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△Vbe测试条件的确定方法 总被引:1,自引:0,他引:1
△Vbe是晶体管的一个重要参数,它与晶体管的热阻有一个定量的关系,它反映了管子的功耗能力,对晶体管的封装工艺及失效分析有着重要的指导意义.一直以来我公司在测试△Vbe时都是参考其它公司的测试条件,以下章节介绍了如何确定△Vbe的测试条件.以我公司的TO-220封装的某器件为例来进行试验. 相似文献
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功率晶体管热阻测试条件确定方法 总被引:1,自引:0,他引:1
以B2-01C(TO-3)型金属封装的3DK109E型功率开关晶体管为实验对象,研究了双极型功率晶体管热阻测试条件的确定方法.以图解的形式着重介绍了测试电流(IM)及基极-发射极电压温度系数(M)、加热脉冲持续时间(tp)、加热功率条件(VCB、IE)、测量延迟时间(td)等热阻测试条件的确定过程. 相似文献
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数字开关电路及其他许多脉冲电路中的晶体管如电视行输出管,常需测一下饱和压降V_(ces),这要用到专门测试仪。采用下图方法可简便地测出其V_(ces)值,虽比正规测试仪误差大些,但在一般修理、业余制作中使用已足够了。图中R_1=E-V_(ces)/I_c;R_2=E-V_(bes)/I_b。I_cI_b为产品手册中规定的测V_(ces)、V_(bes)的条件,式中V_(ces),V_(bes)按产品手册中规定合格数值选取。E越大,测得越准,但电流消耗大。 相似文献
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在试制、生产晶体三极管过程中,或者晶体三极管在使用之前,一般都要测其BV_(EBO)特性.按BV_(EBO)的定义,以npn管为例,其测试原理图如图1所示.待测晶体三极管的基极(B)接负电位,其发射极(E)按正电位.使用JT-1或QT-2等仪器仪表进行测试,为叙述方便,我们称此法为“定义法”.不过,在实践中更为广泛应用的一种测试方法如图2(图2~7测试原理图仅标出三极管各电极所接电位的极性,其余部分同图1)所示,其待测三极管的C极(集电极)按负电位,三极管的E极接正电位,使用JT-1等仪器进行测试.我们规定此法为“通用法”. 相似文献
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在半导体器件的生产中,一般采用的银浆烧结具有工艺简便、效率高、成本低等优点.但Vces易变问题一直是银浆烧结得不到广泛推广的原因.金镓、金锑、铅锡等烧结工艺虽在解决Vces稳定性方面收到了良好的效果.但成本高、效率低、不适于批量生产,因此其应用上也受到一定限制.因此,需要一种新的烧结材料来解决小功率管烧结的高效率、低成本和Vces稳定性的问题.我厂通过近年来的生产实践与质量考核、导电胶烧结工艺取得了比较满意的结果,现将我们的工作情况简介如下: 相似文献
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John Wettroth 《电子设计技术》1996,(5)
图1中的电路在100H_Z到20kH_Z音频范围内至少可以降低35dB的噪声或交流声。该电路为便携应用如蜂窝电话和多媒体笔记本型计算机,提供驱动音频电路的纯净的5V电源。大多数线性调节器抑制噪声仅到大约100H_Z, 相似文献
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本文从测量多种小功率、大功率晶体管在规定条件下的△V_(BE),及其随加热功率P_(Hot)的变化规律,到详细讨论测试结果.如果在相同条件下测量不同器件的△V_(BE),可以迅速评价器件热阻的大小.通过测试△V_(BE),可以对晶体管制造工艺监控;100%测试产品的△V_(BE),可以对产品作高可靠筛选. 相似文献
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本文对电视接收机中中小功率晶体管 eb 结开路问题进行了分析及试验,提出用测量V_(BE) 代替 I_(eb) 大电流冲击法来筛选晶体管,并提出大电流冲击将引起晶体管新的缺陷。对此整机厂和器件厂会有许多不同的看法,希望引起广泛的注意和讨论。 相似文献
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CH自由基在燃烧化学、星际化学和化学激光研究中占有重要地位。目前对激发态CH(A~2△)自由基的研究还很少。 我们在流动体系中,用四倍频Nd~(3+):YAG激光(266nm)光解CHBr_3母体分子产生CH(A~2△)自 相似文献
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针对典型的基于星敏感器/陀螺组合的卫星姿态确定方法不能解决没有陀螺或陀螺失效的条件下卫星姿态确定的问题,提出了无陀螺条件下的卫星姿态确定方法,并通过实验仿真验证了方法的有效性。该方法利用星敏感器测量信息与姿态动力学方程来进行姿态确定,选用修正罗德里格参数(MRPs)进行姿态描述,基于UT变换的Unscented卡尔曼滤波(UKF)算法来进行姿态滤波。 相似文献
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氧化钇微细粉的制作过程中,微细粉的颗粒粒径及品质质量涉及到制作过程中的料液浓度、沉淀温度、草酸浓度、分散剂用量、热分解温度等多种影响因素,须经大量的探索和试验才得以确定每一项工艺参数。本文提出建立人工神经网络模型,将已有的实验参数作为神经网络的学习样本,训练网络模型,然后利用经过学习后的模型的容差和智能特性,为氧化钇微细粉的制备确定所需的工艺条件。实验结果显示神经网络方法具有比较高的准确性。 相似文献
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