ARM Artisan低功耗IP被联华电子选用于130纳米工艺

2005年5月26日，ARM公司和联华电子联合宣布：两家公司签订协议，ARM将向联华电子先进的130纳米工艺技术提供Artisan Metro低功耗IP平台。ARM Artisan物理IP是专为高性能的便携式电子设备所开发的，能够在提高密度和良产率的同时显著地降低功耗；功耗最高降低80%，面积最高缩小20%，并提高良产率，为联华电子130纳米工艺最优化后的ARM物理IP向代工厂用户提供理想的低功耗便携式IC设计解决方案。     

ARM发布下一代DDR存储解决方案提高芯片性能

ARM公司扩展了其Artisan物理IP系列产品中的Velocity DDR存储接口产品，以支持众多对SDRAM的特定应用要求。扩展后的ARMVelocity DDR产品和DDR、DDR2、Mobile DDR、GDDR3SDRAM的JEDEC标准相兼容，并支持领先代工厂的130纳米、110纳米、90纳米和65纳米的标准CMOS工艺。     

ARM宣布免费网络下载ARM处理器技术

2005年 4 月 11 日,ARM 公司宣布了其全新的 DesignStart计划,将向设计开发者提供基于台积电( TSMC)、联华电子(UMC)、中芯国际(SMIC)和特许半导体(Chartered Semicon ductor)代工厂技术的ARM7TDMI处理器技术。这一计划将利Artisan物理IP产品分发的网络渠道,免费发送 ARM7T     

ARM处理器ARM11及物理IP实现突破性750MHz

ARM公司的ARM1176JZF-STM处理器，通过使用ARM Artisan AdvantageTM单元库及内存，使处理器的频率在90纳米代工厂工艺下超过了750MHz，芯片面积却仅为2．4mm^2。优化后为现有的应用及操作系统带来了超过920 Dhrystone MIPS的性能表现，而不需要任何昂贵的软件再设计或再编译费用。     

通用平台为高通制造90纳米芯片

本报讯10月31日获悉,通用平台(CommonPlatform)技术创始合作伙伴IBM、特许半导体和三星电子有限公司宣布在各自的300mm工厂中已经成功实现为高通制造90纳米芯片。通过与高通紧密合作,通用平台成员已经量产尖端的低功耗系统芯片(SoC)产品,以支持移动通信技术。现在的移动电话芯片组和其他设备都在使用高通芯片实现全球无线通信。通用平台与高通的业务关系已经从90纳米延伸到了65纳米及更精密的工艺。通用平台为高通制造90纳米芯片     

中芯国际用ARM物理IP支持90纳米设计

2006年5月30日，代工厂商中芯国际集成电路制造有限公司（中芯国际）和ARM公司共同宣布；中芯国际采用ARM Artisan物理IP系列产品中的ARM Metro低功耗／高密度产品和Advantage高性能产品，用于90纳米LL（低渗漏）和G（主流）处理工艺。该协议通过在ARM网站免费下载的方式进一步增进了两家公司在推动前沿设计和制造方案方面的协作和承诺。     

ARM、特许半导体、IBM及三星联手打造高效能32ns和28ns片上系统

IBM、特许半导体制造有限公司、三星电子有限公司及ARM公司宣布：他们将在high-k metal-gate（HKMG）技术的基础上开发一个完整的32ns和28ns的片上系统（SoC）设计平台。HKMG技术是由IBM领导的联合开发团队所开发的。在这一将历时数年的合作中,ARM将为IBM、特许半导体和三星的Common Platform技术联盟开发和授权一个包括逻辑、存储和接口产品在内的物理IP设计平台,用于他们向客户销售的产品。     

ARM Artisan串行连接200 PHY系列可用于90纳米工艺

2005年6月17日，ARM公司宣布：经流片验证的ARM Artisan Velocity串行连接200PHY(物理层)系列现已可以用于90纳米工艺技术。作为新的200PHY系列的一部分，ARM共提供4种全新产品来满足大量的1～6.4 Gbps高速串行互连标准．包括有PCI Express、Serial ATA．XAUI、Double XAUI以及底板应用，随着这一特意为当今90纳米工艺技木设计的先进新架构的诞生，ARM成为第一家能够提供一套完整基于可升级平台的经流片难的90纳米高速串行连接产品的IP供应商。     

ARM和TSMC签署65纳米和45纳米的物理IP长期协议

2006年4月21日，ARM公司和台湾积体电路制造股份有限公司（TSMC）签暑协议把公司的长期合作关系扩展至开发一套全新的ARM Advantage产品，该产品是Artisan物理IP系列产品的一部分，用来支持TSMC的65纳米和45纳米工艺。通过该协议，用户可以从ARM Access Libmry Program获得针时TSMC先进技术的ARMAdvantage产品。     

台积电和ARM合作降低65纳米测试芯片的功耗

台积电和ARM公司宣布双方在65纳米低功耗测试芯片上的设计合作，显降低了其动态功率和耗散（Leakage）功率。两家公司认为创新的低功耗设计技术对于最终的成功起到了关键的作用。     

产业技术与信息

台积电和ARM合作降低65纳米测试芯片的功耗台积电和ARM公司宣布双方在65纳米低功耗测试芯片上的设计合作,显著降低了其动态功率和耗散(Leakage)功率。两家公司认为创新的低功耗设计技术对于最终的成功起到了关键的作用。长达一年的合作成果是一片拥有先进功耗管理技术的基于ARM     

