一种基于存储器故障原语的March测试算法研究

研究高效率的系统故障测试算法,建立有效的嵌入式存储器测试方法,对提高芯片良品率、降低芯片生产成本,具有十分重要的意义.从存储器基本故障原语测试出发,在研究MarchLR算法的基础上,提出March LSC新算法.该算法可测试现实的连接性故障,对目前存储器的单一单元故障及耦合故障覆盖率提升到100%.采用March LSC算法,实现了内建自测试电路(MBIST).仿真实验表明,March LSC算法能很好地测试出嵌入式存储器故障,满足技术要求.研究结果具有重要的应用参考价值.     

基于内建自测试电路的NAND Flash测试方法

随着NAND Flash在存储器市场中的占比与日俱增,对NAND Flash的测试需求也越来越大。针对NAND Flash存储器中存在的故障类型进行讨论,并对现有测试算法进行分析,为提高故障覆盖率以及降低测试时间,对现有的March-like测试算法做出改进,改进算法比March-like算法的故障覆盖率提高了16.7%,测试时间减少了30%。完成存储器内建自测试（MBIST）电路设计,设计了FPGA最小系统板并进行板级验证,结果验证了MBIST电路以及改进的测试算法的可行性。     

Flash型FPGA内嵌BRAM测试技术研究

Flash型FPGA由于具有高可靠性、卓越的安全性和即插即用的功能,被广泛应用于军事及航空航天领域。Flash型FPGA的内部结构复杂而庞大,因此研究其测试技术的可靠性和准确性至关重要。块随机存储器（BRAM）作为FPGA内部重要的存储模块,在传统测试中存在故障覆盖率较低的问题。为了扩大故障覆盖范围,对March C+算法进行了改进,优化后算法对写干扰故障（WDF）、写破坏耦合故障（CFwd）、干扰耦合故障（CFds）和字内耦合故障的检测能力得到了显著提高。结果表明,优化后的算法相较于March C+算法,其故障覆盖率提高了25个百分点,且与时间复杂度相同的March SS算法相比,其故障覆盖率提高了5.8个百分点。     

基于March C-算法的SRAM BIST电路的设计

针对某SOC中嵌入的8K SRAM模块,讨论了基于March C-算法的BIST电路的设计.根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率,研究了测试算法的选择、数据背景的产生,并完成了基于March C-算法的BIST电路的设计.实验证明,该算法的BIST实现能大幅提高故障覆盖率.     

基于March C-算法的单片机存储器测试

为了保证单片机系统的可靠性,对单片机内嵌存储器的测试显得尤为重要。根据MCS-51系列单片机系统内嵌存储器的结构特点和故障模型,研究了测试算法的选择、数据背景的产生等问题,首次提出将March C-算法用于单片机内嵌存储器的用户级测试程序编写。该测哉程序对SAF,TF,AF,CF的故障覆盖率可达到100％,并且能够检测部分NPSF故障,具有较高的故障覆盖率,适合于对用户级MCS-51系列单片机存储器的测试。     

基于LabVIEW的存储器检测系统研究

针对某装备的存储器没有相应的测试设备,测试内容比较繁琐,设计了基于LabVIEW的存储器检测系统.硬件依托PXI测试总线予以实现,具有可靠性高,灵活性强的特点.针对组合存储器的特点,设计了专用的接口适配器,主要用于实现信号的同步和调理.文中分析了存储器的故障类型,研究March算法并进行了扩展.系统以LabVIEW作为软件工具,实现了对存储器的自动测试,用数据库实现了测试算法与测试程序的分离.该系统具有操作容易,可扩展性强等特点,有效提高了对某装备存储器的测试效率.     

