高性能掺杂PZT热释电陶瓷研究

对Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．９４）Ｔｉ＿（０．０６））Ｏ＿３和Ｐｂ＿（０．９９）Ｂｉ＿（０．０１）（Ｚｒ＿（０．６１）Ｔｉ＿（０．３９））Ｏ＿３两种主配方掺入Ｍｎ、Ｎｂ、Ｃｏ、Ｎｉ、ｗ等元素，制备出宽光谱吸收、电性能优良的掺杂ＰＺＴ热释电陶瓷。对其进行了结构分析和电性能测量，第一种配方的典型电学参数为：ε＿ｒ＝２１９；ｔｇδ＝０．００７８（２０℃，１ｋＨｚ）；ｐ＝４．４３×１０￣（－８）ｃ／ｃｍ￣２·Ｋ。     

集电区阶梯缓变InGaAsP层的具有超高f＿（max）、f＿T的双异质结双极晶体管

本文用不同的发射极宽度和长度与集电极电流Ｉ＿ｃ和集电极－发射极问电压Ｖ＿ＣＥ的函数关系研究了集电区含ＩｎＧａＡｓＰ层、基区为Ｚｎ高掺杂的小尺寸ＩｎＰ／ＩｎＧａＡｓＤＨＢＴ的高性能。结果表明，减小发射极宽度比减其长度能更有效地提高，０．８μｍ发射极金属条宽的ＤＨＢＴ在Ｉ＿ｃ＝４ｍＡ的小电流时，具有超出超高的ｆ＿（ｍａｘ）和ｆ＿Ｔ，其数值分别为２６７ＧＨｚ和１４４ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）的增加归结为基区电阻和降低了的Ｂｃ结电容乘积的降低。     

InP衬底上的p－沟和n－沟异质结绝缘栅场效应晶体管

在ＩｎＰ衬底上用通常的晶格匹配（ｙ＝０．５３）和晶格失配（ｙ＞０．５３）Ｉｎ＿（０．５３）Ａｌ＿０．４８Ａｓ／Ｉｎ＿ｙＧａ＿（１－ｙ）Ａｓ层结构同时制作ｐ－沟和ｎ－沟曾强型异质结绝缘栅场效应晶体管（ＨＩＧＦＥＴ）。获得１μｍ栅长ｅ型ｐ－沟ＨＩＧＦＥＴ，其阈值电压约０．６６Ｖ，夹断尖锐，栅二极管开启电压０．９Ｖ，室温时非本征跨导＞２０ｍＳ／ｍｍ。相邻的（互补的）ｎ－小沟ＨＩＧＦＥＴ也显示ｅ型工作（阈值Ｖ＿ｔｈ＝０．１６Ｖ），低的漏电，０．９Ｖ栅开启电压和高跨导（ｇｍ＞３２０ｍＳ／ｍｍ）。这是首次报道在ＩｎＰ衬底上同时制作具有适合作互补电路特性的ｐ＿和ｎ－沟ＨＩＧＦＥＴ。     

DC～1．5GHz GaAs单片集成跨阻放大器

介绍一种采用８个砷化镓ＦＥＴ和７个二极管的单片集成跨阻放大器，其结果良好，频率为ＤＣ～１．５ＧＨｚ，增益Ｇａ≥１８ｄＢ，噪声系数Ｆｎ≤４．３ｄＢ（ｆ＝４００ＭＨｚ，Ｒｓ＝Ｒ＿Ｌ＝５０Ω）。     

