计了一种压电陶瓷注射成型平台,对注射成型设备及注射实验材料0.94Na0.5Bi0.5TiO3-0.06BaTiO3(0.94NBT-0.06BT)陶瓷的结构及电性能进行研究。结果表明,用注射法制备的0.94NBT-0.06BT无铅压电陶瓷微观晶粒的气孔明显减少,致密度提高,晶粒尺寸增大,主要以立方形存在,电性能优于传统固相法制备的陶瓷。其密度为5.54g/cm3,压电常数d33=138pC/N,介电常数εr=1 436。     

凝胶注膜成型在高压陶瓷电容器的应用

高压陶瓷电容器传统成型方法存在诸多缺点，新的凝胶注模成型技术是传统陶瓷和高分子化学结合的产物，通过此种方法可以成型出素坯致密度高，密度均匀以及形状复杂近净尺寸的高压陶瓷电容器瓷片，有广阔的应用前景，重点阐述了凝胶注模成型用于制造高压陶瓷电容器的基本原理，目前研究状况及所要解决的问题。     

DCF型交流圆片瓷介电容器

通过对陶瓷介质、导体浆料、包封料等材料的选择，以及陶瓷介质厚度、被银瓷片留边量的设计，采用干压成型法成型，控制生坯密度为３．６２～３．９０ｇ／ｃｍ３，研制成功了额定电压为ＡＣ２５０Ｖ、ＡＣ４００Ｖ的ＤＣＦ型交流瓷介电容器。该产品已取得ＣＣＥＥ、ＵＬ、ＶＤＥ和ＣＳＡ安全认证。     

梯度ZnO低压压敏陶瓷的研制

采用材料梯度化设计思路,将传统电子陶瓷工艺的单层装料一次干压成型工序改进为逐层装料一次干压成型工序。沿着实现ZnO压敏陶瓷低压化的主要途径:减小ZnO压敏电阻器瓷片的厚度和增大ZnO平均晶粒尺寸,在烧结温度1 100℃下,制备出电学性能理想的梯度ZnO低压压敏陶瓷。该陶瓷的压敏电压为8 V/mm,非线性系数为19,漏电流为13μA;其克服了瓷片机械强度劣化及能量耐受能力下降的缺陷。该制备工艺简单,为ZnO压敏电阻器的低压化提供了新方案。     

原位生长柱状晶氧化铝陶瓷材料的制备

按96瓷配比,在α-Al2O3中加入烧结助剂(氟化钙-高岭土),通过水基凝胶注模成型出氧化铝陶瓷坯片.在1570℃,2 h条件下无压烧结,制备出原位生长棒状晶自增韧氧化铝陶瓷.研究结果表明:1570℃烧结时完全生成棒状晶,棒晶呈现三维网络状交织在一起,样品的体积密度达到了3.77 g/cm3.而不含氟化物添加剂的样品在1500～1600℃下烧结时,不能生成氧化铝棒晶,基本呈椭球状或球状.加入少量的氟化物,经过高温烧结,即可在组织内部原位生成棒状晶,这样棒状晶就起到了纤维或晶须的强韧化作用,大大提高了96瓷氧化铝陶瓷的力学性能,断裂韧性达到了5.25 MPa·m1/2,比传统96瓷氧化铝韧性提高了60%.     

一种用于烧结永磁铁氧体干压成型造粒装置的改进与应用

文章对于目前用于烧结永磁铁氧体干压成型的造粒装置存在的问题进行了分析、探索，并根据存在的问题进行了设计改进。目的在于提供一种自动化程度高、造粒均匀、粉料过筛率高的用于烧结永磁铁氧体干压成型的造粒装置，以达到降低企业生产成本，降低工人劳动强度，改善工作场所环境的目的。     

成型工艺对PMN—PMS—PZT热释电陶瓷性能的影响

采用干压、冷等静压和凝胶注模等不同成型工艺制备铌锰酸铅-锑锰酸铅-锆钛酸铅(PMN-PMS-PZT)陶瓷,并进行对比研究.实验结果表明,冷等静压成型的陶瓷综合性能较好,其具有均匀紧凑的晶粒结构,可得到较高的成瓷密度;使材料的介电常数εr和介电损耗tan δ降低,在保持较高热释电系数P的同时降低低温铁电三方相-高温铁电三方相(FRL-FRH)的相变温度,并使热释电系数峰值得到稳定.其最佳性能为室温时,εr=216,tan δ=0.20%,p=12.0×10-4 C/m2·℃(持续温区为23～55℃),探测率优值FD=24.6×10-5Pa-1/2.     