基于FPGA的SRAM测试电路的设计与实现

为了保证独立的SRAM模块或嵌入式SRAM模块功能的完整性与可靠性,必须对SRAM模块进行测试。介绍了一种基于Ahera DE2开发板的面向字节的SRAM测试电路的设计与实现。测试算法采用分为字内和字间测试两部分的高故障覆盖率March C-算法;设计的测试电路可由标准的JTAG（联合测试工作组）接口进行控制。设计的测试电路可测试独立的SRAM模块或作为BIST（内建自测试）电路测试嵌入式SRAM模块。验证结果表明该SRAM测试系统是非常高效的。     

1T1R结构RRAM的故障可测性设计

阻变随机存储器(RRAM)中存在的故障严重影响产品的可靠性和良率.采用精确高效的测试方法能有效缩短工艺优化周期,降低测试成本.基于SMIC 28 nm工艺平台,完成了1T1R结构的1 Mbit RRAM模块的流片.详细分析了测试中的故障响应情况,并定义了一种故障识别表达式.在March算法的基础上,提出针对RRAM故障的有效测试算法,同时设计了可以定位故障的内建自测试(BIST)电路.仿真结果表明,该测试方案具有占用引脚较少、测试周期较短、故障定位准确、故障覆盖率高的优势.     

基于March X算法的SRAM BIST的设计

针对LS-DSP中嵌入的128kb SRAM模块,讨论了基于March X算法的BIST电路的设计.根据SRAM的故障模型和测试算法的故障覆盖率,讨论了测试算法的选择、数据背景的产生:完成了基于March X算法的BIST电路的设计.128kb SRAM BIST电路的规模约为2000门,仅占存储器面积的1.2%,故障覆盖率高于80%.     

宇航用静态随机存储器验证方法研究与应用

在研究静态随机存储器故障模型以及常用功能验证方法的基础上,提出采用March SOF算法结合故障注入的EDAC测试程序作为宇航用带EDAC功能SRAM存储器的验证方法。该方法将March SOF算法扩展为32位字定向算法,同时增加数据保持故障以及EDAC功能的测试,可以对宇航用SRAM进行全方位功能验证。采用实际电路,对该方法进行实现和验证,验证结果表明了方法的可行性和有效性。     

大屏幕TFT-LCD显示用Timing Controller的存储器测试

基于March算法的存储器内建自测试电路能够获得很高的故障覆盖率,但在测试小规模的存储器时暴露出了面积相对比较大的缺点.针对大屏幕Timing Controller芯片"龙腾TC1"中4块640×18 bit SRAM"按地址递增顺序连续进行写操作"的工作特点,提出了一种新的存储器内建自测试方法.该方法按照地址递增顺序向存储器施加测试矢量,避免了直接采用March C算法所带来的冗余测试,简化了内建自测试电路,大大减少了由管子的数量和布线带来的面积开销,可达到March C 算法相同的"测试效果".     

一种Mbist新型算法March 3CL的设计

制造工艺的不断进步,嵌入式存储器在片上系统芯片中的集成度越来越大,同时存储器本身也变得愈加复杂,使得存储器出现了一系列新的故障类型,比如三单元耦合故障.存储器內建自测试技术是当今存储器测试的主流方法,研究高效率的Mbist算法,是提高芯片成品率的必要前提.以SRAM的7种三单元耦合故障为研究对象,通过分析故障行为得到三单元耦合的72种故障原语,并且分析了地址字内耦合故障的行为,进而提出新的测试算法March 3CL.以2048X32的SRAM为待测存储器,利用EDA工具进行了算法的仿真,仿真结果表明,该算法具有故障覆盖率高、时间复杂度低等优点.     