BMHMT－Bi－MOS混合模式晶体管

本文提出了一种Ｂｉ－ＭＯＳ混合模式晶体管──ＢＭＨＭＴ，其本质上为表面ＭＯＳ与ＬＢＪＴ共同工作的四端ＭＯＳＦＥＴ，工艺上与ＭＯＳＦＥＴ全兼容。ＢＭＨＭＴ具有比单一ＭＯＳ、单一ＬＢＪＴ及他们的简单叠加更高的电流驱动能力，ＢＭＨＭＴ作为一种发射结具有赝异质结特性的器件，在输出电流为每单位宽度０．５ｍＡ时电流放大倍数可高达２５００（Ｖ＿（ＢＳ）＝０．６２Ｖ），在小的基区电流下，ＢＭＨＭＴ的短沟效应明显小于ＭＯＳＦＥＴ。ＰＩＳＣＥＳ模拟结果与实验结果成功地证明了ＢＭＨＭＴ的以上特点。     

有线电视网中AM光纤传输设备及使用（下）

有线电视网中ＡＭ光纤传输设备及使用（下）林敦（武汉市电子科学研究院）ＡＭ光纤传输系统计算计算公式：１．光发射端机输出光功率ｘｍｗ与光信号ｄＢｍ换算公式：ｄＢｍ＝１０Ｌｇｘｍｗ／１ｍｗ例：４ｍｗ相当于１０Ｌｇ·４ｍｗ／１ｍｗ＝６ｄＢｍ２．一对光发送／接...     

β—BBO晶体的电光性能

用干涉法测量了β－ＢＢＯ晶体的电光系数：γ２２＝２．６，γ３３＝０．２３，γ３１＝０．２５，γ５１＝－３．５×１０－１２ｍ／Ｖ。结果表明如果在Ｙ方向加电场，Ｚ方向通光，β—ＢＢＯ晶体可能制作成有应用价值的光开关。     

弯波导吸收区结构1．3μm InGaAsP／InP超辐射发光二极管的设计

本文用束传播方法（ＢＰＭ）设计了具有弯曲波导吸收区结构１．３μｍＩｎＧａＡｓＰ／ＩｎＰ超辐射发光二极管（ＳＬＤ），分析了不同吸收区长度Ｌａ和弯曲的曲率半径Ｒ对ＳＬＤ特性的影响，给出了直观的结果，并进行了优化设计。在假定吸收区后端面反射率为１，和忽略吸收区内的吸收损耗的条件下，取ｄ＝０．２μｍ，ｗ＝２μｍ，Ｌｐ＝４００μｍ，Ｌａ＝２００μｍ，Ｒ＝５００μｍ，Ｉ＝２００ｍＡ，经吸收区反射耦合回有源区内的光与有源区前端面入射光的强度比率仅为９．５×１０－３。     

在793.2km G.652光纤上的10 Gbit/s传输实验

介绍了国内首次在７９３．２ｋｍＧ．６５２光纤上进行的１０Ｇｂｉｔ／ｓ系统传输实验,本次实验使用武汉邮电科学研究院研制的１０Ｇｂｉｔ／ｓＳＤＨ设备,以及１０只ＥＤＦＡ与补偿量为７２０ｋｍ的色散补偿光纤,实验结果表明：在误码率ＢＥＲ＝１０＾－１２接收灵敏度可达到－１８．８ｄＢｍ,传输实验的通道代价为０．４ｄＢ。     

光纤有线电视系统中掺铒光纤放大器的研制

成功地解决了ＣＡＴＶ光纤放大器的技术难点：（１）增益,噪声与泵浦功率的关系;（２）增益,噪声与掺铒光纤长度的关系;（３）增益,噪声与泵浦方式的关系。研制成功的ＣＡＴＶ光纤放大器具有输出功率大、增益高、噪声低和频带宽等特点,在输入光功率０￣＋６ｄＢｍ时,输出光功率１８ｄＢｍ,典型噪声系数４．６ｄＢ,小信号增益为３２ｄＢ,工作波长范围为１５４０￣１５６５ｎｍ。     

