华北光电技术研究所局域网网站开通

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华北光电技术研究所科研产品介绍

为对我国四个现代化多做贡献,我所将对外提供部分科研产品。所有提供产品均按规范检验,保证达到技术条件或合同要求指标。用户如有特殊要求,可按协商条件供应。欲订货者请迳直联系。     

华北光电技术研究所1980年科研成果简介

激光晶体氟化钇锂(YLF)激光晶体以其优异的紫外特性和适合于多种稀土激活离子和敏化离子的掺杂,能产生0.3～3微米多种激光跃迁而受到国内外重视。1980年在原材料选择、制备和晶体生长条件方面采取了多项措施,获得了Nd∶YLF、Er∶YLF和Ho∶YLF三种透明晶体,完成了Y、Li、F的化学分析方法试验,掺杂Er,Nd,Ho的X-射线荧光光谱分析表明,透明晶体的含F量接近化学式量(44.05％),不     

华北光电技术研究所1980年科研报告摘要

动目标模拟系统方案考虑宋福山动目标模拟系统主要用于室内激光动态跟踪模拟实验。1978年我们曾建立了激光跟踪靶标系统。但由于装置简单、粗糙、调整困难,使精度受到限制。1979年我们又建立了激光跟踪参数侧试台。从测试角度出发,已进入秒级,但它只能在固定偏角误差下开展实验,看     

华北光电技术研究所激光泵浦灯产品介绍

华北光电技术研究所激光泵浦灯产品介绍我所从美国引进的激光泵浦灯生产线，专门用以制造高温过渡封接、内径为Φ４～７ｍｍ的各种直管式脉冲灯和连续氪弧灯，由于采用了国际通用的制灯工艺，产品外形与各种性能指标与国外同类产品一致性好，欢迎广大用户，特别是具有各种...     

华北光电技术研究所1980年度参加技术交流会报告题录

国际会议一、美国CLEOS,1980激光和电光学会议(z月,典国) 我国固体激光技术研究现状梅遂生倪木桃二、美国SPIE 24届年会(7月,典国) 华北光电所红外技术研制概况林钧挺、吴宗兰三、北京国际激光会议(6月,北京) 连续YAG激光器声光锁模张征祥赵人俊 国内会议一、YAG晶体生长和浦试技术交流会(8月,吉林) 1.Nd:YAG消光比测试的研究谷幼英 2.Nd:YAG晶体长脉冲激光性能测试条件及方法的探讨张培河 3.生长YAG,Nd晶体的温场探讨贾蒲明 4.Nd:YAG晶体连续激光性能测试条件和方法的探讨张培河 5.测试低能量泵浦Nd:YAG激光棒的性能张培河何…     

华北光电技术研究所1991年已鉴定的科技成果

成果名称鉴定类别鉴定时间主要技术抬标胜·GMS一6型高平均功率闪光灯设计定型(鉴定会)1990年12月 1.尺寸:小7 xllomm, 2.最大注入功率,skw 3.重复级率:》100次/s 4.寿命:>10,次 5.电吸系致:18.70·A今1/2 6.爆炸能爱常数:1.6xlo肠W·s+1/2 7.着火电压:《2加V 性能国内领先,主要技术指标相当于国际当前同类离品水平设计定型(鉴定会)1990年11月1.最高平均输出功率:SQSW2.最大单脉冲激光能t98)3.翰出功率稳定度:2%4.工作台定位情度:<8卜m5.重复精度:(5卜m 城补了国内高功率脉冲Y人G徽光加工机的空白,脉冲激光电像和傲控工作台的主要技术…     

北京光电技术研究所

北京光电技术研究所是北京市重点科研院所之一,是中国机械工业部激光行业和国际电子委员会(IEC)TC76:“激光设备”的国内技术归口单位。北京光电技术研究所的激光参量测试研究室,经国家科委批准为“北京激光参量测试中心”;经国家技术监督局批准为“国家激光器件质量监督检验中心”;同时也是“机械工业部激光器件产品质量监督检验中心”。     

华北光电技术研究所1977～1980年已鉴定的科技成果

牟号项称阶段:主持鉴定单位鉴定年分}注六一一气不厂蔺一一一十一一一一寸一份一一一一一一-锑化捆红外单晶设计定型本所1977获1978年全邂科学大会奖励;获电子工业科研成果一等奖Nd:Y人G徽光晶休正样本所1978获1978年全国科学大会奖励;获电子工业科研成呆一等奖 1.器件HFY型锑化锢光伏单元探测器设计定型四机部1979获1978年全国科学大会奖励;获电子工业科研成果二等奖祷锡铅单昌及异质结外延探测器HRD一l型粗酸涅热电探剖器GMS一1型咏冲氛灯及万英管控径工艺液氮双相传骗致冷器及其在低温治疗_L的应用互DD型宽光潜分色滤光片红外双色…     