嵌入式存储器MBIST设计中内建自诊断功能研究

针对大规模嵌入式存储器可测性设计技术——存储器内建自测试（MBIST）中的故障诊断问题,介绍了MBIST设计的扩展功能——存储器内建自诊断（MBISD）。在引入存储器内建自测试的基础上,详细分析了存储器内建自诊断模块根据输出故障信息自动分析器件失效原因、并对失效单元进行故障定位和识别的基本原理及其中的关键算法,并用一块SRAM的MBIST设计（采用Mentor公司的MBISTArchitect完成）中的MBISD具体实例进行了仿真验证。存储器内建自诊断的应用,大大提高了存储器的成品率。     

一种具备MBIST功能的Flash型FPGA配置芯片设计

Flash型FPGA配置芯片相较于反熔丝配置芯片和可擦除可编程只读存储器（EPROM）型配置芯片,具有非易失性、功耗低、安全性高、可多次编程等更优异的特点。设计了一款具备存储器内建自测试（MBIST）功能的Flash型FPGA配置芯片,在March C-的基础上,提出了一种更全面的测试算法,该算法可以有效提高测试故障覆盖率,并且自身会对测试结果的正确性进行判断,从而快速有效地对Flash功能的正确性进行检验。由于Flash具有非易失性、集成度高等特点,且设计具备MBIST功能,该配置芯片可以满足复杂场景及广泛的应用需求。     

一款雷达信号处理SOC芯片的存储器内建自测试设计

内建自测试(BIST)为嵌入式存储器提供了一种有效的测试方法.详细介绍了存储器故障类型及内建自测试常用的March算法和ROM算法.在一款雷达信号处理SOC芯片中BIST被采用作为芯片内嵌RAM和ROM的可测试性设计的解决方案.利用BIST原理成功地为芯片内部5块RAM和2块ROM设计了自测试电路,并在芯片的实际测试过程中成功完成对存储器的测试并证明内嵌存储器不存在故障.     

基于FPGA的SRAM测试电路的设计与实现

文中介绍了一个基于Altera DE2开发板的面向字节的(Word-Oriented)SRAM测试电路的设计与实现.其测试算法采用了分为字内和字间测试两部分的高故障覆盖率的March C-算法;设计的测试电路可由标准的JTAG接口进行控制.本文设计的测试电路可以测试独立的SRAM模块或者作为内建自测试(BIST)电路测试嵌入式SRAM模块.     

存储器故障诊断算法的研究与实现

集成电路工艺的改进使存储器的测试面临着更大的挑战。文中从存储器的故障模型入手,着重描述了存储器常见的诊断算法。诊断算法和诊断策略要在诊断时间、故障覆盖率、面积开支之间进行权衡。因此要根据存储器的故障类型和测试需求来选择合适的诊断算法,才能达到比较满意的效果。     

嵌入式存储器内建自测试的一种新型应用

当今,嵌入式存储器在SoC芯片面积中所占的比例越来越大,成为SoC芯片发展的一个显著特点。由于本身单元密度很高,嵌入式存储器比芯片上面的其它元件更容易造成硅片缺陷,成为影响芯片成品率的一个重要因素。本文对采用MARCH-C算法的嵌入式存储器内建自测试进行了改进,实现了对嵌入式存储器故障的检测和定位,能够准确判断故障地址和故障类型,使嵌入式存储器故障修复更加快捷、准确,同时达到故障覆盖率高、测试时间短的目的。     

应用于STT-MRAM存储器的高可靠灵敏放大器设计

自旋转移矩磁性随机存储器（STT-MRAM）以其非易失性、速度快、数据保持时间长等优势被认为是最有潜力的新型存储技术之一。然而,由于磁性隧道结（MTJ）的温度相关性,其隧穿磁阻率（TMR）在高温下会变低,对高可靠灵敏放大器的设计提出了更高的要求。基于2T-2MTJ存储单元,设计了一款可以工作在宽温度范围内的高灵敏度放大器。在-40～125℃的温度范围内,该灵敏放大器在TMR为50%时仍具有较高的灵敏度,保证了STT-MRAM的读可靠性。     

基于March C＋改进算法的MBIST设计

针对SRAM内建自测试（MBIST）,介绍几种常用的算法,其中详细介绍March C＋算法,在深入理解March C＋算法的基础上对其提出改进,以此提高MBIST的故障覆盖率。并且利用自顶向下设计方法,Verilog HDl设计语言、设计工具等设计MBIST电路及仿真验证,证明了本设计的正确性和可行性。