8毫米功率HBT研究

简要介绍了异质结双极晶体管（ＨＢＴ）的发展现状。对ＨＢＴ器件性能进行了理论分析、设计并制作了功率ＨＢＴ器件样品。器件性能达到：ｆ＿Ｔ＝４０ＧＨｚ，ｆ＿（ｍａｘ）＝３２ＧＨｚ，在８ＧＨｚ工作频率下测量，输出功率为１００ｍＷ，功率附加效率为３１．３％，增益为９．４ｄＢ；ｆｏ＝１２ＧＨｚ，输出功率为２３．６ｍＷ，增益６．１ｄＢ，功率附加效率为２３．４％。     

一种新的用于高速波分复用系统的色散补偿方案

本文提出了一种用于高速多路波分复用（ＷＤＭ）陆上级联掺铒光纤放大器（ＥＤＦＡ）光纤通信系统的色散补偿方案，其特点是：利用特殊设计的色散位移光纤ＳＤＤＳＦ（零色散波长λ０≈１．６μｍ，色散斜率Ｓ＿０＝０．０５ｐｓ／ｋｍ／ｎｍ２），在１５５０ｎｍ处产生－２～－４ｐｓ／ｋｍ／ｎｍ的色散，以避免ＩＴＵ－ＴＧ．６５３色散位移光纤在多路复用时的四波混频（ＦＷＭ）效应；并利用ＩＴＵ－ＴＧ．６５２标准单模光纤（非色散位移光纤ＮＤＳＦ）在１５３０～１５７０ｎｍ（ＥＤＦＡ工作带宽）范围内，有效地补偿ＳＤＤＳＦ所引入的负色散。此方案可使单路数据率高于１０Ｇｂ／ｓ的波分复用系统，经１０００ｋｍ传输后因色散引入的眼图恶化量仍＜１ｄＢ。     

高TcGdBa2Cu3O7—δ薄膜双晶结光探测器

研制了具有约瑟夫逊效应的高ＴｃＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ薄膜双晶晶界结，按照光助隧道效应的原理我们用双晶结进行光探测，光源是波长为０．６３２８μｍ的Ｈｅ－Ｎｅ激光器，系统观测了高Ｔｃ ＧｄＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－δ双晶结的光响应特性，最好的结果为：噪声等效功率ＮＥＰ＝４．３×１０＾－１４ＷＨｚ＾－１／２，归一化探测率Ｄ＾８＝１．２×１０＾１０ｃｍＨｚ＾１／２Ｗ＾－１，响应率Ｒｖ＝３．５×１０＾７Ｖ／Ｗ，     

超荧光光纤光源的工作特性

研制了一种激光二极管泵浦的掺钕超荧光光纤光源,在波长１．０８μｍ处获得了１．０ｍＷ的光功率输出,谱线宽度为２１．２ｎｍ,实验中使用的是掺钕单模光纤,芯径５μｍ,截止波长１．０μｍ,其损耗在泵浦波长０．８μｍ处为１５００ｄＢ／ｋｍ,而在输出波长１．０８μｍ处为１０ｄＢ／ｋｍ。     

在0.8μm带泵浦的掺铥—钬ZBLYAN光纤放大器1.4μm带增益特性

日本ＮＴＴ光电子实验工厂的Ｔ．Ｓａｋａｍｏｔｏ等人在本文中叙述了１．４μｍ带掺铥钬ＺＢＬＹＡＮ光纤放大器的增益特性，对于７３．５ｍＷ的泵浦功率级，在整个１．４μｍ带可获得信号增益，对于０．７９μｍ下１５０ｍＷ的泵浦功能，在１．４６μｍ信号波长下获得了１８ｄＢ的最大信号增益，在１．４５～１．５０μｍ信号波长区，噪声系数为５．６ｄＢ，由掺铥－钬的ＺＢＬＹＡＮ光纤和掺铥ＺＢＬＹＡＮ光纤增益性能的比较，进     