CADENCE ENCOUNTER平台为65纳米设计提供领先的低功耗及DFM功能特性

Cadence设计系统公司（NASDAQ：CDNS）近日发布了Cadence Encounter数字IC设计平台的最新软件版本,增加了业内领先的功能特性,包括全芯片优化、面向65纳米及以下工艺的超大规模混合信号设计支持，具有对角布线能力的Encounter X Interconnect Option，以及之前已经公布支持的基于Si2通用功率格式（CPF）1．0版本的低功耗设计。新平台提供了L、XL和GXL三种配置，为先进半导体设计提供更佳的易用性，更短的设计时间以及更高的性能。     

Chipidea的USB高速物理层IP获得特许半导体90nm和65nm客户就绪技术认证

MIPS科技公司模拟业务部Chipidea宣布,其USB高速物理层（PHY）IP已获得特许半导体（Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd）65nm和90nm工艺技术认证。Chipidea的USB2．0OTG物理层内核符合USB2．0标准并获得了独立认证权威USB实施者论坛（USB-IF）的认证,是USB高速物理层IP最丰富产品组合的一部分,经过了硅验证并获得了特许半导体客户就绪代工厂解决方案0．18μm、0．13μm、90nm及65nm认证。Chipidea的USB IP有助于缩短用户设计的USB和USB OTG Supplement进入便携式计算设备的时间,如手持设备、移动电话、海量存储设备及数码相机,这些设备的市场正在迅速发展。     

每月新技术之星

在过去的11月，业界并没有出现多少重大意义的革命性技术．但各个领域的技术进展依然活跃。微处理器领域．英特尔带来65纳米Pentium XE 955处理器．标志着半导体工业从此进入65纳米时代。此外．英特尔公司还发布了未来“Many Core”设计概念．为X86处理器的未来发展指明了方向。而一家名为P.A.Semi的初创企业则在微处理器论坛上公布了一款基于IBM Power架构的双核、低功耗微处理器．卓越的效率和创新的高整合性都让人感到耳目一新。     

ARM SecurCore代工厂计划提供32位智能卡IP

ARM公司发布了全新的ARM SecurCore代工厂计划，同时宣布fabless设计公司同方微电子（TMC）、华大电子（HED）以及代工厂华虹NEC成为该计划的首批合作伙伴。该计划将帮助fabless设计公司授权获得为智能卡和安全应用进行了优化的ARM Secur Core SC100处理器技术，同时将其设计在经认证的代工厂进行制造。[第一段]     

65纳米魅力何在 引无数英雄竞折腰

1965年,还是仙童公司电子工程师的摩尔提出了著名的摩尔定律。到现在,这条定律诞生了40年。40年来,半导体器件的发展历程一直遵循着这一定律。进入2005年,IBM、德国英飞凌、韩国三星和新加坡特许半导体公司联合的团队以及美国德州仪器公司等厂商,都推出了65纳米工艺制作的半导体集成电路样品。我国台湾省的台积电也在2005年年底批量生产65纳米器件。一种标志芯片发展水平的参数从90纳米过渡到65纳米,不仅是简单的技术革新。我们看到,在PC芯片制造领域,Intel迫不及待地上马65纳米工艺流水线。Intel此举的原动力在哪儿?又是什么在诱惑诸多…     

ARM发布基于TSMC 90 nm工艺的DDR1和DDR2存储器接口IP

ARM公司发布了其Artisan物理IP系列中的ARM Velocity DDR1和DDR2存储器接口，支持TSMC的90nm通用工艺。ARM Velocity DDRl／2存储器接口是第一个通过TSMCIP质量安全测试的、可即量产的90nmIP。     

IBM将联合日立研究32纳米半导体工艺

IBM和日立公司近日宣布，两家已经签署一项为期两年的半导体制程研究合作协议，共同研究开发32纳米甚至22纳米半导体工艺。两家公司的研究人员将尝试研究开发32纳米和22纳米半导体，尺度已经接近原子，从而加速芯片电路的小型化进程。     

上海交大汉芯科技获得ARM9处理器家族授权

2005年11月22日，ARM公司宣布上海交大汉芯科技有限公司获得ARM922T处理器的授权，此公司是从上海交通大学集成电路和系统研究中心实验室独立出来的一家公司。通过ARM的代工厂计划（ARM Foundry Program），这个授权协议将使上海交大汉芯科技能够开发基于ARM技术的片上系统解决方案，以满足中国移动电话和消费娱乐电子产品市场对于低功耗高性能的不断增长的要求。     

飞思卡尔与IBM宣布签署标志性技术开发协议——两家公司将合作开发未来半导体技术

<正>近日,飞思卡尔半导体公司和IBM宣布,飞思卡尔将加入IBM技术联盟,联合进行半导体的研究与开发。此协议包括互补性氧化金属半导体(CMOS)技术和绝缘硅(SOI)技术以及45纳米一代产品的高级半导体研究和设计支持转换。飞思卡尔是第一个与IBM技术联盟共同参与低功耗和高性能技术研究和开发的技术开发合作伙伴。这一合作使一流技术和业界领先系统技术的成功经验结合起来。