成型压力对钛酸铋陶瓷织构化影响的研究

采用固相烧结法制备出了高c轴取向的Bi4Ti3O12铁电陶瓷样品,分析了成型压制过程中压坯的受力情况.分析结果显示由于压力分布不均匀,样片不同深度的取向度不同,陶瓷表面的织构化程度高于陶瓷内部,通过最小二乘法拟合出取向度与样片深度的函数关系式.     

PBSZT压电陶瓷机械损耗和介电损耗的研究

为探索Pb0.9Ba0.05Sr0.05(Sn1/3Nb2/3)0.06(Zn1/3Nb2/3)0.06Ti0.44Zr0.44O3 0.5%Sb2O3 0.5%Mn(NO3)2(质量分数)铅基压电陶瓷材料的损耗机理,进行成型工艺、烧结工艺的实验研究,实验制备的凝胶注模成型样品得到较低的介电损耗tan δ为0.25%,而干压成型得到更大的品质因数Qm为2 065.从微观结构角度来看,机械损耗主要依赖陶瓷微观结构的致密性,而tan δ较多的依赖于陶瓷结构的均匀性.     

陶瓷凝胶注模成型技术

介绍一种新的陶瓷成型技术－－凝胶注模成型,它是在陶瓷浆料中加入有机单体浇铸后,在一定的条件下,有机单体发生原位聚合反应,使陶瓷浆料凝固而形成所铸零件。它可用于单相及复合陶瓷的成型,适用于复杂形状的零件成型,是一种净尺寸成型技术。另外,该技术成型的坯体强度高,可用于机加工,最后,讨论了高固相、低粘度陶瓷浆料的制备原则。     

大尺寸高密度压电陶瓷的制备与研究

该文主要采用固相反应法制备了Pb(1-a-b)Ba_aSr_b(Zr_xTi_y)_(1-c-d)(Bi_(3/2)W_(1/2))_c(S_(b1/2)Nb_(3/2))dO_3四元系压电陶瓷材料,通过各组分的比例调整和适当的掺杂改性,材料横向压电应变常数可达-490pm/V,介电常数为4 500,介电损耗小于2%;采用干压加冷等静压成型,并优化烧结工艺,制备出该压电材料密度达到理论密度值的99%,尺寸为?170mm×15mm的大尺寸压电陶瓷块体,为大口径变形镜用玻璃基压电陶瓷薄膜的研制奠定了基础。     

宽带激光烧结制备YAG透明陶瓷

采用共沉淀法合成钇铝石榴石(YAG)纳米粉体,经干压成型后进行宽带激光烧结,获得YAG透明陶瓷。利用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)对YAG粉体及陶瓷进行表征,研究结果表明,前驱体经1100℃焙烧2 h后获得了纯相YAG粉体,粉体近似球形,平均颗粒尺寸约为50 nm;宽带激光烧结后可得到相对密度为99%的YAG透明陶瓷,在可见光区域最大透射率达到32%。     

激光能量密度对纳米Al2O3/PS复合材料致密度和显微结构的影响

当扫描间距一定时,选区激光烧结(SLS)成型的激光能量密度和激光功率(P)与扫描速度(V)的比值(P/V)成正比。为了研究激光能量密度对烧结试件致密度和显微结构的影响,分别对不同P/V比值及相同P/V比值但不同P值和V值条件下激光烧结试件的致密度进行了研究,并利用扫描电镜(SEM)分析研究了烧结试件的表面形貌和显微结构的变化。研究发现,在P/V值达到1 W/37.7 mm.s-1以前时,烧结试件的体积密度随着P/V值的增加而提高,试件表面越来越光滑,气孔数量及尺寸减小;随着P/V值进一步地提高,由于聚苯乙烯的降解,产生了大量的烟气,体积密度基本上没有提高,反而有可能会出现下降的趋势,气孔未见明显减少;在P/V值等于1 W/32 mm.s-1时,随着P和V值的同时增加,烧结试件的体积密度有下降的趋势,内部气孔增多,气孔尺寸变大。综合考虑激光器使用寿命及加工效率等因素,较佳的成型工艺参数选择为激光烧结功率28 W,扫描速度1120 mm/s,铺粉厚度0.1 mm,扫描间距0.2 mm,预热温度95℃。