具有隐埋电镀热沉结构用于高性能MMIC的大功率GaAs FET

报道了一种称作“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的ＦＥＴ结构（先进的源区通孔ＦＥＴ）。“ＳＩＶＦＥＴ”（源区通孔ＦＥＴ）￣［１］是一种新型的ＦＥＴ，其每个源电极都通过通孔与４０μｍ厚的背面电镀热沉金属相连接地，以达到减小源寄生电感的目的。为了获得低的热阻，芯片厚度要小达３０μｍ。“先进的ＳＩＶＦＥＴ”的改进结构包含了一种选择隐埋ＰＨＳ（电镀热沉）用以代替背面的厚金层。在这种ＦＥＴ中，由于有源层在器件工作时会产生热量，所以有源层下面的基片厚度设定为３０μｍ，并且在其下面埋入了７０μｍ厚的电镀热沉金属金以改善热阻。为了获得微带线的低损耗和足够的机械强度，芯片其它部分的厚度设定为１００μｍ。该结构提供了更高的功率输出及功率附加效率，并且使芯片的操作更加方便。实验结果显示，当这种１３５０μｍ栅宽的ＦＥＴ处在最大沟道温度（４２．１℃）时，具有极低的热阻（１６℃／Ｗ）。其射频特性为，在Ｖ＿（ｄｓ）＝７Ｖ时，对应于１ｄＢ功率压缩点下的功率输出高达２７．９ｄＢｍ，功率附加效率为３２％；当频率为１８ＧＨｚ时，线性增益为８．３ｄＢ。该器件同时也具有很优异的功率密度，当Ｖ＿（ｄｓ）＝８Ｖ时，其值为０．５４Ｗ／ｍｍ。在机械可靠性方面这种结构也?     

光接收模块HFBR—2115T的特点及其在光纤接入网中的应用（刊中刊）

介绍了惠普公司生产的光接收模块ＨＦＢＲ－２１１５Ｔ的特点，给出了ＨＦＢＲ－２１１５Ｔ在光纤接入网中的应用方法。     

一种全新的高性能n－JFET和n－p－n兼容工艺

本文提出了一种全新的ｎ－ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ兼容工艺，采用二次外延实现了ＪＦＥＴ和ｎ－ｐ－ｎ的隔离。介绍了工艺流程，并对工艺上第一外延的厚度和浓度、二次硼埋浓度以及隔离的温度和时间对ｎ－ＪＦＥＴ的Ｖ＿ｐ和ｎ－ｐ－ｎ管的性能的影响进行了讨论。采用这种工艺研制出了Ｖ＿ｐ达３．５～４．５Ｖ，Ｉ＿（ＤＳＳ）＝１５ｍＡ的ＪＦＥＴ和ｆ＿Ｔ＝８００ＭＨｚ，β＝１００，ＢＶ＿（ｃｅｏ）≥２５Ｖ的ｎ－ｐ－ｎ管，并成功运用于调制解调开关侧音放大器中。     

新型掺Bi的YIG磁光薄膜

对用于磁光法拉第旋转器件的掺Ｂｉ的ＹＩＧ薄膜进行了介绍与分析，这种新型磁光薄膜（ＹｂＴｂＢｉ）３（ＦｅＧａ）５Ｏ１２是采用液相外延技术在ＣａＭｇＺｒ：ＧＧＧ晶片的（１１１）方向生长的，通过合理的配方及工艺生长出了成份均匀，光吸收小，在波长λ＝１．３１μｍ和λ＝１．５５μｍ时，插损分别为０．３ｄＢ和０．２ｄＢ，法拉第旋转角分别为２４００°／ｃｍ和１６００°／ｃｍ的薄膜，经抛光至２９０μｍ的厚度，法拉     

厚膜铂电阻温度传感器研究

厚膜铂电阻温度传感器以铂膜作电阻，采用厚膜印刷工艺，线宽和间隔均为１００μｍ。铂电阻具有工艺性好、长期稳定性好、ＴＣＲ复现性极好等诸多优点，其Ｒ（０℃）＝１００Ω，ＴＣＲ＝３８５０×１０－６℃－１。