华北光电研究所198O年激光晶体研究进展

氟化铌锂突破技术关获得激光运转YLF激光晶体以其优异的紫外特性和适于多种稀土激活离子、敏化离子的掺杂,能产生0.3～3.9微米20多种波长的激光跃迁,受到国内外重视.我们在研究过程中长期存在晶体失透技术关.1980年在原料制备、晶体生长条件等方面采取多项技术措施.突破了晶体失透技术关.获得Nd:YLF,Er:YLF和Ho:YLF三种透明单晶.Nd:YLF激光棒装在专门设计的激光器中进行激光测试,获得激光运转.其性能为:     

重庆光电技术研究所简介

重庆光电技术研究所简介重庆光电技术研究所是国内专门从事半导体光电器件及其应用技术研制和开发的研究所，１９６９年底始建于重庆市永川境内，１９９６年１０月搬迁至重庆市南坪。重庆光电技术研究所主要从事电荷耦合器件（ＣＣＤ）、红外焦平面器件、半导体光发射器件...     

北京华北莱茵光电技术有限公司

北京华北莱茵光电技术有限公司长期从事激光研发和生产。现有成熟的激光产品种类相当丰富（YAG固光器,光纤激光器等）引进国际先进激光技术,满足国内外众多客户对“高精度、高稳定性、高性价比”的激光产品设备的需求为己任。本着“面向国内,放眼世界”的经营理念奉行“质量是本,服务至上”的企业宗旨,与众企业一起,驾驭高科技手段,共同迎接新时代的挑战。     

北京华北莱茵光电技术有限公司

北京华北莱茵光电技术有限公司长期从事激光研发和生产，现有成熟的激光产品种类相当丰富（YAG固体激光器，CO2激光器，光纤激光器等）引进国际最新激光技术。     

重庆光电技术研究所新产品简介

GZ4271Z 型384×491位面阵电荷耦合摄像器件1 工作原理该器件以隔行扫描方式工作。它由491(V)×384(H) 个光电二极管阵列、二相时钟脉冲驱动的体沟垂直 CCD 移位寄存器(V-CCD)、三相时钟驱动的体沟水平 CCD移位寄存器 (H-CCD)、转移栅φ_(TG)控制     

重庆光电技术研究所新品简介

重庆光电技术研究所新品简介ＧＬ３１９０Ｚ型电荷耦合线阵摄像器件１工作原理以端端交错的拼接方式将三个２０４８位线阵电荷耦合器件（ＣＣＤ）拼接为６１４４位线阵ＣＣＤ摄像器件。光敏二极管线阵将入射的一维光信号转换为电信号存贮在光敏二极管的结电容中，然后由转...     

重庆光电技术研究所新产品介绍

一、GF9410U 型 GaAs 发光二极管1.器件结构及简要工作原理该 GaAs 发光二极管是在 n 型 GaAs 衬底上,通过液相外延技术形成一层 n 型 GaAs 和一层型 GaAs 同质 In 结,再用树脂封装而成。在正向偏咒下,注入到确源区的电子和空穴复合     

重庆光电技术研究所新产品简介

重庆光电技术研究所新产品简介ＧＤ５２５１Ｙ型低压硅雪崩探测器１工作原理该低压硅雪崩探测器是一个典型的拉通型雪崩光电二极管。ｐ－区的杂质浓度比ｎ区的高１～２个数量级。当外加反向电压使器件全耗尽时，ｐ－区的电场强度比ｎ区的高，ｎ区则是主要的光吸收区，，区...     

重庆光电技术研究所科技捷报

机电部重庆光电技术研究所科技人员,继128×128元 PtSi 肖特基势垒红外焦平面阵列研制成功之后,经过艰辛努力,于1992年3月初又研制成功256×256元 PtSi 肖特基势     

重庆光电技术研究所部分新产品简介

GT5560T型InGaAs/InP APD一工作原理该器件是一种反偏置工作器件。在高反偏压作用下器件“拉通”,光照下吸收区所产生的光生载流子越过异质结在倍增高电场加速下,高速撞击半导体材料晶格产生新的电子-空穴对,这种过程不断重复,产生雪崩倍增,从而获得放大的信号电流。二结构及特点