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以纯度99%的工业硅为原料,通过造渣熔炼、电子束炉真空熔炼和定向凝固手段进行了太阳能级多晶硅制备的研究。结果表明:通过造渣熔炼、电子束炉熔炼、两次定向凝固的工艺成功地将工业硅中的总杂质含量(质量分数)降到了1 ppm以下,其中B低于0.3 ppm、P低于0.5 ppm、总金属杂质含量TM低于0.2 ppm、C浓度低于5×1016atoms/cm3、O浓度低于1.0×1017atoms/cm3,产品达到太阳能级多晶硅标准。与国内外已公布的冶金法制备太阳能级多晶硅工艺流程相比,本工艺未采用酸洗,清洁高效,没有任何污染。 相似文献
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太阳能级多晶硅生产技术发展现状及展望 总被引:4,自引:1,他引:3
全面介绍了太阳能级多晶硅的生产技术现状及有代表性的新工艺、新技术的研究动态.太阳能级多晶硅生产技术主要包括西门子法、硅烷法和冶金法.冶金法因工艺简单、投资少、能耗低获得广泛的关注,但目前其产品达不到太阳能级硅的质量要求.展望未来,西门子法仍将是生产高纯度多晶硅的主流技术. 相似文献
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提出了一种基于复合工作液的以电火花电解复合加工技术对太阳能级硅进行切割及制绒一体化的新方法.试验表明,用高速走丝电火花线切割(HSWEDM)加工太阳能级硅切割效率高、厚度薄、切缝窄.具有表面可直接形成绒面结构、无明显微裂纹且获得的绒面反射率在全光谱波段内光反射率较低的特征.该工艺方法为探索缩短太阳能电池制造流程,降低硅片加工成本,提高硅材料利用率,促使硅太阳能电池成本显著降低,并形成具有我国自主知识产权的太阳能级硅片切割制绒一体化技术提供了理论及实践依据,为我国电火花线切割的应用开拓了新领域. 相似文献
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随着太阳能光伏产业在全球范围内的迅猛发展,作为太阳能电池最基础的原材料一高纯多晶硅,在全球范围内严重短缺,迫切需要发展一种高效率低成本的太阳能级多晶硅的制备方法。在各种生产多晶硅的方法中,定向凝固多晶硅因其成本低、环境污染小,工艺相对简单、成熟,且能直接使用冶金级硅为原料的特点,被寄予很大的希望来实现大规模太阳能级硅的生产。本文综合评述近年来太阳能级多晶硅定向凝固技术的研究进展,着重阐述冶金级硅中磷和硼的提纯,以及多晶硅定向凝固组织和缺陷的控制,并提出今后的研究发展方向。 相似文献
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《中国有色金属》2012,(16):69
监测时点:2012年7月16日~31日1商务部对美韩进口多晶硅发起立案调查7月20日,商务部发布公告,对原产于美国和韩国的进口太阳能级多晶硅产品进行反倾销调查,对原产于美国的进口太阳能级多晶硅进行反补贴调查。2国务院进一步清理整顿各类交易所7月20日,国务院发布了《国务院办公厅关于清理整顿各类交易场所的实施意见》,进一步明确清理整顿工作的政策界限、措施和工作要求。根据《实施意见》,在上次整顿过程中,因操作合规破格"转正"的天津贵金属交易所仍将丧失黄金交易资格。3工信部发布《钼行业准入条件》7月17日,工信部发布了《钼行业准入条件》。《准入条件》对新 相似文献
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应用在材料加工上的激光器概述 总被引:1,自引:0,他引:1
激光工作物质受到泵浦源的激励和在光学谐振腔内得到振荡放大实现粒子数反转,处于亚稳态能级的粒子向低能级跃迁便产生激光.材料加工中应用的激光光源有准分子激光、固体激光、CO2激光和高功率半导体激光四类.其中高功率半导体激光器的应用开创了材料加工的新领域,其前景引人注目. 相似文献
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太阳能电池用多晶硅铸造技术研究进展 总被引:2,自引:0,他引:2
高性价比优势使多晶硅成为光伏市场的主要材料.随着太阳能电池向低成本化方向的发展,太阳能电池用多晶硅铸造技术的研究与开发有着重要的意义.综述了目前太阳能电池用多晶硅锭、多晶硅带和多晶硅薄膜的铸造技术的起源、原理、优点和缺点,以及采用不同铸造方法制备的硅组织特点,评述了新的太阳能电池用多晶硅的铸造方法,展望了新的铸造太阳能级多晶硅新技术. 相似文献
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记者昨(4月8)日从一位接近商务部的人士处证实,商务部已经向此案的各利害关系方下发了一份《关于调整"对美国、韩国太阳能级多晶硅反倾销调查和对美国、欧盟太阳能级多晶硅反倾销反补贴调查倾销补贴调查程序参考时间表"的通知》,将发布初裁公告的时间推迟到了今年6月底之前。由于欧盟对华光伏产品"双反"初裁的时间点也在6月,业内普遍猜测此举是为留"底牌"与欧盟博弈。初裁两度延期《通知》指出,鉴于本次调查涉案公司众 相似文献
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CdMnTe(碲锰镉)材料作为新一代的半导体材料,在核辐射探测领域具有很高的应用价值。本文采用Te溶液垂直布里奇曼法生长Cd0.9Mn0.1Te: V晶体,研究其光电性能及深能级缺陷的分布。紫外-可见-近红外光谱分析表明晶锭中部和尾部的禁带宽度分别为1.602 eV和1.598 eV。光致发光谱中,晶体的(D0,X)峰形尖锐,半峰宽较小,表明缺陷或杂质含量低,晶体质量好。室温I-V测试晶锭中部和尾部晶体电阻率分别为2.85×1010 Ω?cm和9.54×109 Ω?cm,漏电流分别为3 nA和8.5 nA。霍尔测试表明晶体导电类型为n型。通过热激电流谱研究了Cd0.9Mn0.1Te: V晶体中缺陷的能级和浓度,其中晶锭中部和尾部样品中源于Te反位(Te2+ Cd)的深施主能级(EDD)的值分别为0.90 eV和0.812 eV。并且深施主能级EDD使费米能级位于禁带中央,从而使晶体呈现高电阻率。 相似文献
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用能带理论分析了曜南控浮选模型,提出了采用有机抑制剂来改变矿物电子能级、实现硫化矿的浮选分离他有机抑制剂对矿物抑制的两种电化学机理;一是有机抑制剂增加了矿物费米能级,矿物电子向黄药的空能级传递双黄药被还原:二是有机抑制剂降低了矿物边缘能级,从而导致矿物表面电子密度增大,典药空能级被电子占据,双黄药被还原。开发了5种电化学浮选分离新型有机抑制剂,实现了8种人工混合精矿和3种矿石的浮选分离。 相似文献